TFT-LCD、LTPS和OLED技术教学讲解课件

TFT-LCD、LTPS和OLED

超级变变变科技成果部TFT-LCD、LTPS和OLED

超级变变变科技成果部1显示原理模型开关光源

显示原理模型显示单元由控制开关和显示光源组成。第一次变形第二次变形第三次变形第四次变形显示原理模型开关光源显示原理模型显示单元由控制开关和显示2一、LCD显示技术开关光源显示驱动开关液晶显示单元变LCD显示模型第一次变形一、LCD显示技术开关光源显示驱液晶显示单元变LCD显示模型3背光源偏光片液晶彩色滤光片偏光片液晶显示单元结构背光源偏光片液晶彩色滤光片偏光片液晶显示单元结构4偏光片原理偏光片有个固定的偏光轴。偏光片的作用就是只允许振动方向与偏光轴方向一致的光通过，而振动方向与偏光轴垂直的光被吸收。

偏光片就像“百叶窗”，可以控制光线的通过。偏光片原理偏光片有个固定的偏光轴。偏光片的作用5偏光片液晶(扭曲向列型液晶)偏光片1、控制液晶器件上的电压，可以控制液晶分子的扭曲程度，2、光线传输方向随液晶分子一起扭转，故可以通过控制电压，从而控制液晶器件的光透过率。液晶显示原理偏光片液晶偏光片1、控制液晶器件上的电压，6彩色滤光片原理彩色滤光膜的R、G、B三基色按一定图案排列，并与TFT基板上的TFT子象素一一对应（注意：一个象素由三个子象素组成）。背光源发出的白光，经滤光膜后变成相应的R、G、B色光。通过TFT阵列可以调节加在各个子象素上的电压值，从而改变各色光的透射强度。不同强度的RGB色光混合在一起，就实现了彩色显示。彩色滤光片原理彩色滤光膜的R、G、B三基色按一7色料着色方法成膜方法制造名称染料染色光学微影单层法(染色法)多层法染料分散光学微影蚀刻法彩色感光材料法印刷其他喷墨(InkJet)法颜料颜料分散光学微影蚀刻法彩色感光材料法转印法印刷凹版印刷法平版印刷法网版印刷法电镀光学微影其他电子照相法激光烧成法

彩色滤光片制造方法的分类色料着色方法成膜方法制造名称染料染色光学微影单层法(染色法)8LCD显示器结构

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃基板、TFT、彩色滤光片、溅射板、反射板等组成。玻璃基板偏光片漫射板溅射图案偏光片玻璃基板彩色滤光片液晶TFT反射板冷阴极灯管导光板冷阴极灯管选通点(子像素)LCD显示器结构

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃9LCD内部结构无钠玻璃数据线偏光片薄膜晶体管透明显示电极透明普通电极光线过滤层无钠玻璃偏光镜存储电容扩散体LCD内部结构无钠玻璃数据线偏光片薄膜晶体管透明显示电极透明10LCD显示器结构LCD显示器结构11二、OLED显示技术开关光源显示驱动开关OLED

显示光源变OLED显示模型第二次变形二、OLED显示技术开关光源显示驱OLED光源变OLED显示12OLED概念：

OLED(OrganicLight-EmittingDiode),即有机发光二极管。OLED是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子

注入和复合导致发光的现象。OLED概念：131947年美籍华裔教授邓青云在实验室中发现了有机发光二极体，也就是OLED，由此展开了对OLED的研究。1987年邓青云教授和VanSlyke采用了超薄膜技术，用透明导电膜作阳极，Alq3作发光层，三芳胺作空穴传输层，Mg/Ag合金作阴极，制成了双层有机电致发光器件。1990年Burroughes等人发现了以共轭高分子PPV为发光层的OLED，从此在全世界范围内掀起了OLED研究的热潮。邓教授被称为“OLED之父”，“沃尔夫”化学奖获得者，2014与诺贝尔奖失之交臂。OLED发展史1947年美籍华裔教授邓青云在实验室中发现了有机发光二极体，14OLED的阳极为薄而透明的铟锡氧化物(ITO)，阴极为金属组合物，而将有机材料层(包括电洞传输层、发光层、电子传输层等)包夹在其中。接通电流，阳极的电洞与阴极的电荷就会在发光层结合，发出光亮。根据包夹在其中的有机材料的不同，会发出不同颜色的光。OLED的阳极为薄而透明的铟锡氧化物(ITO)15

小分子发光材料(SMOLED)大分子发光材料(POLED)发光效率>15lm/W20lm/W加工方法真空热蒸发旋涂或喷涂(或喷墨印刷)优点容易彩色化，制作过程简单且稳定，材料合成及提纯较为容易设备成本低，器件构造简单，耐热性较好缺点设备成本较高，对湿气的抵抗性较差，蒸发效率低造成材料浪费，热稳定性与机械性能较差，驱动电压较高彩色化比较困难，科研开发进展缓慢OLED按发光材料分子大小分为小分子OLED和高分子OLED。小分子发光材料(SMOLED)大分子发光材料(POLED)16LCD和OLED结构对比背景灯偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩色滤光片背景灯发出的光线穿过/不穿过液晶体，然后由滤光片处理彩色像素。有机发光二极管能自动发光，只要向电极中输入电压，激活层就可产生所需要的彩色光。负极(金属)正极空穴传输层玻璃板光线电子传输层LCD和OLED结构对比背景灯偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩17TFT和OLED显示效果对比TFT和OLED显示效果对比18性能OLEDLCD发光机制自行发光，不需要背光需要背光显示亮度亮度高，可在阳光下显示亮度低，很难在阳光下使用反应速度很快，以微秒计，比LCD快1000倍很慢，以毫秒计会产生“拖影”现象显示失真很小很大，有水平和垂直视角失真视角所有方向都可超过160度有限制，尤其是垂直方向厚度可以小于2mm至少1cm以上柔软性用塑料基板可以做成能够弯曲的柔性显示面板不能做成可弯曲显示面板耗电极省，40寸彩电耗电80-100瓦采用CCFL背光的40寸彩电耗电290瓦成本低，比LCD低20%以上高寿命低，目前约5千小时寿命长，1万-5万小时OLED和LCD性能对比性能OLEDLCD发光机制自行发光，不需要背光需要背光显19三、TFT技术开关光源晶体管开关第三次变形变三、TFT技术开关光源晶体管第三次变形变20晶体管开关Transistor变成英文变薄变成薄膜薄膜Transistor变成英文ThinFilmTransistorTFT薄膜晶体管晶体管Transistor变成英文变薄变成薄膜薄膜Trans21

TFT概念TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动。薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。T(Transistor)是指晶体管。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。在TFT中的晶体管均为场效应晶体管，简称“场效应管”。

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晶体管及TFT结构保护膜半导体层(非晶硅)漏极源极像素电极(ITO)栅极绝缘膜栅极非晶硅TFT液晶屏的基本构造晶体管及TFT结构保护膜半导体层(非晶硅)漏极源极像素电极23硅Si(Silicon)硅（台湾、香港称矽xī）是一种化学元素，它的化学符号是Si。原子序数14，相对原子质量28.0855。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型硅半导体。硅是制作半导体元件的重要材料。原子结构图分子结构图硅外观图硅Si(Silicon)原子结构图分子结构图硅外观图24硅的分类1、硅分为有晶体硅和非晶硅两种同素异形体。2、晶体硅分为单晶硅和多晶硅。3、多晶硅按照制程温度分为低温多晶硅和高温多晶硅。硅Si晶体硅非晶硅α-Si单晶硅C-Si多晶硅P-Si低温多晶硅LTPS高温多晶硅HTPS硅分类图：硅的分类硅Si晶体硅非晶硅单晶硅多晶硅低温多晶硅LTPS高温25a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向图a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向图26硅结构电子迁移率应用像素开关驱动电路存储器硅结构电子迁移率应用像素开关驱动电路存储器27非晶硅TFT结构LTPSTFT结构底栅顶栅结构应用制程7层CMOS4-5层NMOS非晶硅TFT结构LTPSTFT结构底栅顶栅结构应用制程7层28垂直结构的a-Si:HTFT垂直结构的a-Si:HTFT29LTPS工艺部分LTPS工艺部分30非晶硅TFT、氧化物和低温多晶硅TFT对比表非晶硅TFT、氧化物和低温多晶硅TFT对比表31Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][连接电路][保护板]检查装配绑定[LCDPanel]液晶滴下真空贴合切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]涂布曝光[Mask]現像刻蚀剥离[TFT基板]重复[Glass基板]TFT面板制作流程Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤ32OLED面板制作流程OLED面板制作流程33四、有源阵列显示技术第四次变形变小变小四、有源阵列显示技术第四次变形变小变小348×8像素矩阵8×8像素矩阵35有源矩阵驱动无源驱动法有源驱动法ScanDriverDataDriverClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClc…像素像素像素像素像素像素像素像素像素C1C2CMR1R2RN…

~低功耗~高对比度~高分辨率矩阵驱动方式有源矩阵驱动无源驱动法有源驱动法ScanDriverDat36有源矩阵驱动结构无源矩阵驱动结构控制信号数据线像素栅极行信号列信号有源矩阵驱动结构无源矩阵驱动结构控制信号数据线像素栅极行信号37玻璃基板阴极阳极发光层阴极列信号阳极单色OLED行信号PMOLED在阴极和阳极线交叉处是OLED发光的像素区。在ITO阳极加上正电压，金属阴极上加负电压，交叉点像素就会有电流通过发光。缺点：非选通像素上的等效电容和电极间的漏电，会引起脉冲信号在电极间的串扰，导致交叉串扰现象，显示图像失真。无源矩阵驱动方式玻璃基板阴极阳极发光层阴极列信号阳极单色OLED行信号PMO38玻璃基板TFT像素电极电子传输层发光层空穴传输层有机层阴极封装层或盖板AMOLED是采用薄膜晶体管驱动的有机发光显示器，优点是：1）同一画面的各个像素是同时发光，发光亮度高、寿命长；2）各个像素独立控制，驱动电压也降低，耗电少，适合大面积显示；3）避免交叉串扰。有源矩阵驱动方式玻璃基板TFT像素电极电子传输层有机层阴极封装层39主动式驱动(有源驱动AMOLED)

有源驱动属于静态驱动方式，可独立控制每个像素的发光，易于实现高亮度和高分辨率。OLED驱动方式被动式驱动(无源驱动PMOLED)

分为静态驱动电路和动态驱动电路，静态容易出现交叉效应而动态则有占空比的问题，且驱动电压高，不适合用在大尺寸与高分辨率面板上主动式驱动(有源驱动AMOLED)OLED驱动方式被动式驱动40玻璃基底绝缘层A-Si:HTFT垂直电极数据线漏电极玻璃基板绝缘层a-Si:HTFT引线电极信号线漏极背光源栅极及扫描线导光板偏振片像素电极源极共用电极彩膜偏振片阵列单元像素结构玻璃基底绝缘层A-Si:HTFT垂直电极数据线漏电极玻璃基板41n+a-Si源极绝缘层栅线栅极信号线a-Si:H漏极TFT像素电极绝缘层邻栅线存储电容ClcCs彩膜基板TFT阵列基板液晶层液晶层电容阵列单元像素结构n+a-Si源极绝缘层栅线栅极信号线a-Si:H漏极TFT像42等效电路TFTClcCs彩膜基板TFT阵列基板液晶层液晶层电容液晶层ClcTFTCs等效电路TFTClcCs彩膜基板TFT阵列基板液晶层液晶43等效电路等效电路44有源矩阵液晶显示器的驱动有源矩阵液晶显示器的驱动45显示颜色的形成颜色颜色值R(红色)0-255G(绿色)0-255B(蓝色)0-255共可现实1678万种颜色人眼可识别13-18万种颜色颜色显示模式-RGB模式人眼对空间的分辨距离约为0.1mm，而像素三原色间距小于0.1mm,故可以看到三原色的混色。显示颜色的形成颜色颜色值R(红色)0-255G(绿色)0-246动态画面的形成

人之所以可以看到连续动态的画面是利用了人的“视觉暂留”原理。人的视觉暂留时间是0.1-0.4秒，极限为0.025秒。而显示器的扫描周期周期低于0.1秒，故可以可以看到连续的画面。(电影每秒24帧，每帧1/24秒；

电视每秒60帧以上，每帧1/60秒。)tF=16.7mstg(gateontime)G0G1G2G3+––V1+V2–V3offoffoffonononoffoffoffoffoffoffCst有源阵列扫描动态画面的形成tF=16.7m47总结LCD：液晶显示。液晶面板由背光板、偏光片、玻璃基板、TFT、彩色滤光片等组成。由电压控制液晶分子的扭转角度来控制液晶显示。OLED:有机发光二极管

，显示器的另一种显示方式。由二极管发光进行显示。TFT：薄膜晶体管。作为像素显示的开关，组成像素控制电路。α-S和LTPS：非晶硅和低温多晶硅，均为硅按照部分分类方法得到的子类。为TFT像素开关源极和漏极之间的半导体材料。低温多晶硅的电子迁移率显著高于非晶硅。液晶显示器的驱动原理：无源矩阵和有源矩阵。阵列基板：最常用的是非晶硅薄膜晶体管阵列，每一个像素都由栅极、绝缘层、a-Si:H有源层、n+a-Si欧姆接触层、源极、漏极、像素电极、扫描线、信号线、引线电极、存储电容组成。总结LCD：液晶显示。液晶面板由背光板、偏光片、玻璃基板48技术没有尽头未来如何变化我们共同期待。

THANKS！技术没有尽头49TFT-LCD、LTPS和OLED

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超级变变变科技成果部50显示原理模型开关光源

显示原理模型显示单元由控制开关和显示光源组成。第一次变形第二次变形第三次变形第四次变形显示原理模型开关光源显示原理模型显示单元由控制开关和显示51一、LCD显示技术开关光源显示驱动开关液晶显示单元变LCD显示模型第一次变形一、LCD显示技术开关光源显示驱液晶显示单元变LCD显示模型52背光源偏光片液晶彩色滤光片偏光片液晶显示单元结构背光源偏光片液晶彩色滤光片偏光片液晶显示单元结构53偏光片原理偏光片有个固定的偏光轴。偏光片的作用就是只允许振动方向与偏光轴方向一致的光通过，而振动方向与偏光轴垂直的光被吸收。

偏光片就像“百叶窗”，可以控制光线的通过。偏光片原理偏光片有个固定的偏光轴。偏光片的作用54偏光片液晶(扭曲向列型液晶)偏光片1、控制液晶器件上的电压，可以控制液晶分子的扭曲程度，2、光线传输方向随液晶分子一起扭转，故可以通过控制电压，从而控制液晶器件的光透过率。液晶显示原理偏光片液晶偏光片1、控制液晶器件上的电压，55彩色滤光片原理彩色滤光膜的R、G、B三基色按一定图案排列，并与TFT基板上的TFT子象素一一对应（注意：一个象素由三个子象素组成）。背光源发出的白光，经滤光膜后变成相应的R、G、B色光。通过TFT阵列可以调节加在各个子象素上的电压值，从而改变各色光的透射强度。不同强度的RGB色光混合在一起，就实现了彩色显示。彩色滤光片原理彩色滤光膜的R、G、B三基色按一56色料着色方法成膜方法制造名称染料染色光学微影单层法(染色法)多层法染料分散光学微影蚀刻法彩色感光材料法印刷其他喷墨(InkJet)法颜料颜料分散光学微影蚀刻法彩色感光材料法转印法印刷凹版印刷法平版印刷法网版印刷法电镀光学微影其他电子照相法激光烧成法

彩色滤光片制造方法的分类色料着色方法成膜方法制造名称染料染色光学微影单层法(染色法)57LCD显示器结构

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃基板、TFT、彩色滤光片、溅射板、反射板等组成。玻璃基板偏光片漫射板溅射图案偏光片玻璃基板彩色滤光片液晶TFT反射板冷阴极灯管导光板冷阴极灯管选通点(子像素)LCD显示器结构

液晶面板由背光板，偏光片、玻璃58LCD内部结构无钠玻璃数据线偏光片薄膜晶体管透明显示电极透明普通电极光线过滤层无钠玻璃偏光镜存储电容扩散体LCD内部结构无钠玻璃数据线偏光片薄膜晶体管透明显示电极透明59LCD显示器结构LCD显示器结构60二、OLED显示技术开关光源显示驱动开关OLED

显示光源变OLED显示模型第二次变形二、OLED显示技术开关光源显示驱OLED光源变OLED显示61OLED概念：

OLED(OrganicLight-EmittingDiode),即有机发光二极管。OLED是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子

注入和复合导致发光的现象。OLED概念：621947年美籍华裔教授邓青云在实验室中发现了有机发光二极体，也就是OLED，由此展开了对OLED的研究。1987年邓青云教授和VanSlyke采用了超薄膜技术，用透明导电膜作阳极，Alq3作发光层，三芳胺作空穴传输层，Mg/Ag合金作阴极，制成了双层有机电致发光器件。1990年Burroughes等人发现了以共轭高分子PPV为发光层的OLED，从此在全世界范围内掀起了OLED研究的热潮。邓教授被称为“OLED之父”，“沃尔夫”化学奖获得者，2014与诺贝尔奖失之交臂。OLED发展史1947年美籍华裔教授邓青云在实验室中发现了有机发光二极体，63OLED的阳极为薄而透明的铟锡氧化物(ITO)，阴极为金属组合物，而将有机材料层(包括电洞传输层、发光层、电子传输层等)包夹在其中。接通电流，阳极的电洞与阴极的电荷就会在发光层结合，发出光亮。根据包夹在其中的有机材料的不同，会发出不同颜色的光。OLED的阳极为薄而透明的铟锡氧化物(ITO)64

小分子发光材料(SMOLED)大分子发光材料(POLED)发光效率>15lm/W20lm/W加工方法真空热蒸发旋涂或喷涂(或喷墨印刷)优点容易彩色化，制作过程简单且稳定，材料合成及提纯较为容易设备成本低，器件构造简单，耐热性较好缺点设备成本较高，对湿气的抵抗性较差，蒸发效率低造成材料浪费，热稳定性与机械性能较差，驱动电压较高彩色化比较困难，科研开发进展缓慢OLED按发光材料分子大小分为小分子OLED和高分子OLED。小分子发光材料(SMOLED)大分子发光材料(POLED)65LCD和OLED结构对比背景灯偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩色滤光片背景灯发出的光线穿过/不穿过液晶体，然后由滤光片处理彩色像素。有机发光二极管能自动发光，只要向电极中输入电压，激活层就可产生所需要的彩色光。负极(金属)正极空穴传输层玻璃板光线电子传输层LCD和OLED结构对比背景灯偏光片玻璃板液晶玻璃板偏光片彩66TFT和OLED显示效果对比TFT和OLED显示效果对比67性能OLEDLCD发光机制自行发光，不需要背光需要背光显示亮度亮度高，可在阳光下显示亮度低，很难在阳光下使用反应速度很快，以微秒计，比LCD快1000倍很慢，以毫秒计会产生“拖影”现象显示失真很小很大，有水平和垂直视角失真视角所有方向都可超过160度有限制，尤其是垂直方向厚度可以小于2mm至少1cm以上柔软性用塑料基板可以做成能够弯曲的柔性显示面板不能做成可弯曲显示面板耗电极省，40寸彩电耗电80-100瓦采用CCFL背光的40寸彩电耗电290瓦成本低，比LCD低20%以上高寿命低，目前约5千小时寿命长，1万-5万小时OLED和LCD性能对比性能OLEDLCD发光机制自行发光，不需要背光需要背光显68三、TFT技术开关光源晶体管开关第三次变形变三、TFT技术开关光源晶体管第三次变形变69晶体管开关Transistor变成英文变薄变成薄膜薄膜Transistor变成英文ThinFilmTransistorTFT薄膜晶体管晶体管Transistor变成英文变薄变成薄膜薄膜Trans70

TFT概念TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动。薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。T(Transistor)是指晶体管。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。在TFT中的晶体管均为场效应晶体管，简称“场效应管”。

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晶体管及TFT结构保护膜半导体层(非晶硅)漏极源极像素电极(ITO)栅极绝缘膜栅极非晶硅TFT液晶屏的基本构造晶体管及TFT结构保护膜半导体层(非晶硅)漏极源极像素电极72硅Si(Silicon)硅（台湾、香港称矽xī）是一种化学元素，它的化学符号是Si。原子序数14，相对原子质量28.0855。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型硅半导体。硅是制作半导体元件的重要材料。原子结构图分子结构图硅外观图硅Si(Silicon)原子结构图分子结构图硅外观图73硅的分类1、硅分为有晶体硅和非晶硅两种同素异形体。2、晶体硅分为单晶硅和多晶硅。3、多晶硅按照制程温度分为低温多晶硅和高温多晶硅。硅Si晶体硅非晶硅α-Si单晶硅C-Si多晶硅P-Si低温多晶硅LTPS高温多晶硅HTPS硅分类图：硅的分类硅Si晶体硅非晶硅单晶硅多晶硅低温多晶硅LTPS高温74a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向图a-SiP-Si非晶硅和多晶硅晶向图75硅结构电子迁移率应用像素开关驱动电路存储器硅结构电子迁移率应用像素开关驱动电路存储器76非晶硅TFT结构LTPSTFT结构底栅顶栅结构应用制程7层CMOS4-5层NMOS非晶硅TFT结构LTPSTFT结构底栅顶栅结构应用制程7层77垂直结构的a-Si:HTFT垂直结构的a-Si:HTFT78LTPS工艺部分LTPS工艺部分79非晶硅TFT、氧化物和低温多晶硅TFT对比表非晶硅TFT、氧化物和低温多晶硅TFT对比表80Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][连接电路][保护板]检查装配绑定[LCDPanel]液晶滴下真空贴合切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]涂布曝光[Mask]現像刻蚀剥离[TFT基板]重复[Glass基板]TFT面板制作流程Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤ81OLED面板制作流程OLED面板制作流程82四、有源阵列显示技术第四次变形变小变小四、有源阵列显示技术第四次变形变小变小838×8像素矩阵8×8像素矩阵84有源矩阵驱动无源驱动法有源驱动法ScanDriverDataDriverClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClc…像素像素像素像素像素像素像素像素像素C1C2CMR1R2RN…

~低功耗~高对比度~高分辨率矩阵驱动方式有源矩阵驱动无源驱动法有源驱动法ScanDriverDat85有源矩阵驱动结构无源矩阵驱动结构控制信号数据线像素栅极行信号列信号有源矩阵驱动结构无源矩阵驱动结构控制信号数据线像素栅极行信号86玻璃基板阴极阳极发光层阴极列信号阳极单色OLED行信号PMOLED在阴极和阳极线交叉处是OLED发光的像素区。在ITO阳极加上正电压，金属阴极上加负电压，交叉点像素就会有电流通过发光。缺点：非选通像素上的等效电容和电极间的漏电，会引起脉冲信号在电极间的串扰，导致交叉串扰现象，显示图像失真。无源矩阵驱动方式玻璃基板阴极阳极发光层阴极列信号阳极单色OLED行信号PMO87玻璃基板TFT像素电极电子传输层发光层空穴传输层有机层阴极封装层或盖板AMOLED是采用薄膜晶体管驱动的有机发光显示器，优点是：1）同一画面的各个像素是同时发光，发光亮度高、寿命长；2）各个像素独立控制，驱动电压也降低，耗电少，适合大面积显示；3）避免交叉串扰。有源矩阵驱动方式玻璃基板TFT像素电极电子传输层有机层阴极封装层88主动式驱动(有源驱动AMOLED)

有源驱动属于静态驱动方式，可独立控制每个像素的发光，易于实现高亮度和高分辨率。OLED驱动方式被动式驱动(无源驱动PMOLED)

分为静态驱动电路和动态驱动电路，静态容易出现交叉效应而动态则有占空比的问题，且驱动电压高，不适合用在大尺寸与高分辨率面板上主动式驱动(有源驱动AMOLED)OLED驱动方式被动式驱动89玻璃基底绝缘层A-Si:HT