02340线性电子电路2013年04月试卷_第1页
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02340#线性电子电路试题第12页(共12页)绝密★考试结束前浙江省2013年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340本试卷分A、B卷,使用1999年版本教材的考生请做A卷,并将答题纸上卷别“A”涂黑;使用2010年版本教材的考生请做B卷,并将答题纸上卷别“B”涂黑。不涂或全涂,均以B卷记分。请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。A卷选择题部分注意事项:1.答题前,考生务必将自己的考试课程名称、姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。2.每小题选出答案后,用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。不能答在试题卷上。一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1.稳压二极管是利用PN结的______制成的。A.正向导通特性 B.反向截止特性C.温度特性 D.反向击穿特性2.晶体三极管工作在放大状态时,其两个PN结的偏置状态是A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏3.晶体管共发射极放大电路,若测得VCEQ≈0,则可以判断该晶体管工作在A.放大状态 B.饱和状态C.截止状态 D.击穿状态4.晶体管共发射极放大电路的信号是从A.基极输入,集电极输出 B.发射极输入,集电极输出C.基极输入,发射极输出 D.集电极输入,发射极输出5.两个相同的单级放大电路组成两级放大电路时,在原单级放大电路的截止频率处,总的电压增益比总中频电压增益下降了A.3dB B.6dBC.9dB D.20dB6.电流串联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是A.输入电阻增大、输出电阻增大 B.输入电阻减小、输出电阻增大C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻减小、输出电阻减小7.场效应管的低频跨导gm是描述______的控制作用大小的参数。A.栅源电压对漏极电压 B.栅极电流对漏极电压C.栅源电压对漏极电流 D.栅极电流对漏极电流8.差动放大电路,已知输入信号Vi1=300mV,Vi2=100mV,则共模信号Vic和差模信号Vid分别为A.Vic=200mVVid=200mV B.Vic=400mVVid=200mVC.Vic=200mVVid=100mV D.Vic=400mVVid=100mV9.实现Vo=-(Vi1+Vi2)的运算,应采用______运算电路。A.反相比例 B.反相积分C.反相求和 D.同相比例10.基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易使电路输出信号产生______失真。A.截止 B.饱和C.双向 D.频率11.反相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是A. B.C. D.12.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则反馈深度的表达式是A. B.1-AkfC.Akf D.1+Akf13.设计一负反馈放大器,实现电流——电压的变换,应引入A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈14.在题14图所示电路中,两个二极管的工作状态是A.D1导通,D2截止 B.D1截止,D2导通C.D1和D2都截止 D.D1和D2都导通15.在集成运算放大器的输出级采用互补对称电路是为了题14图A.提高输出电压 B.提高带负载能力C.提高输出电流 D.提高共模抑制比非选择题部分注意事项:用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上,不能答在试题卷上。二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)16.根据PN结的电容特性,其结电容由扩散电容和______两部分组成。17.晶体管三个极的直流电位为V1=6V,V2=2.3V,V3=3V,则管子工作在______区。18.电路的闭环增益为100时,基本放大器的增益变化10%,反馈放大器的闭环增益相应地变化1%,则此时电路的开环增益为______。19.在集成运算放大器中,为了克服温漂,输入级一般采用______放大电路。20.场效应管属于______控制电流的器件。21.集成运算放大器最大输出电压为±Vom,若该运放工作在负反馈状态,则输出电压范围是______。22.在放大电路中,为了有效的引入串联负反馈,希望信号源的内阻______。23.放大电路的中频增益为60dB,则在截止频率处,实际的增益为______dB。24.理想集成运放的开环放大倍数为______。25.MOS管用作放大应用时,工作状态应选在______。三、简答题(本大题共3小题,每小题5分,共15分)26.题26图为晶体三极管固定偏置式放大电路的输出特性曲线和交、直流负载线,试由图确定静态工作点Q(IBQ、ICQ、VCEQ)、直流电源电压Vcc和不失真输出电压幅度Vom。题26图27.如题27图所示电路,设二极管的正向压降VD(on)=0.7V,R1=500Ω,R2=2kΩ,试估算A点的电位VA和流过二极管的电流ID。题27图28.设计一反相加法器,使其输出电压Vo=-(5Vi1+4Vi2),要求Rf=100kΩ,试画出电路图,并确定各支路的电阻。四、分析计算题(本大题共5小题,每小题9分,共45分)29.放大电路如题29图所示,设所有电容对交流均视为短路。已知β=100,VBE(on)=0.7V,rbb’=200Ω,rce可忽略不计。(1)估算静态工作点Q(ICQ、VCEQ);(2)画出交流小信号等效电路图;(3)求电压放大倍数AV=Vo/Vi和输出电阻Ro。题29图30.如题30图所示差分放大电路,设两管的特性相同,已知场效应管的gm=10ms,电流源的内阻r0=100kΩ,求:(1)差模电压放大倍数Avd=Vo/Vi;(2)差模输入电阻Rid和输出电阻Rod;(3)共模抑制比KCMR。题30图31.如题31图所示反馈放大电路,(1)说明反馈元件,并判断级间交流反馈类型和极性;(2)若电路满足深度负反馈的条件,求反馈系数F和闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi。题31图32.如题32图所示电路,设集成运放均为理想的,电容的初始电压为0。(1)求Vo1、Vo的表达式;(2)说明A1、A2组成何种功能电路。题32图33.如题33图所示电路,双向稳压管Vz=9V,VREF=3V,运放的最大输出电压±14V。(1)画出电压比较特性(Vo~Vi的关系曲线),求出门限电压VIH、VIL;(2)当Vi(t)=10sinωt(V)时,画出输出电压Vo(t)的波形。题33图B卷选择题部分注意事项:1.答题前,考生务必将自己的考试课程名称、姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。2.每小题选出答案后,用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。不能答在试题卷上。一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1.理想情况下,根据PN结的伏安特性,正偏电压减小时,将使A.正向电流增大 B.正向电流减小C.反向饱和电流增大 D.反向饱和电流几乎不变2.稳压二极管在稳压状态时,它的PN结处在______状态。A.反向截止 B.反向击穿C.正向导通 D.零偏3.晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体管处于______状态。A.零偏 B.反偏C.正偏 D.无法确定4.如题4图,在晶体三极管的三个电极C、E、B中,已知IC=2.95mA,IB=50μA,则IE为A.3.05mAB.2.95mAC.3mAD.0mA题4图5.晶体三极管工作在截止区时,要求A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏6.运算放大器电路如题6图所示,输入电压ui=3V,则输出电压uO等于A.3VB.正饱和值C.负饱和值D.0题6图7.用万用表测得NPN型晶体三极管的直流电位分别为UE=4V,UB=4.7V,UC=4.3V,则三极管的工作状态为A.放大状态 B.截止状态C.饱和状态 D.击穿状态8.晶体三极管的工作特点是A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压C.输入电压控制输出电压 D.输入电压控制输出电流9.理想运算放大器的差模输入电阻ri为A.无穷大 B.零C.约几百欧姆 D.不确定10.晶体三级管开关应用时,当相当于闭合时,该管处于A.放大区 B.饱和区C.截止区 D.击穿区11.某放大电路的增益为1000,则dB数为A.60dB B.80dBC.100dB D.120dB12.选用差动放大电路的最大优点是A.差模电压放大倍数高 B.输入阻抗高C.输出阻抗小 D.温漂小13.某场效应管,在漏、源保持不变的情况下,栅、源电压UGS变化2V时,相应的漏极电流变化4mA,该管的跨导是A.2mA/V B.0.5V/mAC.无法确定 D.8mA/V14.放大器引入负反馈后,它的电压放大倍数和信号失真情况是A.放大倍数下降,失真减小B.放大倍数下降,失真加大C.放大倍数增大,失真不变D.放大倍数增大,失真减小15.如题15图所示,欲构成反相积分运算电路,则虚线框内应连接元件为A.电阻元件题15图B.电感元件C.电容元件D.导线直接联结非选择题部分注意事项:用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上,不能答在试题卷上。二、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)16.在N型半导体中,多数载流子是______。17.晶体二极管是由PN结组成的,其中接到P型半导体的引线称为______。18.晶体三极管又称双极型晶体管,分为NPN和______两种结构。19.晶体三极管有三种工作模式,分别是______模式,饱和模式和截止模式。20.场效应管则是一种电压型控制器件,是指______电压控制漏源电流。21.电流源电路是提供恒定电流的一类电子线路,它的主要参数是提供的输出电流IO和电流源电路的______。22.场效应管放大电路有三种基本组态,分别是:______、共漏和共栅。23.负反馈的四种组态分别是电压串联负反馈、电流串联负反馈、______、电流并联负反馈。24.要使集成运放工作在线性区,则必须在电路中引入______反馈。25.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的输出电阻、无限大的差模电压增益和______抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。三、简答题(本大题共3小题,每小题5分,共15分)26.在题26图所示的二极管限幅电路中,输入电压为正弦波,其幅值为9V,试画出输出电压的波形。题26图27.根据题27图所示的转移特性曲线判断它们各代表什么类型什么沟道的MOSFET?如果是增强型MOSFET,请说出它的开启电压UGS(th),如果是耗尽型MOSFET,请输出它的夹断电压UGS(off)及饱和漏极电流IDSS。题27图28.题28图,若UCC=12V,UBB=6V,R1=10kΩ,R2=47kΩ,RC=1kΩ,晶体管的β=40。问输入UB为4V时晶体管的工作状态。题28图四、分析计算题(本大题共5小题,每小题9分,共45分)29.题29图所示,设UCC=12V,RC=2kΩ,RB1=36kΩ,RB2=24kΩ,RE=2kΩ,RL=5.1kΩ,三极管的β=100,UBE=0.6V。计算静态工作点IB、IC、UCE。题29图30.题30图所示,已知晶体管T的β=100,RB=5kΩ,RC=5.8kΩ,VCC=12V,u=15sinωtmV,rbe=2.6kΩ.(1)画出该电路的小信号等效模型;(2)求三极管的交流电流ib、ic和电压uce的表达式。题30图31.电路如题31图所示,求输出电压u0。题31图32.题32图所示差分放

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