DDR3存储器行业深度报告

DDR3存储器行业深度报告1、利基DRAM主要产品，全球市场超70亿美金1.1DDR3隶属利基DRAM，十五年发展历经辉煌与没落存储是半导体第二大细分品类，周期波动性最强，历史成长性最好。1）市场规模：2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类。2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。3）成长性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。DRAM是存储器第一大市场，周期波动性最强，历史成长性最优。1）市场规模：2021/2020/2019年全球DRAM市场规模为930/643/625亿美金，占存储的比例为61%/55%/59%，是存储第一大细分品类。2）周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场。3）成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升。DRAM属于半导体存储器，是易失性存储器的一种，主要用于电子设备的内存。半导体存储器分为非易失性存储器和易失性存储器，非易失性存储器在断电时仍然可以保存数据，包括NANDFlash、NORFlash等，易失性存储器在断电状态下数据会丢失，包括动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）。在易失性存储器中，DRAM和SRAM的应用场景各有不同。SRAM的读写速度在所有的存储器中最快，但同时制造成本高，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如CPU的一级、二级缓存等。DRAM利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比SRAM慢，但快于所有的只读存储器（ROM），且集成度高、功耗低、体积小，制造成本低，常用于容量较大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器的内存等。除半导体存储器外，按照存储介质的不同，存储器还包括光学存储器和磁性存储器。光学存储器根据激光等特性进行数据存储，常见的有DVD、CD等，磁性存储器利用磁性特征进行数据存储，常见的有磁盘、软盘等。同步DRAM速度更快，替代异步DRAM。按照RAM和CPU是否同频，DRAM可分为同步DRAM（SynchronousDRAM，简称SDRAM）和异步DRAM

（AsynchronousDRAM）。在异步DRAM中，CPU与RAM之间没有公共的时钟信号，当RAM不能及时提供数据时，CPU需等待内存数据，这严重影响性能。为解决该问题，同步DRAM应运而生，在RAM中加入时钟输入引脚，使得CPU与RAM之间有公共的时钟信号、实现同步，此时CPU无需等待数据，读写速度加快、数据的传输效率大幅提升。异步DRAM通常适用于低速存储系统，但不适用于现代高速存储系统，在1996-2002年期间，同步DRAM逐步取代了异步DRAM，逐步占领了内存市场。同步DRAM不断迭代，新DDR逐步替换老DDR是行业规律。根据时钟边沿读取数据，同步DRAM分为SDR（SingleDataRate）和DDR(DoubleDataRate)技术，在2003年之后，SDRSDRAM（有时也简称为SDRAM）逐渐被存取速度更快的DDRSDRAM取代。DDRSDRAM已经发展至第五代，分别是：第一代DDRSDRAM，第二代DDR2SDRAM，第三代DDR3SDRAM，第四代DDR4SDRAM，第五代DDR5SDRAM。每一次迭代，基本都能实现芯片性能翻倍，当新一代性能更好的DDR出现时，老一代DDR会逐渐被替代。代数越高，功耗越低，传输速率和理论容量越高，每一代较前一代性能翻倍。相较1997年发布的SDRSDRAM，后面每一代DDRSDRAM在功耗、容量和传输速率上都不断改进，顺应电子设备大容量、省电、低功耗的发展趋势。其中，容量提升是来自芯片集成度的提高，传输速率的提升主要是来自预取倍数的增加。1）功耗方面，从SDR支持的3.3V降低到DDR5的1.1V，功耗降低67%。2）容量方面，随着芯片制程的缩小，存储器的集成度提高，DDR5单颗密度将从8GB起步，理论密度最高可达64GB，是SDR单颗容量的8倍不止。3）传输速率方面，通过增加预取倍数、BankGroup、DDR等技术，DDR5可以轻松实现4266MT/s的高运行速率，最高运行速率可达6400MT/s，是SDR的40倍。技术实现路径：内部时钟频率提升不大，每一代主要通过翻倍预取来实现数据的传输速度的提升。DDR中有两个时钟频率，一个是内部时钟频率（也称为核心频率），是内存收到指令到将数据的传输到I/O接口上所需要的反应速度，这主要由存储单元内部的电容、晶体管、放大器等微观结构决定，提升难度大，所以从SDR到DDR5，内部时钟频率虽有提升但提升幅度不大；另一个是外部时钟频率（也称为I/O时钟频率），外部时钟频率在核心时钟频率的基础上，通过翻倍预取提高速度。1）SDRSDRAM：在一个时钟周期里只在上升沿传输数据，所以SDR也叫SingleDataRateSDRAM，此时数据的传输速率的提升主要是靠提升内部时钟频率。2）DDR1SDRAM：内部时钟频率提升难度大,因此通过在时钟周期的上升沿和下降沿各输出一次数据，相当于在一个时钟周期需要预取2倍数据，即每当读取一笔数据的时候，都会一共读取2笔的数据。因此在内部时钟频率不变的情况下，DDR1的数据的传输速率实现翻倍。3）DDR2SDRAM：预取4倍数据，数据的传输速率达到内部时钟频率的4倍，较DDR1提升2倍。4）DDR3SDRAM：预取8倍数据，此时数据的传输速率达到内部时钟频率的8倍，较DDR2提升2倍。5）DDR4SDRAM：标准型DDR的总线位宽是64bit，若进行16倍预取，总共有128Byte的数据，超过了目前主流处理器的Cachelinesize（用于处理器缓存的基本数据单元）64Byte的数据通道，由于Cacheline的限制，DDR4没有将预取加倍，而是使用BankGroup技术，通过两个不同BankGroup的8倍预取来拼凑出一个16倍的预取，当DRAM获得了两笔数据的读命令，并且这两笔数据的内容分布在不同的BankGroup中时，由于每个BankGroup可以独立完成读取操作，两个BankGroup几乎可以同时准备好这两笔8倍数据。然后这两笔8倍数据被拼接成16倍的数据，数据的传输速度达到内部时钟频率的16倍，较DDR3提升2倍。6）DDR5SDRAM：在BankGroup技术的基础上，使用通道拆分技术增加预取倍数，将64位的总线分成2个独立的32位通道，此时每个通道都只提供32bit数据，将预取增加到16倍，仍然保证了Cacheline的大小还是64Byte。通道拆分带来的16倍预取，叠加BankGroup增加的2倍，数据的传输速率达到内部时钟频率的32倍，较DDR4又提升2倍。按照应用场景，DRAM分成标准DDR、LPDDR、GDDR三类。JEDEC（固态技术协会，微电子产业的领导标准机构）定义并开发了以下三类SDRAM标准，以帮助设计人员满足其目标应用的功率、性能和尺寸要求。1）标准型DDR：DoubleDataRateSDRAM，针对服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用程序，允许更宽的通道宽度、更高的密度和不同的外形尺寸。2）LPDDR：LowPowerDoubleDataRateSDRAM，针对尺寸和功率非常敏感的移动和汽车领域，有低功耗的特点，提供更窄的通道宽度。3）GDDR：GraphicsDoubleDataRateSDRAM，适用于具有高带宽需求的计算领域，例如图形相关应用程序、数据中心和AI等，与GPU配套使用。另外，DRAM按照市场流行程度可分为主流DRAM和利基型DRAM。DDR3是利基产品，目前主流是DDR4，DDR5跑马进场。产品不断迭代，按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品，利基产品一般是从主流规格中退役的产品。目前市场主流DRAM是容量8GB+的DDR4/DDR5，容量在4GB及以下的DDR4、DDR3等现阶段属于利基DRAM。DDR3主要应用于液晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域，需求较为稳定，很多都是客制化晶片，不属于大众规格产品，价格主要受供给影响。1.2全球市场超70亿美金，市场萎缩但生命力持久DDR3市场规模超70亿美金，市场逐渐萎缩，但生命力持久、中短期仍占据一定行业地位。1）市场规模：自2007年JEDEC发布DDR3标准至今，DDR3（包括标准DDR3、LPDDR3）已发展15年，2020年在DRAM市场占比20%，预计2021年占比8%，2022年有望维持8%的占比。预计2021年、2022年市场规模将分别达到74亿美金、75亿美金。2）市场逐渐萎缩：2020年DDR4/DDR4+占比超过80%，目前处于DDR4替代DDR3的切换期。DDR3市场在逐渐萎缩，其市场规模在2014年达到最大值394亿美金，到2020年缩小到129亿美金，市场规模年复合增长率为-20%。3）被替代速度放缓，中短期仍占据一定行业地位。从DDR3标准的推出，到2010年DDR3市场规模超过DDR2，历经三年时间；从2012年JEDEC推出DDR4标准，到2018年DDR4市场规模超过DDR3，耗时6年。DDR3被DDR4完全替代的速度相对放缓。我们认为原因有二：①主流DDR3时代导入的产品量远大于主流DDR2时导入的产品量，仅从全球PC年出货量看，根据IDC的数据，2007年（DDR3新发布，DDR2是主流）出货2.7亿台，2014年（DDR4发布，DD3是主流）出货3.5亿台，增长近30%，因为各代DDR之间不兼容，如果升级DDR，需要将CPU、主板等一并更换，替换成本高，替换成DDR4的动力减弱。②DDR3目前主要需求落在大量的低容量低端消费电子领域。该领域产品不追求高性能，短时间内无升级需求，如WiFi路由器、家电等消费性电子产品的首选仍是DDR3，另外在汽车、工业领域，DDR3也有其较为稳定的市场，同时从DDR3切换到DDR4仰赖主控芯片厂的芯片迭代、终端市场的共同推进。DDR3的需求是来自于技术迭代过程中的滞后性，硬件迭代速度慢，我们预计这种滞后性在中短期内仍将存在。2、中国台湾占据半壁江山，长尾市场较为稳定2.1主流以韩美为主力，利基市场台系占据半壁江山DRAM：全球三大原厂寡头垄断，竞争格局稳定，大陆还看长鑫。1）三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势。2）格局稳定：2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自2013年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上，2019年达到99%，2020-2021年因大陆厂商扩产等，三大原厂合计市占率略微下降到94%。DRAM：大陆第二大市场但自给率极低，长鑫引领发展。1）第二大市场：根据2019年数据，中国是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的39%。2）自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0。3）长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAMIDM厂商，2016年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。2019年19nm8GbDDR4投产，2022年预计将试产17nm。从制程发展看，长鑫较三大原厂及南亚仍落后，但已超过华邦。DDR3：海外+台系CR4高达90%，大陆厂商占比亟待提高。1）三大原厂+中国台湾厂商：根据我们的测算，三星在DRAM市场、细分DDR3市场都是绝对龙头，在DRAM、DDR3市场份额分别达43%、40%，美光在DRAM、细分DDR3市场也是行业领先者，市场份额分别达23%、22%，海力士在DRAM、细分DDR3占比分别为28%、4%，因其逐渐退出DDR3市场，预计其在DDR3市场占比持续萎缩，中国台湾厂商南亚、华邦在DRAM市场份额较小但发力利基市场，南亚在DDR3市场份额达22%，华邦在DDR3市占份额达5%。2）大陆厂商：IDM厂商长鑫发布多种DRAM产品，兆易创新

2021年量产19nm4GbDDR4,目前17nm4GbDDR3在研，北京君正(ISSI)营业收入主要是DDR3，东芯股份目前DRAM产品包括LPDDPR1、LPDDR2、DDR3。DDR3：韩系龙头逐渐退出，台系厂商产能未就位，DDR3格局优化。三星是DDR3第一大供应商，另外占据主要份额的有海力士、美光、华邦、力晶、南亚。根据中国台湾媒体消息，三星、海力士减产DDR3，计划将产能移转至CIS或者DDR4、DDR5，三星下半年将完全停止2GbDDR3供货，2Gb以下低容量DDR3亦陆续进入EOL停产cft阶段（注：三星已对客户发出产品变更通知（PCN），4/28结束2GbDDR3生产周期，4/29是最后下单（LastTimeBuy）截止日，6/30是最后出货日期）。根据集邦咨询的消息，美光的DDR3到2026年都暂无结束产品周期的规划，但是DDR3产能预计转移至以生产利基产品为主的美国厂，但美国厂同时生产车用、消费类等产品，在车用存储需求增长的情况下，产能可能向毛利更高的车规产品倾斜，压缩消费类产品的供给。中国台湾厂商南亚、华邦等虽有产能扩增计划，不过实际贡献要等到2023-2024年。料号数量：三大原厂DDR4料号数量遥遥领先，中国台湾厂商利基产品料号数量瞩目，大陆仍有差距。我们统计8家厂商官网列示的1000余款DRAM芯片（截至2022/5），并根据DRAM代际和容量进行分类，具体来看：1）三大原厂：三大原厂均已实现DDR4迭代，4G-32G容量全线铺齐。其中，三星作为DDR3第一大供应商，DDR3料号数量可观，占比61%；海力士目前重心在DDR4，DDR4料号占比69%，DDR3目前有4G的大容量产品；美光料号分布广泛，DDR-DDR4全覆盖，DDR3、DRR4料号数量分别占比38%、40%，占比均衡。近年来，三巨头也在探索DDR5，如2020年10月宣布SK海力士在2020年10月宣布推出全球首款DDR5DRAM。2）台系厂商：南亚除覆盖DDR-DDR3产品外，目前在进行DDR4初步迭代，已量产4G、8G产品，而华邦继续专注DDR-DDR3市场；从不同代际DRAM的料号占比看，目前中国台湾厂商仍主力DDR3，DDR3料号占比分别达到63%、69%。3）大陆厂商：长鑫存储专注DDR4，Fabless厂商如

兆易创新、北京君正、东芯股份均主要发力DDR3和小容量DDR4，但从料号数量看与中国台湾厂商仍有差距。其中，北京君正因收购ISSI获得比较全面的利基DRAM产品阵列，目前DDR、DDR2、DDR3、小容量DDR4全覆盖，目前主力是DDR3，料号占比44%；兆易创新2021年推出18款4GDDR4，今年预计量产2G、4GDDR3产品；东芯股份的DDR3覆盖1G、2G、4G，共计10款产品。2.2主流以手机+PC+服务器三大市场为主，利基偏重长尾市场DRAM可分为模组和芯片，模组是将DRAM芯片（Die）组合在一起，容量更大，在电脑、服务器上主要是模组（也称为内存条），DRAM芯片主要与主控芯片配套使用，应用在消费等容量要求较低的领域。智能手机+服务器+PC三大驱动力，大容量趋势明确。目前手机占比39%，是第一大市场，服务器占比34%，是第二大市场，PC占比13%，萎缩明显。目前电子产品的容量需求提升，大容量DRAM市占份额逐渐提升，根据IHS数据，2019年容量>4Gb的DRAM占比87%。消费电子是DDR3第一大应用，其次是工业和汽车。根据我们的测算，消费电子占DDR3的79%，是第一大应用，工业占比12%，汽车占比9%。DDR3在应用中需匹配主控芯片需求。模组主要是用于PC和服务器，目前主要是DDR4、DDR5模组，DDR3主要是与主控芯片（如MCU、MPU、Soc）配套使用，满足主控芯片的存储需求，如NXP的用于仪表盘的i.MX6S系列MCU在外部配置了2颗DRAM，1颗LPDDR2和1颗DDR3。在TI、高通、瑞萨、Mobileye、安霸、NXP的主控芯片中都有配置DDR3，NXP在MCU等主控芯片领域是领先者，我们详细梳理了NXP官网的8175款配有DDR3的主控芯片的下游应用情况（截至2022/4），以期对DDR3的下游应用有更为具体的感知。1）消费电子及通讯基础设施：配有DDR3的主控芯片4702款，占配置DDR3的主控芯片总量的的58%。DDR3在消费电子中应用于智能家居、智慧城市、可穿戴产品，配置了DDR3的NXP主控芯片的料号数达2702个，占总量的25%，一般配置1-2颗DDR3，在细分市场如家用电器、家庭控制与安全、家庭娱乐、移动设备（如腕带、智能手表）中应用广泛；该应用领域对性能要求不高，同时更新迭代速度慢。DDR3在通讯基础设施中也有广泛应用，如在无线基础架构中，配置了DDR3的NXP主控芯片的料号数达2018个，占总量的33%。2）工业控制领域：DDR3应用于航空航天于机器人、工业自动化、电力能源、医疗健康等领域，配置了DDR3的NXP主控芯片数量达1869个，占配置DDR3的主控芯片总量的的23%，一般配置1-2颗DDR3；该应用领域对可靠性、稳定性的要求高于对速度、容量的要求，所以大量使用发展多年、成熟的DDR3。3）汽车电子：DDR3在汽车中应用于ADAS、车载娱乐、汽车链接等领域，其中ADAS含前视摄像头、环视、传感器融合等应用场景，车载娱乐包括仪表盘、联网广播等应用，配置了DDR3的NXP主控芯片数量达1586个，占配置DDR3的主控芯片总量的的19%，一般配置1-2颗DDR3。虽然在汽车智能化趋势下，有车厂切换到性能更好的DDR4，但很多传统燃油车车厂在车载影音、仪表盘中仍大量使用DDR3，因为车厂对稳定性要求更高，切换速度慢。2.3价格：DDR3结构优化，与DDR4价格倒挂下游景气下行，5月合约价全线下跌。1）主流DRAM：

5月主流DRAM合约价持续下跌，DDR4、DDR5下跌程度不同，其中DDR4基本平稳，环比跌幅1%-2%，DDR5的芯片和模组跌幅较大，环比跌幅近10%。2）利基DRAM：利基DDR4、DDR3、DDR2合约价环比跌幅0-3%，整体较为平稳。截至2022年5月31日，现货价依然全线下跌。1）主流DRAM：近一个月主流DDR4的跌幅2%-3%；

2）利基DRAM：近一个月利基DDR4跌幅大于DDR3跌幅，DDR4跌幅4%-7%，DDR3跌幅1-5%。主流：DDR4芯片5月合约价环比下跌2%，现货价格近一月跌幅2%-7%。1）合约价：今年5月，DDR48Gb（1Gx8）的价格为$3.35，同比-11.84%，环比-1.76%，价格自从去年9月的$4.01开始下跌，今年1月跌至$3.41，相较9月的价格跌幅达到17%，后连续三个月价格稳定，有止跌回稳态势，但近一个月价格继续下行；DDR416Gb（2Gx8）的价格为$8.69，环比-1.84%。2）现货价：截止5月31日，DDR48Gb（1Gx8）2666Mbps的价格为$3.39，近一个月降低2.19%，近一周降低0.47%

；

DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps的价格为$6.63，近一个月降低2.46%，近一周降低0.72%。主流：DDR5主要用于服务器，合约价跌幅近10%。1）芯片合约价：今年5月，DDR516Gb（2Gx8）的合约价为$8.69，环比-9.10%，今年1月价格为$10.24，2月价格下降7%至$9.56，近2个月价格稳定，5月打破止跌态势、继续下降。2）模组合约价：今年5月，DDR516GbSO-DIMM的合约价为$77.00，环比-8.33%；DDR58GbU-DIMM的合约价位$40.00，环比-8.05%。利基：DDR4芯片5月合约价环比下跌3%，现货价持续下行。1）合约价：今年5月，DDR48Gb（512Mx16）的合约价为$3.59，同比-19.33%，环比不变，价格保持平稳；DDR44Gb（256Mx16）的合约价位$2.35，同比-4.08%，环比-1.26%，连续3个月价格下跌。2）现货价：截止5月31日，DDR48Gb（512Mx16）2666Mbps的现货价为$3.45，近一月下跌4.11%，近一周下跌1.37%；DDR44Gb

（256Mx16）2400/2666Mbps的现货价为$1.79，近一月下跌6.13%，近一周下跌2.08%。利基：DDR3芯片合约价基本平稳，现货价继续下跌。1）合约价：5月DDR34Gb（256Mx16）的合约价为$2.75，同比13.17%，环比-0.72%，涨势停止；DDR32Gb（128Mx16）的合约价为$2.46，同比24.87%，环比-0.81%，涨势停止；DDR31Gb（64Mx16）的合约价为$1.78，同比5.33%,环比-1.66%，涨势停止。2）现货价：截止5月31日，DDR34Gb（256x16）1600/1866Mbps的现货价为$2.23，近一个月下跌4.20%，近一周下跌0.71%；DDR32Gb

（128Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$2.04，近一个月下跌4.65%，近一周下跌1.01%；DDR31Gb（64Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.62，近一个月下跌1.52%，近一周下跌0.31%。DDR3结构优化，DDR3与DDR4价格出现倒挂。高代际DRAM的产品的性能优于低代际DRAM产品，在相同容量下，价格高于低代际DRAM，但目前因韩系大厂逐渐退出、台系厂商产能增幅有限，与同容量的DDR4产品价格出现倒挂。1）合约价：过去4GbDDR4价格高于4GbDDR3，2021年12月价格打平，自今年1月价格开始倒挂，4GDDR3与4GDDR4价差持续扩大，5月4GDDR3价格$2.75，4GDDR4价格$2.35，4GDDR3价格较4GDDR4高0.4美金。2）现货价：2021年10月中旬，4GbDDR3与4GbDDR4价格基本打平，后开始出现倒挂，4GDDR3与4GDDR4价差持续扩大，截至5月31日，4GDDR3价格$2.23，4GDDR4价格$1.79，4GDDR3价格较4GDDR4高0.44美金。3、长鑫引领大陆DRAM产业发展，大陆积极布局DDR3市场3.1长鑫引领大陆产业，大陆设计公司聚焦利基DDR3存储市场，大陆以利基产品为切入口。大陆厂商聚焦利基产品，如利基DRAM、SLCNAND、NorFlash、EEPROM等产品。1）利基DRAM：

大陆供应商如兆易创新（2021年推出4GbDDR4）、北京君正、东芯股份，本土IDM厂商长鑫存储聚焦主流DRAM。2）SLCNAND：大陆供应商如兆易创新、北京君正、东芯股份。大陆DDR3产品性能比肩海外厂商，兆易创新17nm制程成本优势突出。JEDEC定义DRAM标准，故DRAM是相对标准的产品，以兆易创新拟推出的DDR3产品为例，容量覆盖2Gb/4Gb，有x8、x16两种结构，数据的传输速率达到2133Mbps，电压1.35/1.5V，工作温度-40~95、-40~105摄氏度，参数与国际大厂、台系厂商旗鼓相当，主要是在容量覆盖面、料号数量、下游应用、制程上有所差异，具体来看：1）容量覆盖：兆易创新的DDR3的容量是2Gb/4Gb，国际厂商、台系厂商覆盖1G-4G，其中美光、北京君正甚至有8Gb产品。2）料号数量：兆易创新DDR3产品的料号数量是24颗，而海外大厂与台系厂商的料号数量较多，其中三巨头中三星DDR3料号数量为75颗，台系厂商华邦的料号数量甚至达到了144颗。3）下游应用：兆易推出的DDR3产品主要应用于商规和工规，如网络通信、电视、安防监控、机顶盒、智慧家庭等领域，而国际厂商、台系厂商的DDR3产品可广泛应用于商规、工规、车规，北京君正的DDR3也是全覆盖，其应用面相较兆易创新更加广泛。4）制程：海外大厂的DDR3产品主要是20nm制程，而兆易创新的DDR3使用17nm制程，制程更先进，成本更低。3.2

兆易创新：DRAM开始贡献营收，17nmDDR3值得期待携手长鑫布局DRAM，自研发展顺利。兆易创新自上市起便计划DRAM，2016年12月拟以65亿收购以车用DRAM见长的北京矽成，但后续因北京矽成的供应链潜在风险，该收购于2017年终止，同年10月兆易创新与合肥产投（合肥产投的唯一股东及实际控制人为合肥国资委）签署合作协议，开展19nm的12寸存储器项目（主要是DRAM），正式开启了DRAM战略布局。1）合作开发阶段：2017年，为更好推行项目，长鑫存储成立；2019年4月，兆易创新与合肥产投签署可转股债权投资协议，以可转股债权方式对该目投资3亿元；2019年10月，兆易董事长出任长鑫存储的董事长和CEO，深层绑定长鑫存储，2020年3月与长鑫存储签署采购、代工、合作开发协议，该协议生效至2030年；同年11月，长鑫存储的子公司睿力集成确认为存储器项目公司，其中兆易持股0.85%。目前，长鑫存储已经成为中国大陆规模最大、技术最先进的DRAMIDM，可保障兆易创新的产能。2）自研阶段：2019年9月兆易创新发布非公开发行股票预案，拟筹集43.24亿，正式开启自研之路，其中33亿元用于研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程，主要瞄准利基DRAM市场，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM。整个项目投资额40亿，预计税后内部收益率15.06%，2020年6月完成资金筹集。2021年6月，兆易量产首款自研19nm4GDDR4产品，2022年拟推出17nm的DDR3产品。按照兆易创新此前自研DRAM的发展计划，目前兆易创新已进入多系列产品研发和量产阶段。自有品牌占比逐步提升。目前，兆易和长鑫的合作方式为：1）兆易代销长鑫的DRAM产品；2）长鑫代工兆易自研DRAM。从采购情况上来看，随着兆易自研DRAM的推出，自研DRAM占比将逐步提升。3.3

北京君正：大陆车载存储龙头，DDR3产品丰富收购ISSI，迅速切入存储芯片领域。2005年成立，北京君正过去产品主要是微处理器。2020年，北京君正收购北京矽成，一同收入囊中的还有北京矽成的核心资产美国ISSI及其下属子品牌Lumissil，自此北京君正拥有完整存储产品、模拟产品，同时北京君正的下游应用从消费电子扩展到汽车、工业领域。目前，北京君正主要负责微处理器芯片、智能视频芯片业务，ISSI负责存储芯片业务，Lumissil负责模拟半导体产品。矽成并表效果显著，营收翻倍增长，存储器贡献近7成营收。1）总营收：2019年北京君正营业总收入为3.39亿元，在2020年完成对北京矽成的收购后，2020年营收21.7亿元，yoy+540%，2021年营收52.74亿元，yoy+140%。2）存储营收：存储芯片2020/2021年营收分别是15.25/35.94亿元，占比70.3%/68.1%，2021年存储营收yoy135%。3）存储毛利率