第八批160本-模拟电子技术基础模电

绪论 第1章半导体二极管及其基本电 半导体的基础知 半导体 PN 半导体二极 半导体二极管的结 二极管的伏安特 二极管的参 10二极管基本电路及其分析方 12二极管的等效电 12二极管电路模型分析 14特殊二极 16稳压二极 16其他类型二极 19本章小 22复习思考 22习题 23第2章双极型晶体管及放大电路基 27双极型晶体 27晶体管的结构和类 27晶体管的电流分配和放大作 29晶体管的伏安特性曲 32晶体管的主要参 36放大电路的基本概 41放大的概 41放大电路的主要技术指 42放大电路的工作原 46放大电路的分析方 49放大电路的静态分 49微变等效电路分析 57放大电路静态工作点的稳 63温度对工作点的影 63射极偏置电 64晶体管单管放大电路的三种基本接 66共集电极基本放大电 66共基极基本放大电 68三种组态基本放大电路的比 70晶体管基本单管放大电路派生电 71复合管放大电 71其它复合管放大电 73多级放大电 73多级放大电路的耦合方 74多级放大电路的计 76本章小 79复习思考 80习 81第3章场效应管及其放大电 88场效应 88绝缘栅型场效应 88 93 95 96场效应管放大电路的分析方 97共源极基本放大电 97共漏极基本放大电 100场效应管与晶体管基本放大电路的比 102本章小 104复习思考 104习题 105第4章功率放大电 109概述 109互补功率放大电 110互补对称功率放大电路(OCL)及其工作原 110乙类双电源功率放大电路功率参数分析计 112其他类型互补对称功率放大电 114实用的甲乙类双电源互补对称功率放大电 114功率放大电路的安全运 116功放管的二次击 117功放管的散热问 117集成功率放大电 118集成功率放大电路的分 118集成功率放大电路的应 120本章小 1210”1--

本征半导体结构示意

半导体因为电子与空穴均参与导--+4+4+4+4+4+4+5+4+4+4+4P型半导体，控制掺入杂质元素的浓度，图1.1.3N原子定位在晶格上，又失去一个电子，就成为不能移动的正离子。在N型半穴为少数载流子，简称为多子、少子。N型半导体主要靠自由电子导电，掺1.1.4P

图1.1.4PPN结。由于两种载流子的浓度差很大，P区的空穴必然向NN区的电N区交界面附近自由电子浓度下NP区。作漂移运动，即P区的自由电子向NN

离子正离子自由电子_______________++++++++++++空间电空间电荷_ __ __ _+++++++++P N图11.5PN为<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(no<math<annotationencoding='MathType-MTEF'>压极性不同时，PN结表现出截然不如果将一个电源<!--L2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math

______________+++++++++++++++++_P__N____+++++++++P__N____+++++++++++++++++___________

图1.1.7Pn<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@<mathRPN结因正向电流过大而损坏。如果将一个电源<!--ML2(no<math

D s

和一个电阻R一个PN结串联构成一个回路电源的正极接到PN结的N端（或电源的负极接到PN结的P端，如图1.1.7所示。那么称PN结外动形成反向电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathML2.0(nonamespace)@--<math<mo<!--MathType@End@5@5@-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathPN结的电流；<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math为反向饱和电流，对于分立元件，其典型值<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<mathA的范围内，集成电路中的PN结，其<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math值则更小。<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<annotationencoding='MathType-MTEF'>为温度的电压当量，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math，q为电子的电量，k为常数。常温下，即T=300K时，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math。（1）当PN结的两端加正向电压时，电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math为正值，当<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（1.1.1namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math远大于1，故<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（2<!--(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math值为负值。若<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math大几倍时，指数项趋近于零，因此，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math1.1.8中反向电压部分。可见反向饱和电流是个常数<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math如图1.1.9所示。这种现象称为PN结的反向击穿（电击穿。发生击穿所需的反向电压<!-- namespace).tdl@MathML2.0(no<math

uuDu称为反向击穿电压。PN结电击穿后电流很大，承受的电压又很高，因降低后，PN结仍然恢复原来的状态。但有一个前提条件，就是反向电压和效的电容为势垒电容<!-- namespace)@--><math

C图1.1.10C 的关 namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathu1.1.10PN结外加反向电压时，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<mathPN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。PN结处于正向偏置时，从PNNP ①③PN正向电压下P区少子浓度的分布情况 ①③PN<math图1.1.11P与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math也具有非线性，它与流过PN 结的正向电流<!--<math，温度的电压当量<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math以及非平衡少子的τ有关。<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<mathτ<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math可见，PN结的结电容<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math一般都很小（1pFpP区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。16mA150MHz。400mA1.2.1（d）所示。N型N型锗P型支持衬底P型支持衬底金属触

外壳铝合金小球

阳极引NN

(

阳极 k阴阴极引

图

半导体二极管的结构及符点接触

面接触

集成电路中的平面

代表符i/m

i①①5 iD/5－40③③i

u 图12

硅二极管2CP10的V-I

图12

锗硅二极管？？？0的V-I特好象有一个门坎，硅管的门坎电压MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（又称死区电压）约为0.5V，锗管的<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math1.2.2的第②段，一般硅管的反向电流比锗管小很多。1.2.2的第③段。最大整流电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathPN<!--(namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math因反向击穿而损坏。一般手册上给出的最高反向工作电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math约为反向击穿电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math反向电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math是二极管未击穿时的反向电流。<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math越小，二极管的单向导电性能越好，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math最高工作频率<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<annotationencoding='MathType-MTEF'> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math参数最大整参数

型流电压分别作型流电压分别作频电号（峰值压为VV≥2≥5

反向击穿电压（反向电流为

正向电（正向

反向电（反向

最高 极参数最大整流电最高反向工作（峰值最高反向的反向电流正向压降（均值最高作频AVV0≤030≤035≤03u1.3.1（a）表示理想二极管的伏1.3.1（b）为理想二极管的1.3.2（a）是二极管恒压降模型的伏<!--

图1.31理想二极管伏安特uD图1.3.2二极管恒压降模型的<math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math二极管串联一个电压源<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math

uDuD图1.3.3二极管折线模型的即二极管的正向电压大于门坎电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@<math后其电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--(namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math1mA0.7V，所以<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathDDuDDuD△D △+△+△_d 图1.3.4二级管动态电阻的物理意义(b)曲线，即将二极管等效成一个动态电阻<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math的数值越小。利用二极管的电流方程（1.1.1）也可以求出<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math。 namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<mo <math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math>是Q+_1.3.5+_V远大于二极管的导通电压<!- 图1.3.5图1.3.5(nonamespace)@--><math，则可应用理想二极管模型，认为电阻R上电压<!--(nonamespace)@--><math>namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。1.3.5所示电路中的二极管，多数情况下可以采用恒压降模型，如果是硅管，<!--(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math；所以回路电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<annotationencoding='MathType-MTEF'>。型，此时回路电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。例1.3.11.3.6（a）所示，<!--(nonamespace)@--><math作点，即求<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math>（1）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math；（2）<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathRD+RD+u_+u_R 图1 (a)简单二极管电 (b)习惯画（ ）<!- <math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（2 ）<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math例1.3.2某限幅电路如图1.3.7（a）所示，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。（1 ）<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math>、4V、6V时，求相应的输出电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math（2）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math++Du_u++Du_uV _R+u+u__ R++R++u_Vu_63π0 图13.7例1.3.2的电(a限幅电路(b)限幅电路的折线模型(c)限幅电路的恒压降模型(d)u波形图解：（1）当<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math>namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math； namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math时，二极管回路外加正向电压总和（<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math合适，作等效电路如图1.3.7（b）所示，设<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。 namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math>时，二极管回路外加正向电压总和（<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math示。设<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math1.3.7(d)所示。UuIUuIIO阴 DUDUr 图1.4.1稳压管的伏安特性和等效电路 (b)符号和等效电(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（1）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math但就某一子而言，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（2）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math甚至根本不稳压，故也常将<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<annotationencoding='MathType-MTEF'> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（3）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--(namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（或记作<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math于一只具体的稳压管，可以通过其<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math的值，计算<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math（4）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math <math愈小，电流变化时<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<annotationencoding='MathType-MTEF'>的变化愈小，即稳压管的稳压特性愈好。对于不同型号的管子，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math将不同，从几欧到几十欧。对于同一子，工作电流愈大，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math（5）温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<annotationencoding='MathType-MTEF'>7V的管子具有正温度系数，即温度升高时稳定电压值上升；而4～7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零。<!--(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathR取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@++__++__1.4.2<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math；负载电阻<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。求限流电阻R从图1.4.2R<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<annotationencoding='MathType-MTEF'><!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math和负载电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math之和，即<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。R 上电压<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathGbbGaey41aqRaaeymaiaabcahaaWcbeqaaiaab2cacaqGZaaaaaaakiabgIKi7ka限流电阻R的取值范围为114～227<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math。

1.4.3（b）为发光二极管的符号。(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math正（颜波本1色长材0m时）V

W ）(mcd131~0砷10化。~9镓5500磷砷1006化61红5镓~~外5磷12红鲜63砷05红5化8~58镓2001033化~~5镓2865砷化21镓25~08~2222~24*cd（坎德拉）发光强度的单.～.V之间1.4.4(a)1.4.4(b)。受光面受光 受光 1.4.5（a）所示为光电二极管的伏安特性。在无光照时，与普通二极0.2mA。1.4.5（b（c电阻R 将电流的变化转换成电压的变化，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math

O照度O照度照度2照度iDR _DRu+ _(iRiR _图1.4.5光电二极管的伏安特性及等效接收信号的系统。在发射端，一个幅值为5V的脉冲信号通过<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math（LED5V的脉冲信号。+_脉冲串

光电二极管接收电路图

光电传输系5～300pF5∶1。C

521 25U可以用伏安特性曲线来描述PN结（二极管）的性能，也可以用数学式MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<mo复习思空间电荷区是由电子、空穴、正离子、负离子构成的？空间电荷区又称耗尽区，为什如果需要将PN结正向偏置，外接电压的极性如何确PNaPN结在无光照、无外加电压时，结电流为多少为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压6<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math）比较硅、锗两种二极管的性能，说明在工程实际中，为什么硅二极管用得较普能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么9．写出图题P1所示各电路的输出电压值，设二极管的正向导通电MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。D

+_

DRDURDU +RD_++RD_+RD_+RD_图题10向击穿？习1.1二极管电路如图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求输出电压MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的值。设二极管是理想的 3123123126 _

15 _ 3 3 15123612

_图题

_(namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math

+D+D+__namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的波形。设二极管是理想的R+++DuDu3V 3V 1.3路如图1.3示，已知<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math，二极管导通电压<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的波形，并标出幅值试判断图题1.4所示电路中二极管是导通还是截止，为什么？设二极管是理想25182518 25+18+1825D10 2_5 0

140kΩ+ 10( 15+25+2518V_2DB5A10(现有两只稳压管，它们的稳压值分别为6V9V，正向导通电压为0.7V。试问若将它们串联相接，可得到几种稳压值？各为多少若将它们并联相接，又可得到几种稳压值？各为多少<math，试分别绘出两个电路负载<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math两端的电压波形，设二极管是理想+_R+_R+u_+i_+_ 图题1.7已知稳压管的稳定电<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。试求1.7所示电路中电阻R的取值范围++++__R

已知图题1.8所示电路中稳压管的稳定电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math，最大稳定电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math。（1）分别计算<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的值 namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math时负载开路，则会出现什么现象？为什么电路如图题1.9（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math，R 取值合适，<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的波形R DRD Duu

+u

u_

6(61在图题1.10所示电路中，发光二极管导通电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发（2）R的取值范围是多少RSD+RSD2是电路的静态工作点（Q点有双极型晶体管(BipolarJunctionTransistorBJT)和单极型晶体管PNPN结之间的相互影响，使PN结完全不同的特性而具有电流放大（控制）能力。图图 体管的三个电极，它们分别叫作发射eb和集电c，每块对应的半2.1.2a可以看到。二氧化二氧化 NPc 2.1.2NPN型晶体管 这面已经讨论过，因此双极型晶体管有两个PN结：发射区与基区交界PNPNPN硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得P型基区，经氧化膜掩护后再在PN型发射区，表面是一层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电极。一般，NPN型晶体管都

上述两个条件时，晶体管内部载流子将产生如下运动过程（NPN晶体管PN结两边多数载IE应是上述两个电流之和，但由于发射区的掺杂浓度远大于基区，因此发射散电流不计，所以<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math在基区与电子复合的空穴浓度由接在基极的正电源<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math合和补充也将连续进行，由此形成的电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<annotationencoding='MathType-MTEF'> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math大多数电子通过集电结进入集电区而形成集电极电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math子的温度稳定性。因此在晶体管的生产制造过程中要尽量设法减小<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(no<math<annotationencoding='MathType-MTEF'>。BJTBJT来简单表示。 (nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math <mo

namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math为温度的等效电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathnamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math因而<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathKCL电流定理，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的晶体管放大电路。图中晶体管的基极是信号输入端，基极电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math是输入控制电流。集电极电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math射极电路。电路中直流电源MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math用来保证晶体管的发射结正偏，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@<math用来使集电结反偏。在待放大信号Δ<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@<math加入之前，晶体管发射结的正偏电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math，基极电流和集电极电流分别为<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math，此时电路的各电压和电流均为直流量。加入输入信号Δ<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math叠加，使发射结两端电压在原正偏电压的基础上开始按ΔMathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math集电极电流中会出现与Δ<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math相同规律变化的交流成分<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math且的幅值比<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math流电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math为10μA，则集电极交流电流<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<annotationencoding='MathType-MTEF'>4kΩ<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math为某一常数时，输入回路中加在晶体管基极和发射极之间的电压<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math与基极电流<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math <mo namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math的影响，在讨论输入特性曲线时，应使<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math(常数)。<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math2.1.6（a）<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math≥1V 时，<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math大部分拉到了集电结来，所以工程上通常用<!--((<math=1V的曲线来代替所有<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math≥1V namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math <mo namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math共发射极接法的输出特性曲线如图2.1.6（b）所示，它是以<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明当<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math=0V时,因集电极无收集作用<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math> namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><mathMathType@Translator@5@5@MathML2(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math ；<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math V； namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math≤0.7V。集电区收集电子的能力很弱，<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math决定。当<!-- namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math增加到使集电结反偏电压较大时，如<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math≥1 V， namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math≥0.7V，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<mathMathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随<!--MathType@Translator@5@5@MathML2nonamespace).tdl@MathML2.0nonamespace)@<math增大而右移的原因是一致的)①饱和区。当<!- <math<<!--MathType@Translator@5@5@MathML2(no<math(nonamespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@--><math namespace).tdl@MathML2.0(nonamespace)@