第3讲emi噪声源干扰功能有意无意

《电磁兼容设计概主讲教师：陈恒: ：第三EMI噪声•EMI噪声源•自然干•人为干EMI噪声源干扰功能：有意干扰；无意干耦合方式：传导干扰；辐射干时域特征：连续干扰；瞬态干干扰来源：自然干自然干来 系的电磁噪声：射电 来自大气雷的电生交变磁场，感应电压可高达上雷电的雷击形式：直击雷、感应 直接雷击示意雷雷云对大地放电产生的云层之间放电产生的电空中电磁场在导线上产地雷感应雷击示雷电的破坏作 雷电流变化梯度大，有的可达10KA/µs 雷电的破坏形在雷暴活动区域内，雷云直接通过、就会火灾和，而感应到正在联机的导线上就会对设备产生破坏性。感应雷：静电感 雷击浪雷击电源电源浪涌并不仅源于雷击，当电力系统出现短信号系统信号系统浪涌电压的主要来源是感应雷击、物体(如线)受到这些干扰信号的影电流

人为干依据干扰源的物理性质进依据CISPR对干扰源设备的类依据不同的噪声物理或电化学过程元器件的固有放电电磁波辐射半导体器件开关过程引起物理或电化学过程原电池电解摩擦电导线移动造成的原电池 (最易被腐蚀 3 69.不锈钢（未钝化10.铅锡焊141115121613钝化17.铜-镍合21.不锈钢(钝化18.221920.镍(钝化第五组232425阴(不易腐蚀电解噪声，摩擦及导线移动造成的两块相同的金属相互接触，当接触面间存造成金属腐蚀和损害，特别在大功率电力电子装置中，流过大电流的接线排，设备工作环境通常比较

避免电缆过度的弯曲或采用特殊的化学处理，使绝缘介质上建立电荷的可能性大大强烈机械的装置依据不同的噪声物理或电化学过程元器件的固有放电电磁波辐射半导体器件开关过程引起元器件的固有噪热噪源于电阻发 的电子 ，是一种随即的白噪声散粒噪电流流过势垒而产生的噪声，主要存在于电子管和半导器件接触噪爆裂噪存在于半导体二极管和集成电路中，起因于半导体器－Ｎ结中的金属杂质造成依据不同的噪声物理或电化学过程元器件的固有放电电磁波辐射半导体器件开关过程引起放电电晕放电噪声(高压线放电辉光弧光静电放电辉光放电和弧光一个大气压的空气中气体放电的全伏一安特性 OA:暗电流 CD:正常辉光放电AC:晕放电 DE:异常辉光放电 F:弧光放电 辉光放（Glow弧光放

弧光放电起弧示受热阳汽弧光放电，转换在1ns内产

接触距

电子受热阴静电放流动的空气当然能产电子亲合力序空人的皮石玻云人的头尼毛皮铅丝铝纸棉木钢封硬橡

聚脂薄环氧玻黄铜聚苯乙聚丙聚赛璐．Orlon聚乙聚丙聚乙烯基塑硅四氟乙静电感应

o o ++++++

50-100

100

50

500-10的静电放电模静电的电人体活动静电电位RH(10—RH(65—67从垫有聚氨基甲酸的工作椅上站RH:Relative常见半导体器件的静电放电易损电压参器件类型对静电放电的易损电压参考值（肖特基二极管300∽2500肖特基TTL1000∽2500双极晶体管BJT300∽7000ECL500∽1500可控硅(SCR)680∽1000JFET140∽7000MOSFET100∽200CMOS250∽3000GaAsFET100∽300EPROM100依据不同的噪声物理或电化学过程元器件的固有放电电磁波辐射半导体器件开关过程引起电磁波辐射噪 等各种发射 依据不同的噪声物理或电化学过程元器件的固有放电电磁波辐射半导体器件开关过程引起半导体器件开关过程和变流电路引起的（1）

SCR、GTO、BJT、在开、关过程中造成的噪声 （典型例子是开关电源大功率整流电路造成的功率半导体器件开关过程造成的电磁tt-tt-t-t两种1200V，150A大功率二极管不同正向电流下的反向SCR的开关过程造成0.1

t GTO（a）GTO开通时电流电压波 1200V，150A 在不同串联栅极电阻时开通波整流电路造成的谐波干扰~~（a）典型的电容滤波单相（b）网侧电流、电压波带电容滤波的单相桥典型的三相全桥可控整流电路造成~~~ ~~~主电路原

输入电压产生凹槽畸 技术的各种电力电子电路造成的电磁噪单个脉冲参数相同的三种脉冲列 高频开关电源造初次级分布

电磁波辐射

电磁波辐

放大放大

+分布电共模噪分电

依据干扰源的物理性质进依据CISPR对干扰源设备的类干扰源设备的工科医（射频）设工业设备用于科学研究的高压电力 绝缘子 放接触不良处的电力牵引内燃机点火声音和电视广本振频率的高低随的工作频段不同而不同。除