标准解读

《GB/T 13592-1992 表面分析术语》是中国一项关于表面分析领域专业术语的标准文件。此标准旨在统一和规范在材料科学、化学、物理学及其交叉学科中，进行物体表面及近表面层特性分析时所使用的专业词汇和定义，以促进学术交流和技术文档的一致性与准确性。下面是对该标准主要内容的概述：

  1. 范围：标准明确了适用范围，即规定了在进行材料表面分析时常用的各种技术、方法以及分析结果表述中涉及的关键术语及其定义。

  2. 术语定义：

    • 表面分析：指对材料表面或近表面区域的化学成分、元素分布、分子结构、晶体结构、电子态及表面形貌等特性的分析技术。
    • 散射法：通过测量入射粒子（如光子、电子）与样品表面相互作用后散射的强度和角度来分析表面结构和成分的方法。
    • 吸附分析：研究气体或液体分子在固体表面吸附行为的技术，包括物理吸附和化学吸附。
    • 光电子能谱（PES）：一种利用高能粒子（如X射线或紫外线）激发样品表面原子或分子，测量逸出的光电子能量分布来确定表面元素种类和电子态的技术。
    • 二次离子质谱（SIMS）：通过轰击样品表面产生并检测二次离子，以分析表面和浅表层的元素组成和同位素比的技术。
    • 原子力显微镜（AFM）：利用探针在样品表面扫描，通过检测探针与样品间原子间力的变化来获得表面微观形貌信息的高分辨率成像技术。

  3. 分析深度与分辨率：标准还界定了分析技术所能达到的深度范围和空间分辨率，帮助用户根据分析需求选择合适的方法。

  4. 数据处理与解释：介绍了表面分析数据的基本处理方法和解释原则，确保分析结果的准确性和可比性。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 废止
  • 已被废除、停止使用，并不再更新
  • 1992-08-20 颁布
  • 1993-03-01 实施
©正版授权
GB/T 13592-1992表面分析术语_第1页
GB/T 13592-1992表面分析术语_第2页
GB/T 13592-1992表面分析术语_第3页
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文档简介

UDC620.18：001.4A42中华人民共和国国家标准GB/T13592-92表面分析术语Termsrelatingtosurfaceanalysis1992-08-20发布1993-03-01实施国家技术监督局发布

目次一主题内容与适用范围俄歇电子能谱术射线光电子能谱术二次离子质谱术55离子散射谱术附录A汉语拼音索引补充件）012附录B英文索引补充件》·（14）

中华人民共和国国家标准GB/T13592-92析术面分语Termsrelatingtosurfaceanalysis1主题内客与适用范围本标准规定了表面分析四种常用技术(俄歇电子能谱术、X射线光电子能谱术、二次离子质谱术和离子散射谱术)的基本术语。本标准适用于制订表面分析标准与编写技术文件和书刊时使用歌电子能谱术2.1歇电子能谱术Augerelectronspectroscopy用电子或其他激发源使样品原子的内电子壳层形成空位并发生俄歇过程.测量俄歇电子能量分布的技术。取英文字首简称AES。2.2俄歇过程Augerprocess内电子壳层有空位的原子通过发射电子的弛豫过程.2.3歇电子Augerelectron俄歇过程所发射的电子。2.4俄歇电子产额Augerclcctornyield在特定的内电子壳层有空位的原子，经俄歇过程而弛豫的几率2.5俄歇跃迁Augertransition俄歇跃迁以有关的电子壳层标志。一般用三个字母,第一字母表示初始空位所在的壳层，后两字母表示发生俄歌发射后形成的两个空位所在的壳层(如KLL,LMN)。当跃迁涉及键合电子时,用字母V表示(如LMV,KVV)。如果知悉跃迁有关的特定电子亚壳层,则可加亚壳层标志(如KL.L.)。如果合项已知,则也可注明合项(如LaMi.M,.,D)。对复杂的俄歇过程(如多重起始电离、附加的电子激发)可籽初态和终态用短划"-"分开(如LL-VV、K-VVV)。2.6Coster-Kronig跃迁Coster-Kronigtransition俄歇过程涉及的电子中有一个电子与初始空位在同一主壳层(如L,LM),则称此过程为Coster-Kronig跃迁。如果两个电子都与初始空位在同一主壳层(如M.M.M.),则称为超Coster-Kronig跃迁。2.7歇跃迁速率Augertransitionrate单位时间内，两个束缚电子发生能量状态跃迁的几率。在此跃迁中，一个电子填入内电子壳层的初始空位，而另一个电子则进入能量为正的连续区终态，2.8电离数面ionizationcross-section一入射粒子穿越气体或固体时发生电离碰撞的几率。总电离截面包括由初级电离碰撞和随后的Coster-Kronig或俄歌衰变过程所产生的所有电子空位。分电离截面则仅含某一特定过程产生的电子空位,例如在一特定壳

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