标准解读
《GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范》相比于《GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范》,主要在以下几个方面进行了更新和调整:
-
技术内容的更新:新版标准融入了近二十年来半导体技术的快速发展成果,对晶片坐标系的确定方法进行了优化,引入了更精确的测量技术和数据分析方法,以适应当前集成电路高密度、高精度加工的需求。
-
定义和术语的明确:为确保标准的准确性和适用性,2019版标准对关键术语和定义进行了修订或新增,使得专业术语更加严谨,减少理解上的歧义,便于业界统一理解和应用。
-
测试方法和程序的改进:详细规定了更为科学合理的测试流程和操作步骤,包括样品制备、测量设备的选择与校准、数据采集与处理等方面,提高了测试结果的一致性和可重复性。
-
精度要求的提升:鉴于技术进步和产业需求,新标准对晶片坐标系确定的精度要求进行了相应提高,确保晶片制造和封装过程中的高精度定位,满足微纳米级加工的要求。
-
兼容性和互操作性:考虑到全球半导体产业链的协作需求,2019版标准增强了与其他国际标准的兼容性,方便跨国合作与交流,促进技术的国际接轨。
-
标准适用范围的扩展:随着半导体应用领域的拓宽,新标准适当扩大了适用的晶片类型和应用场景,不仅覆盖传统集成电路,还考虑到了新兴的微电子和光电子器件等。
-
信息化和自动化要求:鉴于当前半导体生产自动化程度的提高,新标准鼓励采用自动化检测系统和数据分析软件,提高生产效率和质量控制水平。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2019-03-25 颁布
- 2020-02-01 实施
文档简介
ICS29045
H80.
中华人民共和国国家标准
GB/T16596—2019
代替
GB/T16596—1996
确定晶片坐标系规范
Specificationforestablishingawafercoordinatesystem
2019-03-25发布2020-02-01实施
国家市场监督管理总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T16596—2019
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替确定晶片坐标系规范与相比除编辑性修
GB/T16596—1996《》。GB/T16596—1996,
改外主要技术变化如下
:
规范性引用文件中删除了和增加了和
———GB/T12964、SEMIM12SEMIM13,GB/T34479
见第章年版的第章
YS/T986(2,19962);
增加了晶片坐标系的建立原则见第章
———“”(3);
增加了晶片背面坐标系和三维坐标系见
———“”“”(4.2、4.3);
删除了晶片坐标系的应用及有关内容中的和见年版的
———“”4.1.14.1.2(19964.1.1、4.1.2);
增加了在中用边缘轮廓模板建立的边缘参考坐标系用于边缘的参照其与本晶
———“SEMIM1,,
片坐标系不同边缘轮廓模板和边缘轮廓参数使用不同的坐标系具体如下在某些情
。,:……”“
况下无图形的晶片表面不易区分正面和背面对晶片的直径没有特殊规定但对于自动设
,”“,
备可能只接收标称直径的晶片等内容见
,”(5.3、5.6、5.9)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位有色金属技术经济研究院有研半导体材料有限公司浙江海纳半导体有限公司
:、、、
浙江省硅材料质量检验中心上海合晶硅材料有限公司
、。
本标准主要起草人卢立延孙燕潘金平杨素心楼春兰胡金枝李素青
:、、、、、、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T16596—1996。
Ⅰ
GB/T16596—2019
确定晶片坐标系规范
1范围
本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系背面坐标系和三维坐标系的程序
、。
本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷颗
。、
粒等测试结果的准确位置
。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
晶片通用网格规范
GB/T16595
硅片字母数字标志规范
GB/T34479
晶片正面系列字母数字标志规范
YS/T986
半导体设备通信标准报文内容的规范
SEMIE52(SECS-Ⅱ)[SpecificationforSEMI
equipmentcommunicationsstandard2messagecontent(SECS-Ⅱ)]
硅单晶抛光片规范
SEMIM1(Specificationforpolishedsinglecrystalsiliconwafers)
3晶片坐标系的建立原则
31总则
.
本标准中的晶片坐标系利用晶片中心点作为直角坐标系X-Y或极坐标系r-θ的原点可确定晶
()(),
片上任意点的坐标对于无图形晶片可直接使用本晶片坐标系也可与矩形阵列或极坐标重叠阵列一
。,,
起使用本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置而这另一坐标系则常表
。,
示或记录了晶片上的局部区域芯片或图形阵列的位置特征
、。
32晶片正面坐标系
.
将晶片正表面向上放置确定晶片中心点位置建立右手直角坐标系主定位基准位于Y轴负方
,。。
向根据应用选择直角坐标系或极坐标系参考X轴正向
。()。
33晶片背面坐标系
.
围绕主定位基准的平分线Y轴转动晶片直至晶片背表面朝上除了X轴的方向与正面坐标系
(),。
相反背面坐标系的其他内容与正面坐标系相同
,
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