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文档简介

(SemiconductorTransistor)

晶体三极管一、结构、符号和分类NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：

NPN、PNP按使用频率分：

低频管、高频管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.51W大功率管>1WECBECB基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路

二、三极管认识实验IC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++RcIC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc三极管特性认识方法：IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05IC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc截止区：截止区：iB=0iC=00iB截止区：输出回路Ic=0输出回路在三极管处断开三极管截止输出回路电流IC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc放大区：截止区：iB=0iC=00iB放大作用放大区：iC=βiBiC/iB=β控制作用△iC=β△

iB△

iC/△

iB=βIC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc饱和区：截止区：iB=0iC=00iB放大区：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用饱和区：原因：输出回路电源提供最大电流为Ec/R饱和特征：ic=icmax=Ec/RUce=0（相当于ce短路）截止区：iB=0iC=00iB放大区：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用截止区：iB=0iC=00iB放大区：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用问题：iE

iB

iC三者之间什么关系？基尔霍夫电流定律：IE=IB+IC。IC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc小结：三极管的三种状态

截止区：iB=0iC=0饱和区：iB增加iC=常数（Ec/R）0iBIC输入回路输出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––+

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