硅片检测设备课件

太阳电池用硅片外观检测装置ＴＤ２００2010年11月株式会社安永CE事業部営業部門太阳电池用硅片2010年11月特征太阳能电池用硅片外观检测综合提案硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面）硅片尺寸・形状测定不可视内部裂痕检查（0°/90°2阶段检查）硅片4边edge详细缺陷检查硅片edge侧面厚度测定３Ｄ检测（厚度,TTV,线痕

,段差,棱线,翘曲）高速检查

1.0sec/wafer对应单晶以及多晶硅片

对应金刚线加工硅片特征太阳能电池用硅片外观检测综合提案检查系统构成图Edge检查

–左Edge检查-

右不可视裂痕检查（NVCD）0°上表面检查Edge检查

–

后Edge检查–前不可视裂痕检查（NVCD）

90°下表面检查硅片90°转向3D激光检查To传送分选部检查系统构成图Edge检查–左Edge检查-右不可视裂动作录像动作录像基本配置硅片类型单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形状无去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～处理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部标准式样：对应硅片清洗箩筐（上料部数：2处）

*可对应摞片式、以及客户专用式样。下料/分选部标准式样：摞片分装（t200um硅片时，130片/段）良品可分装段数：8（4段×2处）

不良品分装数：7（1段×7处）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段装置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm装置重量约1,500kg电源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空气0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片类型单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片）硅片尺寸检查项目一览检查项目检查精度／可测大小检查位置检测装置式样

外形大小（全长／全宽）100um以内（3σ）上下表面检查部2000pix线扫描摄像头视野:约170mm检查分辨率：约85um/pix

直径大小200um以内（3σ）

去边长度300um以内（3σ）

角度0.1°以内（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

针孔(气孔)□100um以上不可视裂痕NVCD检查部（0°,90°）4000pix线扫描摄像头视野:约184mm检查分辨率

:约46um/pix

内部裂痕100um×1mm以上

异物□100um以上

崩边30um×1mm以上Edge检查部2000pix线扫描摄像头视野:30mm检查分辨率(画素)

:约15um/pix

edge侧面缺口□100um以上

edge侧面厚度10um以内（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以内（3σ）3D激光检查部激光变位器6set（上3/下3）测定位置:±0.25mm光径:约50um分解能:0.2um走查线位:上下3线

TTV（9点／5点）3um以内（3σ）

线痕/段差／棱线5um以内（3σ）

翘曲

检查项目一览检查项目检查精度／可测大小检查位置检测装置式样上面检查部下面检查部上面/下面表面检查部

上面检查部下面检查部上面/下面表面检查部表面缺陷检查污浊,伤痕,指纹等

硅片尺寸测定全长/全宽,直径,去角,角度上面/下面表面检查部

表面缺陷检查硅片尺寸测定上面/下面表面检查部检测例１）污浊不良（单晶）检测在约W0.4mm范围内存在的微小污浊上面/下面表面检查部

检测例１）污浊不良（单晶）检测在约W0.4mm范围内存在的微检测例２）污浊不良（多晶）检测出约１.2×0.6mm的污浊，五其他部位的过度检测上面/下面表面检查部

检测例２）污浊不良（多晶）检测出约１.2×0.6mm的污浊，不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）不可视裂痕NVCD检查部（0°,90°）与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来Cr检测例）细微的内部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置时检测可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测

硅片0°检查时的画像

硅片90°检查时的画像不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）检测例）细微的内部裂痕硅片0°硅片90°不可视裂痕NEdge检查部Edge检查部＜edge检查部概图＞Edge检查部＜edge检查部概图＞Edge检查部硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。Edge检查部＜edge检查范围＞

edge部表/里面・崩边、缺口检查

edge部侧面

・崩边、缺口检查

・edge侧面厚度测定检查分辨率15um/pix

Edge侧面11.5mm硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。Edge检查部检查例１）检查edge部缺口缺口大小）从edge开始0.6mm长度2.9mm侧面画像中也可确认到缺口。Edge检查部edge表面Edge里面側面检查例１）检查edge部缺口缺口大小）Edge检查部edge侧面画像也可确认到不良Edge检查部检查例２）检查edge部缺口侧面画像也可确认到不良Edge检查部检查例２）检查edge部可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge检查部检查例３）检查edge侧面细微缺口可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度（去角部除外）Edge侧面画像Edge检查部检查例４）测定edge侧面厚度可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度Edg激光变位器6set（上3/下3）

3D激光检查部激光变位器6set（上3/下3）3D激光检查部厚度（Max,Min,Ave）TTV线痕段差棱线翘曲3D激光检查部厚度（Max,Min,Ave）3D激光检查部检查例１）厚度小不良上面测定结果下面测定结果厚度演算结果下限规格在150μm以下的作不良判定3D激光检查部检查例１）厚度小不良上面测定结果厚度演算结果3D激光检查部段层不良线痕不良检查例２）段层、线痕不良3D激光检查部段层不良线痕不良检查例２）段层、线痕不良3D激光检查部＜标准式样＞对应硅片清洗箩筐

（2套/自动交换）*可对应摞片式、以及客户专用式样上料部（硅片供给部）＜标准式样＞上料部（硅片供给部）卸料分选部＜标准式样＞良品分装段数:8（4段×2处）不良品分装段数:7（1段×7处）130片/段（t200um厚硅片）*良品最多可分16段,不良品最多可分10段

全9ポート／4or2or1段機構Wafer卸料分选部＜标准式样＞全9ポート／4or2or1段機構WafThankyouforyourparticipationsBestwishestoallofyouThankyouforyourparticipati太阳电池用硅片外观检测装置ＴＤ２００2010年11月株式会社安永CE事業部営業部門太阳电池用硅片2010年11月特征太阳能电池用硅片外观检测综合提案硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面）硅片尺寸・形状测定不可视内部裂痕检查（0°/90°2阶段检查）硅片4边edge详细缺陷检查硅片edge侧面厚度测定３Ｄ检测（厚度,TTV,线痕

,段差,棱线,翘曲）高速检查

1.0sec/wafer对应单晶以及多晶硅片

对应金刚线加工硅片特征太阳能电池用硅片外观检测综合提案检查系统构成图Edge检查

–左Edge检查-

右不可视裂痕检查（NVCD）0°上表面检查Edge检查

–

后Edge检查–前不可视裂痕检查（NVCD）

90°下表面检查硅片90°转向3D激光检查To传送分选部检查系统构成图Edge检查–左Edge检查-右不可视裂动作录像动作录像基本配置硅片类型单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形状无去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～处理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部标准式样：对应硅片清洗箩筐（上料部数：2处）

*可对应摞片式、以及客户专用式样。下料/分选部标准式样：摞片分装（t200um硅片时，130片/段）良品可分装段数：8（4段×2处）

不良品分装数：7（1段×7处）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段装置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm装置重量约1,500kg电源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空气0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片类型单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片）硅片尺寸检查项目一览检查项目检查精度／可测大小检查位置检测装置式样

外形大小（全长／全宽）100um以内（3σ）上下表面检查部2000pix线扫描摄像头视野:约170mm检查分辨率：约85um/pix

直径大小200um以内（3σ）

去边长度300um以内（3σ）

角度0.1°以内（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

针孔(气孔)□100um以上不可视裂痕NVCD检查部（0°,90°）4000pix线扫描摄像头视野:约184mm检查分辨率

:约46um/pix

内部裂痕100um×1mm以上

异物□100um以上

崩边30um×1mm以上Edge检查部2000pix线扫描摄像头视野:30mm检查分辨率(画素)

:约15um/pix

edge侧面缺口□100um以上

edge侧面厚度10um以内（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以内（3σ）3D激光检查部激光变位器6set（上3/下3）测定位置:±0.25mm光径:约50um分解能:0.2um走查线位:上下3线

TTV（9点／5点）3um以内（3σ）

线痕/段差／棱线5um以内（3σ）

翘曲

检查项目一览检查项目检查精度／可测大小检查位置检测装置式样上面检查部下面检查部上面/下面表面检查部

上面检查部下面检查部上面/下面表面检查部表面缺陷检查污浊,伤痕,指纹等

硅片尺寸测定全长/全宽,直径,去角,角度上面/下面表面检查部

表面缺陷检查硅片尺寸测定上面/下面表面检查部检测例１）污浊不良（单晶）检测在约W0.4mm范围内存在的微小污浊上面/下面表面检查部

检测例１）污浊不良（单晶）检测在约W0.4mm范围内存在的微检测例２）污浊不良（多晶）检测出约１.2×0.6mm的污浊，五其他部位的过度检测上面/下面表面检查部

检测例２）污浊不良（多晶）检测出约１.2×0.6mm的污浊，不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）不可视裂痕NVCD检查部（0°,90°）与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来Cr检测例）细微的内部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置时检测可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测

硅片0°检查时的画像

硅片90°检查时的画像不可视裂痕

NVCD检查部（0°,90°）检测例）细微的内部裂痕硅片0°硅片90°不可视裂痕NEdge检查部Edge检查部＜edge检查部概图＞Edge检查部＜edge检查部概图＞Edge检查部硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。Edge检查部＜edge检查范围＞

edge部表/里面・崩边、缺口检查

edge部侧面

・崩边、缺口检查

・edge侧面厚度测定检查分辨率15um/pix

Edge侧面11.5mm硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。Edge检查部检查例１）检查edge部缺口缺口大小）从edge开始0.6mm长度2.9mm侧面画像中也可确认到缺口。Edge检查部edge表面Edge里面側面检查例１）检查edge部缺口缺口大小）Edge检查部edge侧面画像也可确认到不良Edge检查部检查例２）检查edge部缺口侧面画像也可确认到不良Edge检查部检查例２）检查edge部可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge检查部检查例３）检查edge侧面细微缺口可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge检