PN结及半导体二极管认识_第1页
PN结及半导体二极管认识_第2页
PN结及半导体二极管认识_第3页
PN结及半导体二极管认识_第4页
PN结及半导体二极管认识_第5页
已阅读5页，还剩9页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

PN结一.PN结的形成在同一片半导体基片上采用不同的掺杂工艺分别制造P型半导体和N型半导体，由于浓度的不同，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。PN

结具有单向导电性由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，阻止扩散运动的进行，但有利于少子的漂移，当扩散的多子和漂移的少子数目相等时，达到动态平衡，形成PN结。空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区中没有载流子。1、PN结加正向电压（正向偏置）内电场外电场变薄－－－－++++REPN+_外电场使耗尽层变窄，内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流。即为很大的正向电流，P区→N区，称为正向导通二.PN结的单向导电性2、PN结反向偏置P负N正，截止内电场外电场变厚外电场使耗尽层变宽，内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，形成漂移电流，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。N区→P区－－－－++++NP+_RE反向饱和电流3、PN结的反向击穿PN结处于反向偏置时，反向电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象称反向击穿。齐纳击穿：外加反向电压很大，形成很强的电场，直接破坏共价键，把电子拉出来，产生电子空穴对，使反向电流急剧增加。雪崩击穿：反向电压逐渐增加，电场加强，少子受到加速，高速运动可能将价电子碰撞出共价键，产生电子空穴对，产生的电子继续碰撞，像雪崩一样。齐纳击穿：6V以下，可恢复雪崩击穿：6V以下，不可恢复，短路报废三、PN结的伏安特性UI正向特性（u>0）反向特性（u<0）反向击穿部分四、PN结的电容效应（了解）在一定条件下，PN结具有电容效应：势垒电容，扩散电容半导体二极管的认识学习任务1、认识二极管2、了解二极管的特性3、掌握二极管的应用电路一、半导体二极管的结构和类型1、结构及符号PN结加上引线之后，进行封装，P区为正极，N区为负极点接触型：高频、小功率整流面接触型：整流平面型：大功率整流、开关符号2、类型①按材料分：硅二极管，锗二极管，砷化镓二极管等②按结构分：点接触型、面接触型等③按封装分：塑料、玻璃、金属④按用途分：开关、整流、稳压、发光、光电、变容等⑤按功率分：大功率、小功率等3、命名方法一般分为5个部分2AP2D数字表示电极数目字母表示材料A：N型锗材料B：P型锗材料C：N型硅材料D：P型硅材料字母表示类型或用途P普通管V微波管W稳压管

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论