TTL门教学讲解课件

3.2TTL逻辑门电路一、双极型三极管的开关特性1.双极型三极管的结构BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCE3.2TTL逻辑门电路一、双极型三极管的开关特性1.双极型1BECNPN型三极管BECPNP型三极管2.双极型三极管的符号NPNCBEPNPCBEBECNPN型三极管BECPNP型三极管2.双极型三极管的符2CEIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V死区电压，硅管0.5V3.双极型三极管的输入特性和输出特性工作压降：硅管UBE0.7VCIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(3（2）输出特性当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB,且

IC=

IB。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,，称为截止区。

IC与UCE的关系曲线（2）输出特性当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，I44.双极型三极管的开关特性将三极管的c—e极视为受基极电流IB控制的开关，当IB小于等于零时，相当于开关打开；当IB较大时，相当于开关闭合；VCEIC不管VCE多高，通过三极管的电流IC近似为零。相当于开关打开截止区：饱和区：不管IC

多高，三极管两端的电压VCE近似为零。相当于开关闭合。4.双极型三极管的开关特性将三极管的c—e53.2.2.双极型三极管的动态开关特性3.2.2.双极型三极管的动态开关特性63.2.3TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构输入级中间级输出级3.2.3TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构输7当vi=VIL时T1发射结正偏Vb1≈0.9T1截止T2、T5截止T4饱和导通vO=VIH

设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V0.2V3.4V0.4V二、电路工作原理当vi=VIL时T1发射结正偏Vb1≈0.9T1截止8二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V当vi=VIH时3.4VVb1≤≤2.1VT1的发射结反偏集电结正偏处于倒置(反向)状态T2、T5管饱和vO=VIL0.2V2.1V(Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe5)T4管截止Vb4=0.9V二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,当vi=9二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V电路的逻辑电平转换表VAVY3.40.20.23.4真值表AY1001二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,电路的逻103.2.4其他类型的TTL门电路一、与非门电路T1:NPN型多发射极晶体管3.2.4其他类型的TTL门电路一、与非门电路T1:NP11C=ABC=AB121.任一输入为低电平（0.3V）时0.5vT1导通T2、T5截止T4导通任意输入为低电平，输出为高电平.Y=3.4V1.任一输入为低电平（0.3V）时0.5vT1导通任意输入132.输入全为高电平（3.4V）时或输入全甩空“1”T2、T5饱和导通T4截止Y=“0”输入全为高电平时，输出为低电平“1”2.输入全为高电平（3.4V）时或输入全甩空“1”T2、14输入、输出的逻辑关系式：输入、输出的逻辑关系式：15二、或非门电路两个完全相同的电路并联成输入端互补推拉输出级二、或非门电路两个完全相互补推拉16工作原理AB=0000导通导通截止截止导通截止1输入全为低电平时输出为高电平工作原理AB=0000导通导通截止截止导通截止1输入全为低电17工作原理AB=0101导通倒置截止导通截止导通0Vb1`≤2.1V0.9V输入有高电平时输出为低电平工作原理AB=0101导通倒置截止导通截止导通0Vb1`≤218工作原理AB=1111倒置倒置导通导通截止导通0Vb1`≤2.1V0.9V输入全高电平时输出为低电平Vb1≤2.1V工作原理AB=1111倒置倒置导通导通截止导通0Vb1`≤2193.2.5集电极开路门(OC)和三态门(TS)电路1.集电极开路与非门F工作时需要外接负载电阻和电源VcRY=AB3.2.5集电极开路门(OC)和三态门(TS)电路1.集20OC门输出端并联实现线与OC门输出端并联实现线与21CT3T4VCCT5T6T7EN2.、三态输出门电路（TS门）Y=ABCCT3T4VCCT5T6T7EN2.、三态输出门电路（TS门22CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=0时00T2、T3截止T5导通T6截止T7导通0T4截止呈高组态CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=0时00T223CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=1时1ABT5倒置T6饱和T7截止控制电路无效！Y=AB电路处于工作状态CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=1时1ABT24EN=1L=ABEN=0高阻态EN=1L=AEN=0高阻态L=AB高阻态L=A高阻态EN=0EN=1EN=0EN=1常见三态门的符号及功能ABEN&LABENAEN1LAENABEN&LABENAEN1LAENEN=1L=ABEN=0高阻态EN=1L=AEN=0高阻态L253.2.6BiCMOS门电路BiCMOS门电路的特点在于采用了双极型BJT管作为CMOS电路的输出级。因此这种电路结合了MOS管的功耗低和双极型管速度快、驱动能力强的优势，受到用户的重视。MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD输入级输出级3.2.6BiCMOS门电路BiCMOS门电路的特点在于26MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为高电平时1M1导通MN导通T2导通MP截止M2截止T1截止00VMPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为高电平时127MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为低电平时0MP导通M2导通T1导通M1截止MN截止T2截止1实现了输入输出非的关系。MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为低电平时0283.2.7TTL电路的改进系列1、肖特基势垒二极管工作原理肖特基二极管是一种利用金属和半导体相接触在交界面形成势垒的二极管，其特点是：多数载流子参入导电，没有少数载流子的积累，因而从正向导通到反向截止，没有内部电荷的建立和消散的过程，使转换速度加快。3.2.7TTL电路的改进系列1、肖特基势垒二极管工作原理292、肖特基TTL电路改进措施：1.用抗饱和三极管（肖特基三极管）代替普通三极管。2.用有源泄放回路代替电阻。但电路的静态功耗增加。2、肖特基TTL电路改进措施：1.用抗饱和三极管（肖特基三极30*3.3射极偶合逻辑门电路*3.4砷化镓逻辑门电路*3.3射极偶合逻辑门电路*3.4砷化镓逻辑门电路313.5逻辑描述中的几个问题3.5.1正逻辑和负逻辑的概念：如果用1表示高电平，0表示低电平，则这种表示方法为正逻辑如果用0表示高电平，1表示低电平，则这种表示方法为负逻辑注：高电平或低电平，不再是具体的数值，而是某一范围。注：在不特别注明的情况下，均指正逻辑。正逻辑和负逻辑两种体制不牵扯逻辑电路本身的结构问题,但根据所选正负逻辑的不同,即使同一电路也具有不同的逻辑功能.功能表ABLLLHLHHHLHHHL正逻辑真值表ABL001011101110L=AB负逻辑真值表ABL110100010001L=AB=A+B正逻辑的”与非”负逻辑的”或非”正逻辑的”与”负逻辑的”或”3.5逻辑描述中的几个问题3.5.1正逻辑和负逻辑的概念323.5.2基本逻辑门电路的等效符号及其应用1.基本逻辑门电路的等效符号因为:L=AB=A+B所以,可以得到与非门的等效符号:&ABL=ABL=A+B≥1AB≥1ABL=A+B对于或非运算表达式,因为:=AB≥1AB&ABL=A+BL=A+BL=AB&ABL=AB3.5.2基本逻辑门电路的等效符号及其应用1.基本逻辑门33对于与运算表达式,因为:L=AB=AB=A+B&ABL=AB≥1ABL=A+B≥1AB对于或运算表达式,因为:L=A+B=A+B≥1ABL=A+BL=AB&ABL=AB&ABL=A+B=AB对于与运算表达式,因为:L=AB=AB=A+B&A34（2）任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑关系不变。2混合逻辑中逻辑符号的变换（1）逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈，其逻辑关系不变。（3）一端消去或加上小圆圈，同时将相应变量取反，

其逻辑关系不变（2）任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑2混合逻辑中353.逻辑门等效符号强调低电平有效&ENENBAF&ENABENFEN为使能端:高电平有效当EN=1时,完成指定功能F=AB当EN=0时,高组态EN为使能端:低电平有效当EN=0时,完成指定功能F=AB当EN=1时,高组态3.逻辑门等效符号强调低电平有效&ENENBAF&ENAB36第八讲第八讲373.6逻辑门电路使用中的几个实际问题3.6.1各种门电路之间的接口问题两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流，即要满足下列条件：

3.6逻辑门电路使用中的几个实际问题3.6.1各种门电381）驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min）

2）驱动门的VOL（max）≤负载门的VIL（max）11v0vI驱动门负载门1）驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min）11393）驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总）4）驱动门的IOL（max）≥负载门的IIL（总）i1IOH（max）3）驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总）i1IOH401CMOS门驱动TTL门在供电电源相同（VCC=VDD=5V）的情况下，两者兼容，可直接相接。为增加CMOS的驱动能力，可以在驱动门和负载门之间增加一个驱动器（如同相缓冲器）。2TTL门驱动CMOS门TTL驱动74HCT系列CMOS时，不需接口，因此，在数字电路设计中，常用74HCT系列器件作接口电路。1CMOS门驱动TTL门在供电电源相同（V413低电压CMOS电路及接口1电平移动电路1VCC1（2.5/3.3V）VCC1（3.3/5V）3低电压CMOS电路及接口1电平移动1VCC1（2.5/423.6.2门电路带负载时的接口电路1对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动：用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。(1)机电性负载接口：3.6.2门电路带负载时的接口电路1对于电流较小、电平43驱动发光二极管（LED）需要在电路中串接一个约几百W的限流电阻。

(i)

门输入为低，输出为高(ii)门输入为高，输出为低VF：二极管管压降；ID：二极管工作电流，有一定范围。VOH、VOL：门电路输出高、低电平电压，常取典型值。输入信号LEDR(a)输入信号LEDRVCC(b)TTL,CMOSTTL,CMOS(2)直接驱动显示器件限流电阻值的选取：驱动发光二极管（LED）(i)门输入为低，输出为高(442带大电流负载

可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器

（目前已不常用）

可在门电路输出端接三极管，以提高负载能力

（特殊应用下）选用大电流输出的驱动器芯片（1264mA)(74F244)2带大电流负载可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器453.6.3抗干扰措施(1)多余输入端的处理措施不改变电路工作状态和稳定可靠性。原则：

对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。

对于与非门及与门，多余输入端应接高电平，如直接接电源正极，或通过一个上拉电阻（13K）接电源正极；在前级驱动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。3.6.3抗干扰措施(1)多余输入端的处理措施不改变电46电源是非理想的，存在着输出阻抗（2）去耦合滤波器(旁路电容)

电源连线是非理想的，存在等效阻抗（电感）数字信号的上升和下降沿引起较大的脉冲电流或尖峰电流，在上述阻抗上产生噪声电压用旁路电容解决

10100F与0.1F电容跨接电源和地线之间；

每个芯片的电源和地线管脚之间并接一个0.01F

的电容。电源是非理想的，存在着输出阻抗（2）去耦合滤波器(旁路电47模拟、数字地面的分隔（3）接地与安装工艺电源地和信号地将信号地汇集在一点，然后用最短的导线和电源地相连。先分别汇集，然后用最短的导线将两地相连。模拟、数字地面的分隔（3）接地与安装工艺电源地和信483.7用VerilogHDL描述逻辑门电路3.7用VerilogHDL描述逻辑门电路49本章小结1.目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类:一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。2.MOS集成电路常用的是两种结构。一种是NMOS门电路;另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。本章小结1.目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类:2.MO503.

在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外,还有集电极开路门和三态门。4.熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。3.在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电4.51例题分析3.1.4如图各MOSFET管的VT=2V，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）(VDD=5V)。VDD+5VVDD0V+5VVDD0VVDD+5V+5V(a)(b)(c)(d)解.图(a)和(c)为N沟道增强型MOS管,(b)和(d)为P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管:开启电压VT>0当Vgs<VT时,MOS处于截止状态;当Vgs>VT时,MOS处于饱和状态。Vgs=5Vgs=0故(a)饱和,(b)截止Vgs=0Vgs=-5P沟道增强型MOS管:开启电压VT=-2<0当Vgs>VT时,MOS处于截止状态;当Vgs<VT时,MOS处于饱和状态故(b)截止,(d)饱和例题分析3.1.4如图各MOSFET管的VT=2523.1.7试分析图3.1.7电路,写出逻辑表达式?解.ABBCDABBCDL=ABBCDE3.1.7试分析图3.1.7电路,写出逻辑表达式?解.ABB53作业：3.1.123.1.13作业：3.1.123.1.13543.2TTL逻辑门电路一、双极型三极管的开关特性1.双极型三极管的结构BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCE3.2TTL逻辑门电路一、双极型三极管的开关特性1.双极型55BECNPN型三极管BECPNP型三极管2.双极型三极管的符号NPNCBEPNPCBEBECNPN型三极管BECPNP型三极管2.双极型三极管的符56CEIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V死区电压，硅管0.5V3.双极型三极管的输入特性和输出特性工作压降：硅管UBE0.7VCIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(57（2）输出特性当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB,且

IC=

IB。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,，称为截止区。

IC与UCE的关系曲线（2）输出特性当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，I584.双极型三极管的开关特性将三极管的c—e极视为受基极电流IB控制的开关，当IB小于等于零时，相当于开关打开；当IB较大时，相当于开关闭合；VCEIC不管VCE多高，通过三极管的电流IC近似为零。相当于开关打开截止区：饱和区：不管IC

多高，三极管两端的电压VCE近似为零。相当于开关闭合。4.双极型三极管的开关特性将三极管的c—e593.2.2.双极型三极管的动态开关特性3.2.2.双极型三极管的动态开关特性603.2.3TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构输入级中间级输出级3.2.3TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构输61当vi=VIL时T1发射结正偏Vb1≈0.9T1截止T2、T5截止T4饱和导通vO=VIH

设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V0.2V3.4V0.4V二、电路工作原理当vi=VIL时T1发射结正偏Vb1≈0.9T1截止62二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V当vi=VIH时3.4VVb1≤≤2.1VT1的发射结反偏集电结正偏处于倒置(反向)状态T2、T5管饱和vO=VIL0.2V2.1V(Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe5)T4管截止Vb4=0.9V二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,当vi=63二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V，VON=0.7V电路的逻辑电平转换表VAVY3.40.20.23.4真值表AY1001二、电路工作原理设Vcc=5V，VIH=3.4V,电路的逻643.2.4其他类型的TTL门电路一、与非门电路T1:NPN型多发射极晶体管3.2.4其他类型的TTL门电路一、与非门电路T1:NP65C=ABC=AB661.任一输入为低电平（0.3V）时0.5vT1导通T2、T5截止T4导通任意输入为低电平，输出为高电平.Y=3.4V1.任一输入为低电平（0.3V）时0.5vT1导通任意输入672.输入全为高电平（3.4V）时或输入全甩空“1”T2、T5饱和导通T4截止Y=“0”输入全为高电平时，输出为低电平“1”2.输入全为高电平（3.4V）时或输入全甩空“1”T2、68输入、输出的逻辑关系式：输入、输出的逻辑关系式：69二、或非门电路两个完全相同的电路并联成输入端互补推拉输出级二、或非门电路两个完全相互补推拉70工作原理AB=0000导通导通截止截止导通截止1输入全为低电平时输出为高电平工作原理AB=0000导通导通截止截止导通截止1输入全为低电71工作原理AB=0101导通倒置截止导通截止导通0Vb1`≤2.1V0.9V输入有高电平时输出为低电平工作原理AB=0101导通倒置截止导通截止导通0Vb1`≤272工作原理AB=1111倒置倒置导通导通截止导通0Vb1`≤2.1V0.9V输入全高电平时输出为低电平Vb1≤2.1V工作原理AB=1111倒置倒置导通导通截止导通0Vb1`≤2733.2.5集电极开路门(OC)和三态门(TS)电路1.集电极开路与非门F工作时需要外接负载电阻和电源VcRY=AB3.2.5集电极开路门(OC)和三态门(TS)电路1.集74OC门输出端并联实现线与OC门输出端并联实现线与75CT3T4VCCT5T6T7EN2.、三态输出门电路（TS门）Y=ABCCT3T4VCCT5T6T7EN2.、三态输出门电路（TS门76CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=0时00T2、T3截止T5导通T6截止T7导通0T4截止呈高组态CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=0时00T277CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=1时1ABT5倒置T6饱和T7截止控制电路无效！Y=AB电路处于工作状态CT3T4VCCT5T6T7EN(1).当EN=1时1ABT78EN=1L=ABEN=0高阻态EN=1L=AEN=0高阻态L=AB高阻态L=A高阻态EN=0EN=1EN=0EN=1常见三态门的符号及功能ABEN&LABENAEN1LAENABEN&LABENAEN1LAENEN=1L=ABEN=0高阻态EN=1L=AEN=0高阻态L793.2.6BiCMOS门电路BiCMOS门电路的特点在于采用了双极型BJT管作为CMOS电路的输出级。因此这种电路结合了MOS管的功耗低和双极型管速度快、驱动能力强的优势，受到用户的重视。MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD输入级输出级3.2.6BiCMOS门电路BiCMOS门电路的特点在于80MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为高电平时1M1导通MN导通T2导通MP截止M2截止T1截止00VMPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为高电平时181MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为低电平时0MP导通M2导通T1导通M1截止MN截止T2截止1实现了输入输出非的关系。MPM1MNMPM2T1T2v0vIVDD当vI为低电平时0823.2.7TTL电路的改进系列1、肖特基势垒二极管工作原理肖特基二极管是一种利用金属和半导体相接触在交界面形成势垒的二极管，其特点是：多数载流子参入导电，没有少数载流子的积累，因而从正向导通到反向截止，没有内部电荷的建立和消散的过程，使转换速度加快。3.2.7TTL电路的改进系列1、肖特基势垒二极管工作原理832、肖特基TTL电路改进措施：1.用抗饱和三极管（肖特基三极管）代替普通三极管。2.用有源泄放回路代替电阻。但电路的静态功耗增加。2、肖特基TTL电路改进措施：1.用抗饱和三极管（肖特基三极84*3.3射极偶合逻辑门电路*3.4砷化镓逻辑门电路*3.3射极偶合逻辑门电路*3.4砷化镓逻辑门电路853.5逻辑描述中的几个问题3.5.1正逻辑和负逻辑的概念：如果用1表示高电平，0表示低电平，则这种表示方法为正逻辑如果用0表示高电平，1表示低电平，则这种表示方法为负逻辑注：高电平或低电平，不再是具体的数值，而是某一范围。注：在不特别注明的情况下，均指正逻辑。正逻辑和负逻辑两种体制不牵扯逻辑电路本身的结构问题,但根据所选正负逻辑的不同,即使同一电路也具有不同的逻辑功能.功能表ABLLLHLHHHLHHHL正逻辑真值表ABL001011101110L=AB负逻辑真值表ABL110100010001L=AB=A+B正逻辑的”与非”负逻辑的”或非”正逻辑的”与”负逻辑的”或”3.5逻辑描述中的几个问题3.5.1正逻辑和负逻辑的概念863.5.2基本逻辑门电路的等效符号及其应用1.基本逻辑门电路的等效符号因为:L=AB=A+B所以,可以得到与非门的等效符号:&ABL=ABL=A+B≥1AB≥1ABL=A+B对于或非运算表达式,因为:=AB≥1AB&ABL=A+BL=A+BL=AB&ABL=AB3.5.2基本逻辑门电路的等效符号及其应用1.基本逻辑门87对于与运算表达式,因为:L=AB=AB=A+B&ABL=AB≥1ABL=A+B≥1AB对于或运算表达式,因为:L=A+B=A+B≥1ABL=A+BL=AB&ABL=AB&ABL=A+B=AB对于与运算表达式,因为:L=AB=AB=A+B&A88（2）任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑关系不变。2混合逻辑中逻辑符号的变换（1）逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈，其逻辑关系不变。（3）一端消去或加上小圆圈，同时将相应变量取反，

其逻辑关系不变（2）任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑2混合逻辑中893.逻辑门等效符号强调低电平有效&ENENBAF&ENABENFEN为使能端:高电平有效当EN=1时,完成指定功能F=AB当EN=0时,高组态EN为使能端:低电平有效当EN=0时,完成指定功能F=AB当EN=1时,高组态3.逻辑门等效符号强调低电平有效&ENENBAF&ENAB90第八讲第八讲913.6逻辑门电路使用中的几个实际问题3.6.1各种门电路之间的接口问题两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流，即要满足下列条件：

3.6逻辑门电路使用中的几个实际问题3.6.1各种门电921）驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min）

2）驱动门的VOL（max）≤负载门的VIL（max）11v0vI驱动门负载门1）驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min）11933）驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总）4）驱动门的IOL（max）≥负载门的IIL（总）i1IOH（max）3）驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总）i1IOH941CMOS门驱动TTL门在供电电源相同（VCC=VDD=5V）的情况下，两者兼容，可直接相接。为增加CMOS的驱动能力，可以在驱动门和负载门之间增加一个驱动器（如同相缓冲器）。2TTL门驱动CMOS门TTL驱动74HCT系列CMOS时，不需接口，因此，在数字电路设计中，常用74HCT系列器件作接口电路。1CMOS门驱动TTL门在供电电源相同（V953低电压CMOS电路及接口1电平移动电路1VCC1（2.5/3.3V）VCC1（3.3/5V）3低电压CMOS电路及接口1电平移动1VCC1（2.5/963.6.2门电路带负载时的接口电路1对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动：用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。(1)机电性负载接口：3.6.2门电路带负载时的接口电路1对于电流较小、电平97驱动发光二极管（LED）需要在电路中串接一个约几百W的限流电阻。

(i)

门输入为低，输出为高(ii)门输入为高，输出为低VF：二极管管压降；ID：二极管工作电流，有一定范围。VOH、VOL：门电路输出高、低电平电压，常取典型值。输入信号LEDR(a)输入信号LEDRVCC(b)TTL,CMOSTTL,CMOS(2)直接驱动显示器件限流电阻值的选取：驱动发光二极管（LED）(i)门输入为低，输出为高(982带大电流负载

可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器

（目前已不常用）

可在门电路输出端接三极管，以提高负载能力

（特殊应用下）选用大电流输出的驱动器芯片（1264mA)(74F244)2带大电流负载可将同一芯片上的多个门并联作