南大光电研究报告

南大光电研究报告公司概况：先进半导体材料平台型公司历史沿革：江苏南大光电材料股份有限公司，成立于2000年，于2012年在深圳证券交易所创业板上市，是主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三大半导体材料产品生产、研发和销售的高新技术企业。在前驱体领域，公司依托“863”计划项目成果，经数年发展，在技术水平、产品种类、市场拓展上均实现了跨越式发展。2021年南大光电为全球MO源市场占有率前二的厂商，市场占有率接近30%，并占据国内市场第一的份额。在电子特气领域，公司于2013年获得国家“02专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目，同年成立全椒南大光电材料有限责任公司，启动砷烷、磷烷等特种气体的研发工作，同时在含氟电子特气方面，公司于2019年收购飞源气体，该公司是全球含氟电子特气主要供应商，目前三氟化氮产量位居国内第二。在光刻胶领域，公司于2017年获得国家“02专项”193nm光刻胶及配套材料的研发项目立项，2020年公司研发的ArF光刻胶产品成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，标志着国产光刻胶产品的产业化取得关键性的突破。主营业务：公司的业务以前驱体、电子特气、光刻胶三大关键半导体材料产品生产、研发和销售为主。公司先进前驱体材料板块主要由MO源类产品构成，同时布局高纯ALD/CVD前驱体、高K三甲基铝、硅前驱体和OLED材料等产品。公司在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，主要产品有三甲基镓、三甲基铟、三乙基镓、三甲基铝等，产品的纯度大于等于6N级别。公司电子特气板块主要包括氢类电子特气产品和含氟电子特气产品。公司氢类电子特气主要包括磷烷、砷烷等，产品纯度已达到6N级别。公司子公司飞源气体是国内主要的含氟电子特气生产企业，产品主要包括三氟化氮、六氟化硫及其副产品。在光刻胶及配套材料板块，公司正在自主研发和产业化的ArF光刻胶（包含干式及浸没式）可以达到90nm-14nm的集成电路工艺节点，有望实现高端光刻胶材料的进口替代。产业链介绍：MO源是光电产业的支撑材料之一，其纯度、品质对最终的光电器件或高频器件的质量和性能起着决定性作用。MO源行业的上游主要有镓、铟等稀有金属以及其他辅助原料，其中其他辅助原料均属于常规工业用品，国内供应比较充足。目前90%以上的MO源都被用来生产LED外延片。此外，MO源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等，在相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。电子特气行业的上游主要是空气、工业废气以及基础化学材料，其纯度决定了产品质量。电子气体在电子产品制程工艺中广泛应用于离子注入、刻蚀、气相沉积、掺杂等工艺，被称为集成电路、液晶面板、LED及光伏等材料的“粮食”和“源”，半导体行业的高速发展是电子特气的主要推动力。光刻胶行业的上游主要是感光材料、树脂、溶剂等，公司所生产的高端光刻胶应用于半导体行业。股权结构：截至2021年9月30日，公司前十大股东共持有1.5亿股，占总股本35%。第一大股东沈洁直接持股4318.16万股，占总股本10.23%。由于公司股权较为分散，单一股东持有或控制的公司股份比例均不超过30%，也没有单一股东能够决定半数以上董事会成员的选任，公司单个或存在同一控制下的董事或高级管理人员亦无法单独支配公司重大财务和经营决策，且公司前三大股东之间不存在关联关系，因此公司不存在控股股东和实际控制人。营业收入与净利润：公司2021年前三季度实现营收7.09亿元，同比增长65.11%；

归母净利润1.24亿元，同比增长38.58%。2020年实现营收5.95亿元，同比增长85.13%；

归母净利润8701.63万元，同比增长58.18%。业务占比：公司业务主要包括MO源、电子特气以及其他主营业务，其中MO源以三甲基铟和三甲基镓为主。从公司收入占比来看，从2012年到2016年，公司收入主要来自于MO源产品。2017年电子特气业务开始发力，高纯砷烷、磷烷产品成功进入了国内主要LED客户的大规模生产中。2019年公司收购飞源气体，电子特气营收首次超过MO源产品营收，2020年电子特气业务收入4.29亿元，占比72.18%，成为公司的核心收入来源。2020年，三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、三乙基镓等合并为MO源产品，共占比20.21%。毛利率情况：公司2012-2020年销售毛利率整体维持在40%以上。公司2020年销售毛利率41.09%，其中电子特气业务毛利率43.59%，MO源产品整体毛利率为29.30%。费率情况：2018年以来，公司总费用率整体呈下降趋势，2018年公司的总费用率为40.43%，2020年总费用率为35.66%。2020年公司研发费用率10.63%，较去年同期下降1.51个百分点；2020年管理费用率19.13%，较上年同期上升4.84个百分点，主要是公司因经营成果计提绩效奖金增加、新增管理用固定资产及暂时未投产固定资产计提折旧及非同一控制下企业合并子公司合并期间比上期增加综合影响所致；2020年销售费用率为5.51%，较上年同期下降1.3个百分点。公司财务费用率一直维持在较低水平。卡位半导体核心材料MO源，技术领先龙头地位凸显LED需求+新兴应用拉动，MO源市场稳健增长MO源是现代化合物半导体产业的支撑原材料。MO源即高纯金属有机源，是利用先进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生成化合物半导体材料的关键支撑原材料，因而又被称为MOCVD的“前驱体”。主要产品包括：三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、三乙基铝、三乙基镓、二乙基锌、二甲基锌、二茂镁、二乙基碲、二叔丁基碲、三甲基锑、三乙基锑、四氯化碳、四溴化碳、液态二茂镁、二茂铁、硼酸三乙酯、三乙基硼，其中三甲基镓、三甲基铟和三甲基铝等四五种用量较大。MO源是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航天等领域有着极其重要的作用。MO源的质量直接决定了最终器件的性能，因此MOCVD工艺对MO源的质量要求很高，其中纯度是衡量MO源质量的关键指标。生产MO源的工艺过程主要包括合成、纯化、分析和灌装四个环节。大多数MO源化合物对氧气、水汽极其敏感，遇空气会发生自燃，遇水可发生爆炸，且毒性大。因此，MO源实现从研发到生产的转化需要极为苛刻的条件支持。南大光电的合成环节采用独特的合金法，该方法和卤化物法相比工艺简单，原料无腐蚀性，副产物少，且价格便宜，有效解决MO源污染严重的问题。四大企业占据MO源行业主要市场份额。目前全球范围内MO源的生产厂商较少，只有中国、美国、欧洲、日本四个区域的少数几个公司拥有产业化生产的能力。现阶段，全球范围内市场份额占比高的MO源生产企业主要为中国南大光电（Nata）、美国陶氏化学

（Dow）、德国默克旗下Sigma-Aldrich、荷兰阿克苏诺贝尔（AkzoNobel）等，这四家企业合计市场份额占比达到95%左右。2021年南大光电的市场占有率达30%左右，国内市占率第一。LED是目前MO源的主要应用。在MO源的下游应用中，有超过90%的产品被用于生产LED外延片。LED生产包括外延片生长、芯片加工和芯片封装三个步骤，其中外延片生长是三个环节中附加值最高、技术难度最大的环节，MOCVD也是外延片生长的主流工艺，核心材料即为MO源。得益于下游LED行业的发展和制造LED所需制造外延片需要的MOCVD设备市场的增长，MO源市场规模保持稳健增长。中国MOCVD设备拥有量占全球70%以上，随着LED产业链逐渐向大陆转移，该比重仍有上升趋势。2017年大陆MOCVD保有量1718台，同比增长16.71%，整体保持较快增速。LED照明领域面临压力。在国内LED市场，目前LED的主要应用领域仍是通用照明领域。2019年通用照明LED应用占总规模的42.40%。近十年，受益于全球LED行业的高景气度以及节能环保理念的普及，国内LED产值总体保持在15%以上的增速。近三年，由于全球景气度下降以及国内产能过剩，增速逐渐回落，2020年受新冠疫情影响，全球经济发展和消费市场均受到了严重冲击，叠加照明行业激烈的市场竞争态势，LED照明企业普遍面临巨大的经营压力。2020年全国LED总产值5512亿元，同比下降26.97%。从全球LED照明市场来看，在节能环保理念传播下，LED照明市场总体保持在10%以上增速，2018年全球LED照明产业规模达到629亿美元，同比增长14.2%，但近几年增速亦明显放缓。长期来看，预计LED照明渗透率仍有上升空间，行业景气度随着行业内资源整合和疫情后经济复苏会有回升。中国LED显示屏行业发展迅速。中国LED显示屏行业发展起步较晚，早期产品主要以单、双色显示屏为主。随着LED器件材料的发展与LED显示屏控制技术的突破，LED全彩显示屏市场发展迅速，应用领域不断得到延伸，逐步取代单双色屏、投影等传统显示产品成为室内外主流大屏幕显示产品。2019年LED显示应用规模占总应用规模的17%，市场规模达626亿元，同比上升20%。2019年LED显示领域产值1089亿元，同比上升14.99%。LED显示应用迎来新的发展机遇。随着文旅经济、室内高清显示屏、车用显示屏等对显示产品的进一步需求，小间距及MiniLED、MicroLED、IRLED、UVLED还将存在广阔的市场空间，LED显示应用有新的发展机遇。2021年，苹果、华为、创维、TCL、三星等大厂纷纷在电视、笔记本电脑等产品中应用MiniLED技术。下游巨头全面入局，有望加速产业链的发展。根据Arizton数据，2024年全球MiniLED市场规模有望达到23.22亿美元，6年的复合增速将达到147.92%。新型应用场景驱动化合物半导体快速成长，为MO源注入新动能。除LED外，MO源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等；在相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。氮化镓、砷化镓等化合物半导体（即“新一代半导体”）近年来开始在通信器件、电力电子器件、新型光电器件等领域显现出重要作用。MO源是制备新一代半导体的重要材料。新一代半导体所需要的MO源纯度要求更高，杂质更低，这对MO源超纯化和超纯分析技术提出了更高的要求。在攻克技术条件的前提下，随着第三代半导体的蓬勃发展，MO源有望在这一新领域迎来新的机会。PERC工艺的普及提升了MO源在光伏领域的应用。在PERC结构中Al2O3钝化层是提高效率的关键，而Al2O3薄膜的制备采用PECVD或者ALD沉积工艺并使用三甲基铝

（TMA）为原料，这进一步为MO源的应用打开了空间。在砷化镓太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池等新一代太阳能电池中，MO源也是核心原材料，其质量是决定太阳能电池质量的关键。随着新一代太阳能电池制造的PERC技术迎来突飞猛进的发展，MO源在光伏领域的应用进一步提升。砷化镓太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池的普及应用将给MO源行业的发展带来新的动力。薄膜太阳能电池占太阳能电池份额较小，但经过40多年的发展，目前全球薄膜电池的年出货量也达到GW量级，成为光伏市场的重要补充。2019年晶体硅太阳能电池依然是太阳能电池的主导产品，其产量占全部太阳能电池产量的比重为95.37%，薄膜电池产量占全部太阳能电池产量的4.63%。随着技术的发展，新兴太阳能电池近年来也将有所发展。全球MO源市场仍将保持快速上升态。受益于LED、太阳能电池、相变存储器等行业发展的拉动，全球MOCVD设备保有量不断增多，生产能力不断增强，带动MO源需求量持续快速增长。根据M数据，2011-2015年，全球MO源市场需求量年均复合增长率达到40%以上。受消费电子、家电市场饱和度不断提高，以及光伏发电新增装机量增速下滑等因素影响，2015-2020年，全球MO源市场需求增速有所下降，但仍保持上升态势。根据M的数据，2019年全球MO源市场规模在1.1亿美元左右。我们预计到2025年，全球MO源市场规模将达到约1.8亿美元，对应2021-2026年复合增长率为8.3%。公司MO源技术优势显著，客户覆盖度高中国MO源行业发展势头强劲。现阶段，中国已经具备MO源自主生产能力，南大光电是中国MO源行业中的领先企业，其MO源产品布局较为全面，已经进入全球半导体市场供应链，得到欧美日韩等国家与地区企业认可。2019年，南大光电

MO源产品销量达到29.2吨，同比增长9.29%。南大光电在MO源制备中形成了系统的技术优势。以MO源的合成技术为例，卤化物法是国际上最为通用的方法，该方法由于副产物过多，合成效率不高，且其原料具有腐蚀性，生产过程对安全要求非常高。南大光电经过多年的研究开发，已掌握了卤化物法，在产业化过程中，针对卤化物法所存在的弊端，逐步开发完善了具备更多优势的合金法生产技术，最终实现了独特的合金法生产工艺，该方法原料无腐蚀性且价格便宜；副产物较少，合成效率相对较高；原料和副产物安全，降低了生产过程中的危险系数，是一种既安全又清洁高效的生产方法。另外，南大光电在纯化、分析、封装等生产技术和工艺方面持续自主创新，并全面达到国际先进水平，从而形成了系统的技术优势。南大光电拥有经验丰富的研发和管理团队。公司汇聚了一批国内MO源领域最顶尖的技术专家和管理专家。公司董事长孙祥祯教授先后主持国家863计划MO源项目、MO源国家重点科技攻关项目等研究工作，是国家863计划新材料MO源研究开发中心创始人，曾获国家科技部授予的“八六三计划先进个人”称号、国家科委授予的“八六三”计划先进工作者一等奖、并作为MO源项目第一完成人获得国家教委授予的科学技术进步二等奖。公司的核心技术人员吕宝源先生、陈化冰先生、许从应先生、吉敏坤先生等均具有十年以上的MO源研究、产业化实践和企业管理经验。公司总经理李建华先生具有丰富的大型制造类企业经营管理经验以及海外市场拓展经验。公司稳定高效的核心管理团队均持有公司股份。公司产品远销亚太、欧美等主流市场，高端客户群不断壮大。公司高端客户主要包括欧洲的Osram，日本的ToyodaGosei，中国台湾的晶元光电、广镓光电，韩国的首尔半导体、LG等。公司产品在中国大陆市场处于优势地位，大陆主要外延片厂商都与公司建立了长期合作关系。国产光刻胶先行者，ArF通过产品验证技术壁垒高企，海外巨头垄断光刻胶市场光刻胶行业具有较高的技术壁垒。光刻胶由树脂、溶剂、光引发剂、添加剂四部分组成。光刻胶产品种类多、专用性强，需要长期技术积累，对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求，企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术，具有较高的技术壁垒。光刻胶是光刻环节的重要耗材。光刻是将IC设计好的图形由掩膜版转移至硅片后再进行下一步刻蚀的工艺，成本占芯片制造的30%，时间占50%，是IC制造中耗时最大、难度最高的工艺。光刻时会在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶化学性质发生变化，再经显影后将曝光的光刻胶去除，实现图形从掩膜版到硅片的转移。光刻胶作为光刻环节的重要耗材，其质量和性能直接影响IC产线良率，是IC制造的核心材料之一。光刻胶品类繁多。光刻胶的品种很多，使用的工艺条件依光刻胶的品种不同而有很大的不同。按曝光波长不同可分为紫外（300～450nm）光刻胶、深紫外（180～265nm）光刻胶、电子束光刻胶（0.01～0.001nm）、离子束光刻胶（＜0.001nm）、x射线光刻胶等。随着曝光波长变化，光刻胶中的关键组分，如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生相应的变化，光刻胶的综合性能也不断提高。ArF光刻胶目前是光刻胶的重要应用品类。随着摩尔定律的发展，晶圆上需要容纳的二极管越来越多，在晶圆上刻画电路的精度和难度也相应提高。为满足更高集成度更精密的集成电路制造，光刻环节必须采用更短波长的光源，光刻分辨率也相应提高——光刻机的曝光光源从宽谱紫外线发展到I线（365nm）、KrF线（248nm）、ArF线（193nm）以及目前最前沿的EUV（13.5nm）光源，而不同的光源需要使用不同的光刻胶。ArF（193nm）光源对应曝光的是ArF光刻胶，而集成电路工艺在从90nm节点拓展到7nm节点的过程中，几乎都采用ArF工艺做为关键层工艺，以满足其对于分辨率及套刻精度的要求。为适应光刻工艺，ArF光刻胶逐渐由干法ArF光刻胶发展为湿法ArF光刻胶。根据光刻条件下使用的折射介质的不同，ArF光刻胶可分为干法光刻胶与湿法（浸没式）光刻胶：干法工艺的折射介质是空气，应用于45nm以上技术节点；而湿法工艺的折射介质是水，45nm及以下技术节点主要采用湿法工艺来满足更小的分辨率需求。首先得到推广的是干法ArF光刻胶。ArF光刻胶属于化学放大型光刻胶的一种，其雏形源自IBM公司，由于KrF光刻胶所使用的聚对羟基苯乙烯体系对波长更短的193nm深紫外ArF光有强烈的吸收（主要源自其结构中的苯环），因此该体系不适用于ArF光刻。为解决这一问题，1991年IBM公司设计出ArF光刻胶的原型——甲基丙烯酸甲酯（MMA）、甲基丙烯酸丁酯

（TBMA）和甲基丙烯酸（MAA）三元共聚物，通过调整各组分的比例可以实现对光刻胶性能的微调。随着光刻工艺步入45nm及以下的节点，干法ArF光刻胶难以满足此时的需求，湿法ArF光刻胶（也称“浸没式ArF光刻胶”）则顺势而起。浸没式ArF光刻技术凭借在65nm及以下的工艺节点开始取得巨大的突破而收到更多关注——2004年JSR首次通过ArF浸没式光刻成功实现了32nm分辨率，引领了巨大的的技术变革。2006年JSR又与IBM合作，通过ArF浸没式光刻成功实现了30nm及更小的线宽。日美企业在光刻胶领域具有垄断地位。从全球市场份额来看，光刻胶市场主要由日本、美国、韩国企业所把控。2021年东京应化、JSR、住友化学、富士胶片分别占据27%、13%、12%、8%的市场份额，陶氏化学占据17%的市场份额，韩国东进占据11%的市场份额。细分到高端的ArF光刻胶领域，行业的垄断格局更为明显。在ArF光刻胶方面，JSR、信越化学、东京应化、住友化学、富士胶片、陶氏化学分别占据24%、23%、20%、15%、8%、4%的市场份额。几大供应厂商的市占率合计均超过90%。高资本开支下，光刻胶市场持续扩容随着全球晶圆制造产能持续增长，光刻胶市场不断扩容。集成电路制造为IC光刻胶的下游应用，其资本开支情况为上游原材料行业景气度的先行指标。2019年，全球晶圆制造资本支出392.7亿美元，同比增长8.37%。其中制造设备方面，根据SEMI数据，2020全年半导体制造设备销售额712亿美元，相比2019年的598亿美元增长了19%。我们预计在下游较大的资本开支支持下，上游半导体材料仍将保持高景气度。半导体产业重心正在向中国转移。从区域上看，2019年全球半导体销售额4101亿美元，较2018年同比下降12.05%，但中国半导体销售额占全球比例逐年上升，从2014年的27.3%提升至2020年的34.40%，体现了中国高于全球的行业增速。产业重心正在向中国转移。中国仍然是全球最大的半导体市场。根据SIA发布的数据，中国仍然是全球最大的半导体市场，2021年的销售额为1925亿美元，增长了27.1%。中国大陆晶圆产能近年将明显提升。根据芯思想数据，截止2021年，中国内地12英寸、8英寸和6英寸及以下的晶圆制造线共有210条，已经投产的12英寸晶圆制造线有29条，合计装机月产能约131万片。截止2021年，中国大陆在全球晶圆产能中的份额达到16%，仅次于韩国和中国台湾地区。随着下游产能的快速增长，我们预计光刻胶市场亦将持续扩容。光刻胶领域全球具有百亿市场。光刻胶是集成电路制造必不可少的关键原材料。2021年，全球光刻胶市场规模19亿美元，折合人民币约120.4亿元，同比增长11%。预计2022年达到21.34亿美元。随着半导体线路图形越来越小，光刻工艺对光刻胶的需求量也越来越大，再加之全球电子产业东移趋势持续，中国IC光刻胶市场将持续扩容，我们预计2022年中国IC光刻胶市场规模为31.59亿元。高端光刻胶依赖进口，国产化提升空间巨大。当前，中国半导体领域的g线、i线光刻胶基本可以满足自给。两者主要用于6英寸晶圆的集成电路制造。而更为高端的KrF、ArF光刻胶，中国则高度依赖进口，国产化率存在极大的提升空间。在EUV光刻胶研发受限的情况下，ArF光刻胶已成为国产光刻材料公司所能做的技术水平最高的光刻胶（主要指商用领域）。公司持续深耕谋求突破，ArF光刻胶已通过产品验证南大光电获得国家"02专项"193nm光刻胶及配套材料的研发项目立项，研发ArF光刻胶进展顺利。公司2017年9月正式立项“193nm光刻胶及配套材料关键技术研究项目”

的一期研究，并于2018年12月投资65557万元实施“193nm（ArF）光刻胶材料开发和产业化”项目，以全资子公司宁波南大光电材料有限公司为实施主体。同时，公司设立光刻胶事业部，组建了包括高级光刻胶专业人才的独立研发团队，建成1500平方米的研发中心和百升级光刻胶中试生产线，开发出了多款树酯、光敏剂、单体，创新并不断优化提纯工艺，研究出193nm光刻胶的配方，产品研发进展和成果得到业界专家的认可。公司在光刻胶方面研发经费持续投入，研发团队不断扩大。公司2020年年报显示，截至2020年年底公司拥有研发人员136人，占公司总人数的比例为19%左右，拥有丰富的研发人员储备和良好的研发人员培养机制。持续不断的研发投入、稳定的研发团队和创新文化是公司能够持续进行技术创新与产品研发的基础。目前已经建成一支具有国际水平的高素质研发与管理团队，并不断加强优质人才储备，保障公司的持续研发能力。南大光电自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户的使用认证。2020年12月17日，宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户的使用认证，验证使用的50nm闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。公司产品成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，具有里程碑式意义。公司预计未来形成年产25吨193nm（ArF干式5吨和浸没式20吨）光刻胶产品的生产规模，产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。并建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心，为公司新的高端光刻胶产品的研发和产业化提供技术保障。积极布局电子特气，砷烷磷烷+含氟气体优势显著电子特气百亿市场，下游需求持续增长电子特气高技术含量、高附加值，下游应用领域广泛。电子特气是随着电子行业的兴起而在工业气体门类下逐步细分发展起来的新兴产业，属于高技术、高附加值产品，其制造要经过气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测等生产工序。电子特气是集成电路、平板显示、LED、太阳能电池等泛半导体领域生产制造过程中不可或缺的关键性化工材料，并对最终产品产生较大影响，被誉为电子产业的“粮食”和

“血液”。按照使用场景的不同，电子气体可以被分为“硅族气体、掺杂气体、刻蚀清洗气体、反应气体、沉积气体”等。高纯电子特气是电子工业核心关键材料之一。随着半导体集成电路技术的发展，对电子气体的纯度和质量也提出了更高要求。高纯电子特种气体在制造环节使用较多，比如离子注进、气相沉积、洗涤、遮掩膜形成过程中使用到一些化学气体，常见的有SiH4、PH3、ASH3、B2H6、N20、NH3、SF6、NF3、CF4、BCI3、BF3、HCI、Cl2等。根据中国半导体行业协会数据，由于电子特气在制造过程中使用的步骤较多，消耗量远远高于其他材料，占比为14%，气体(包含高纯和混合气体)作为半导体材料中的核心原料，是除硅晶圆之外的第二大材料。电子特气行业集中度高，国际气体巨头占据市场。从全球市场上来看，行业CR4高达94%，其中美国空气化工、德国林德-普莱克斯并列第一，市场份额均达到26%。分析国内半导体用电子气体市场情况，市场份额同样被国际巨头垄断。美国空气化工、德国林德-普莱克斯市场份额均达到30%，日本昭和电工位居第三，占比达到15%。光伏产业势头迅猛，带动电子特气需求空间增长。在光伏领域，电池片作为太阳能电池的核心组件，电子特气在其生产过程中扮演着重要角色。据中商产业研究院统计，2020年中国光伏产业太阳能电池产量达15728.6万千瓦，同比增长22.3%。从区域上看，中国光伏产能占全球比例快速提升，2020年中国光伏产能253834兆瓦，占全球比例从2009年的1.82%快速提升至35.88%。在全球能源革命的驱动下，光伏产业发展势头迅猛，有望带动电子特气的需求空间进一步增长。显示面板出货仍有增长，推动电子特气市场增长。在显示面板领域，电子特气主要应用于成膜和干刻工艺。据赛迪智库数据，2011-2018年中国显示面板产业增速保持在20%以上，2019、2020年两年增速有所下降，但仍维持在10%以上，2020年，中国新型显示产业直接营收达到4460亿元，全球占比达到了40.3%，产业规模位居全球第一。截至2020年底，中国大陆地区已建成6代及以上面板生产线35条，产线总投资达到1.24万亿元，年产能达到2.22亿平方米。我们预计未来几年面板出货面积仍有增长空间。集成电路、LED等电子工业市场的快速发展，有望带动电子特气市场规模不断增大。2020年，中国电子特气按下游应用进行分类，集成电路及器件领域占比44.2%；面板领域占比34.7%；太阳能及LED等领域占比21.1%。集成电路是目前最大的应用场景，未来中国集成电路市场有望迎来高速增长，有望助力电子特气市场规模不断扩大。参考国内及全球下游行业增速，我们预测，至2023年，全球电子特气市场总规模将达934亿元，其中集成电路用电子特气市场规模401亿元；至2023年，中国电子特气市场总规模将达238亿元，其中集成电路用电子特气市场规模100亿元。砷烷磷烷打破海外垄断，扩大产能满足市场需求公司自主研制高纯砷烷、磷烷等特气打破国外垄断。磷烷、砷烷是高纯特种气体中技术门槛和开发难度极高的两个品种，是半导体、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材料，并长期处于海外技术封锁中。砷烷因其易燃、剧毒、易爆等特征，从生产角度来说合成到提纯各个环节难度都较大。2013年，南大光电上市之初，许从应博士团队便着手国家“02专项”高纯砷烷、磷烷等特气的研发和中试项目，经过多年耕耘，其产品自2016年起开始推向市场并率先被LED客户广泛接受，有效打破国外垄断。公司磷烷、砷烷业务从“增长点”向“支撑点”发展。公司在2016年完成一期量产，年产35吨高纯磷烷、15吨高纯砷烷，产品纯度均达到6N标准以上级。目前公司已占据国内75%市场份额，并进入英特尔、欧司朗、飞利浦等一流公司供应商名录。2019年公司启动产能扩大项目，计划一期提升17.5吨磷烷产能，在2019年底二期项目再提升17.5吨磷烷以及15吨砷烷。2019年公司电子特气业务实现营收1.64亿元，占公司总营收50.91%，首次超过MO源业务，公司砷烷、磷烷业务逐渐向“支撑点”发展。南大光电高纯磷烷砷烷将迎来新的机遇。磷烷及砷烷在GaAs基LED外延生长过程中的GaAs、InAlP化学气相沉积沉积中被大量使用，自2017年以来，苹果手机搭载的GaAs基VCSEL激光器将GaAs应用场景从传统的红黄光LED拓展至3D传感和人脸识别领域，将GaAs材料推向加速发展的快车道，此外，5G大发展之下的射频器件也是GaAs材料的重要增量。根据观研天下数据，2019年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量约为2000万片，预计到2025年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量将超过3500万片；2019年全球砷化镓衬底市场规模约为2亿美元，预计到2025年全球砷化镓衬底市场规模将达到3.48亿美元，2019-2025年复合增长率9.67%。随着GaAs材料的快速发展，预计南大光电高纯磷烷砷烷将迎来新的机遇。收购飞源气体切入含氟特气，产能规模行业领先收购飞源气体，公司持续布局电子特气业务。2019年，为进一步推进电子特种气体业务的布局与发展，公司采用现金收购及增资方式取得山东飞源气体57.97%的股权，正式切入氟系电子特种气体领域。山东飞源气体主要从事三氟化氮（NF3）、六氟化硫（SF6）、四氟化碳（CF4）及其副产品的生产及销售，产品主要面向面板行业和半导体行业。交易完成后，山东飞源气体技术改造和生产建设项目顺利推进，生产稳定，发展势头良好，产品品质得到广大客户的认可。公司已成功进入多家国际领先企业供应名单，如台积电、中芯国际、京东方、鸿海集团等。三氟化氮方面：三氟化氮是一种优良的等离子蚀刻气体，具有优异的蚀刻速率和选择性，而且对表面无污染。在电子工业中，NF3作为蚀刻剂和清洗剂被广泛应用于IC（集成电路）行业、LCD（面板显示）行业等，应用占比超过70%；同时在火箭发射中作为氧化剂和推进剂使用。2018-2021年，全球三氟化