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文档简介
自测题第三章内部存储器1精选ppt选择1.字存储单元是指()。A.存放一个字节的存储单元B.存放一个机器字的存储单元C.存放一个二进制信息位的存储位元2.存储字长是指()。A.存放在一个存储单元中的二进制代码组合B.存放在一个存储单元中的二进制代码个数C.存储单元的个数D.存储单元的集合2精选ppt3.与外存储器相比,内存的特点是()。A.容量小、速度快、成本高B.容量小、速度快、成本低C.容量大、速度快、成本高D.容量大、速度快、成本低4.计算机的存储器采用分级存储体系(多级结构)的主要目的是()。A.便于读/写数据B.减小机箱的体积C.便于系统升级D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾3精选ppt5.某SRAM芯片,其存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目分别为()。A.64,16B.16,64C.64,8D.16,166、一个16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是()。A.48
B.46
C.36
D.527.某SRAM芯片,其容量为512×8位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最小数目是()。A.17
B.18
C.19
D.204精选ppt8.某计算机的字长是16位,它的存储容量是64KB,按字编址,它的寻址范围是()。A.64K[0~(64K-1)]B.32KB[0~32KB]C.32K[0~(32K-1)]D.64KB[0~64KB]9.某机字长32位,其存储容量为1MB。若按字编址,它的寻址范围是()。A.0~(1M-1)B.0~(512K-1)BC.0~(256K-1)D.0~256KB5精选ppt10.某计算机的字长是32位,其存储容量为4MB。若按半字编址,它的寻址范围是()。A.0~4MBB.0~2MBC.0~(2M-1)D.0~(1MB-1)
11、相联存储器是按()进行寻址的存储器。A.地址指定方式B.堆栈存取方式C.内容指定方式D.地址指定与堆栈存取方式结合6精选ppt12.交叉存储器实质是一种()存储器,它能()执行()独立的读/写操作。A.模块式,并行,多个B.模块式,串行,多个C.整体式,并行,一个D.整体式,串行,多个7精选ppt13.以下四种类型的半导体存储器中,以传送同样多的字为比较条件,则读出数据传输率最高的是()。A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.EPROM14.下列元件中存取速度最快的是()。A.CacheB.寄存器C.内存D.外存8精选ppt15.双端口存储器()情况下会发生读/写冲突。A.左端口与右端口的地址码不同B.左端口与右端口的地址码相同C.左端口与右端口的数据码相同D.左端口与右端口的数据码不同16.通常计算机的内存储器可采用()。A.RAM和ROMB.ROMC.RAM9精选ppt17.在程序的执行过程中,Cache与主存的地址映射是由()。A.操作系统来管理的B.程序员来调度的C.硬件自动完成的D.操作系统辅助相应的硬件来完成的18.64KB的内存容量为()。A.64000字节B.32768字节C.65536字节D.32000字节10精选ppt19.在Cache的地址映射中,若主存中的任意一块均可映射到Cache的任意一行的位置上,则这种方法称为()。A.全相联映射B.直接映射C.组相联映射D.混合映射20.DRAM地址分两次输入(行选通RAS和列选通CAS)的目的是()。A.缩短读/写时间B.减少芯片引出端线数C.刷新11精选ppt21.下列说法中正确的是()。A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.半导体DRAM是易失性的,而SRAM则不是C.SRAM只有在电源不掉的时候,所存信息是不易失的12精选ppt22.下列有关高速缓冲存储器Cache的说法正确的是()。A.只能在CPU之外B.CPU内外都可以设置CacheC.只能在CPU之内D.若存在Cache,CPU就不需要访问主存13精选ppt1.某DRAM芯片内部的存储元为128×128结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次。且刷新是顺序对128行的存储元进行的。设存储周期为500ns。求其刷新信号周期和刷新的开销(也即进行刷新操作的时间所占的百分比)。
计算14精选ppt【解】刷新信号周期为2ms/128=0.015625ms刷新操作的时间为500ns×128=64000ns刷新的开销64000ns/2000000ns=3.2%15精选ppt2.某计算机系统的内存储器由Cache和主存构成,Cache的存储周期为50ns,主存的存储周期为250ns。已知在一段给定的时间内,CPU访问整个存储体系4500次,其中访问主存500次。问:(1)Cache的命中率是多少?(2)CPU访问内存的平均时间是多少?(3)Cache-主存系统的效率是多少?16精选ppt【解】:(1)Cache的命中率H==(4500-500)/4500≈0.89(2)CPU访存的平均时间Ta=H·Tc+(1-H)Tm=0.89×50+(1-0.89)×250=44.5ns+27.5ns=72ns(3)Cache-主存系统的效率e=Tc/Ta=50/72=0.694=69.4%17精选ppt用16K×16位的SRAM芯片构成64K×32位存储器。问:(1)计算共需多少SRAM芯片。(2)画出该存储器的组成逻辑框图。(3)在图中标明地址线、数据线条数。
综合
18精选ppt【答】:因为存储器总容量为64K×32位=216×32,所以全部地址线16位(A0-A15),数据线32位。所需芯片总数为(64K×32)÷(16K×16)=4×2(片)而每个SRAM芯片容量为16K×16位=214
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