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文档简介
材器 物推荐读物thestoryofsemiconductors,J.Orton,OxfordUniversityPress,《半导体的故事》姬扬译,中国科学技术大 2014年7月 (1988).固体物理学,高等教 ,朱秉升,罗晋生(2008).半导体物理学,电子工 ,C.(2001).IntroductiontoSolidStatePhysics,JohnWiley&施敏(2002).半导体器件物理与工艺(第二版),苏州大 施敏(2001).现代半导体器件物理,科 材 的要发现和改进材料的过公元前3000年左右发现可以将铜熔化,纯铜 是1083摄氏度-%公元前1000年左右,发现铁在和工具中的优势更大,虽然铁的熔先要获得高纯度的基质材料(提纯然后再用恰当的处理方式(比如说掺杂)—常重要的物理量信息的时导体的世
晶体Moreis
冯端 物理学奖看半导体科学的发1909年布劳恩CarlBraun因为无线电报的尔奖,布劳恩的贡献1956年,巴丁JohnBardeen、布拉顿WalterBrattain和肖克利William1973年,江崎LeoEsaki因为半导体中的隧穿效应而获1977年莫特NeveilMott PhilipAnderson因为非晶半导体而获奖1985年,克利钦KlausvonKlitzing因为量子霍尔效应而获奖1998年劳克林RobertLaughlin、斯托默HorstStormer和崔琦DanielTsui因2000年阿尔弗雷夫ZhoresAlferov、克罗默HerbKroemer和基尔比Jack2009年,高锟因为光纤而获奖 WillardS.Boyle和史密(GeorgeE.Smith因发明电荷耦合器件CCD图像传感器而获奖2010年盖姆AndreGeim和诺沃 什么是半导有多少种半导600多IV半导 石结构,共价键 负性差异更大,共价性更弱。半导 子 •导固体液体
半导绝缘
元素半导化合物半室温时电阻 体半导体研究早期情1833硫化银的电导,第一次观察到电阻的负温度系1837年,贝克勒尔在电解液电池发现光伏效应,AdamsDay(1876)在Se硒中发现光伏1874年布劳恩在一些硫化物表面发现整流效电阻率的负温度光电导效光伏效整流效应有多少种半导600多IV半导 石结构,共价键 负性差异更大,共价性更弱。半导体重要指半导体固体物理学基半导体晶体结石结——嵌套的面心立方结半导体晶体结闪锌矿结——嵌套的面心Kelly,M.J.(1995).Low-dimensionalsemiconductors,ClaredonPress.pp2GaAs,InAs,半导体晶体结闪锌矿结构的布里渊Kelly,M.J.(1995).Low-dimensionalsemiconductors,ClaredonPress.pp3半导体晶体结能带Kelly,M.J.(1995).Low-dimensionalsemiconductors,ClaredonPress.pp4半导体晶体结六方密堆结Be,Cd,Mg,Nd半导体晶体结纤锌矿结——嵌套的六方密堆结许多种II-VI族化ZnO晶体分 则能带结构不闪锌矿结 纤锌矿结Dyakonov,M.I.(2008).SpinPhysicsinSemiconductors,SpringerVerlag.半导体材料的生——拉晶Czochralskimethod,Bridgman施敏(2002).半导体器件物理与工艺(第二版),苏州大 .Yu,P.Y.andM.Cadona(2003).FundmentalsofSemiconductors edition), 半导体材料的生——化学气相外 .Yu,P.Y.andM.Cadona(2003).FundmentalsofSemiconductors edition), 半导体材料的生——分子束外延法 Yu,P.Y.andM.Cadona(2003).FundmentalsofSemiconductors edition), 半导体材料的生——分子束外延法Molecular-beamepitaxysystemwithtwogrowthchambers半导 研究半导体材料的生——能带工Capasso,F.(1987)."Band-GapEngineering:FromPhysicsandMaterialstoNewSemiconductorDevices."Science235:172-176.调制掺2DEGinGaAs/AlGaAsArenaformesoscopicGaAsGaAsAlGaAs/GaAs
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of —— .——电流-电压
施敏(2002).半导体器件物理与工艺(第二版),苏州大 .——量子霍尔Klitzing,K.v.,Dorda,G.,Pepper,M.(1980)."NewMethodforAccurac
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