《半导体的高温掺杂》教学课件

《半导体的高温掺杂》幻灯片本课件PPT仅供大家学习使用学习完请自行删除，谢谢！本课件PPT仅供大家学习使用学习完请自行删除，谢谢！《半导体的高温掺杂》幻灯片本课件PPT仅供大家学习使掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等掺杂应用：BECppn+n-p+p+n+n+BJTpwellNMOS

掺杂工艺:热扩散法掺杂（diffusion）

离子注入法掺杂(ionimplant)掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并掺杂过程气/固相扩散离子注入或退火预淀积＝优点缺点预淀积控制剂量恒定剂量推进退火离子注入气/固相扩散室温掩蔽无损伤掺杂精确剂量控制产率高1011～1016/cm2剂量精确的深度控制高浓度浅结形成灵活损伤位错会导致结漏电需要长时间驱入退火，可能获得低表面浓度沟道效应会影响杂质分布低剂量预淀积困难注入损伤增强扩散受到固溶度限制掺杂过程气/固相扩散离子注入或退火预淀积＝缺点预淀积控制剂量4.1扩散现象扩散模型扩散是一种物理想象，是因为分子受到热运动的驱动而使物质由浓度高的地方移向浓度低的地方。扩散可以发生在任何时间和任何地方。如香水在空气中扩散；糖，盐在溶液中扩散。扩散的发生需要的条件：浓度差；4.1扩散现象扩散模型扩散是一种物理想象，是因为分子受到1.热扩散法掺杂

热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。1.热扩散法掺杂氧化扩散炉氧化扩散炉扩散炉中的硅片用装片机将硅片装载到石英舟上扩散炉中的硅片用装片机将硅片装载到石英舟上

热扩散步骤热扩散通常分两个步骤进展：------预淀积〔predeposition〕也称预扩散----推进〔drivein〕/再分布

热扩散步骤预淀积〔预扩散〕

预淀积:温度低(炉温通常设为800到1100℃),时间短,因而扩散的很浅,可以认为杂质淀积在一薄层内。目的是为了控制杂质总量即形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。预淀积为整个扩散过程建立了浓度梯度。表面的杂质浓度最高,并随着深度的增加而减小,从而形成梯度。在扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变,因此这是一种恒定表面源的扩散过程。预淀积〔预扩散〕推进〔主扩散〕推进是利用预淀积所形成的外表杂质层做杂质源，在高温下〔炉温在1000到1250℃〕将这层杂质向硅体内扩散。目的为了控制外表浓度和扩散深度。通常推进的时间较长，推进是限定外表源扩散过程。

推进〔主扩散〕二维扩散〔横向扩散〕一般横向扩散(0.75~0.85)*Xj(Xj纵向结深)二维扩散〔横向扩散〕一般横向扩散(0.75~0.85)*XjXj0.75~0.85Xj横向扩散Xj0.75~0.85Xj横向扩散(a)间隙式扩散(interstitial)(b)替位式扩散(substitutional)间隙式杂质：O,Au,Fe,Cu,Ni,Zn,MgEi

~0.6–1.2eV替代式杂质P，B，As,Al,Ga,Sb,GeEi

~3–4eV2扩散原理及模型

2.1扩散分类间隙原子必须越过的势垒高度Ei(a)间隙式扩散(interstitial)(b)替位式替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置Ⅲ、Ⅴ族元素一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层慢扩散杂质间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙Na、K、Fe、Cu、Au等元素扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级间隙式扩散原子的激活能量要比替位扩散小快扩散杂质替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置Ⅲ、Ⅴ族元素间隙式扩散：半导体中的扩散工艺是利用固体中的扩散现象，将一定种类和一定数量的杂质掺入到半导体中去，以改变半导体的电学性质2.2扩散模型半导体中的扩散工艺是利用固体中2.2扩散模型1.恒定外表源扩散：恒定源扩散过程实际是预淀积过程2.有限源扩散：有限外表源扩散实际上是杂质的再分布〔驱入〕《半导体的高温掺杂》教学课件《半导体的高温掺杂》教学课件扩散过程中，硅片外表杂质浓度始终不变这种类型的扩散称为恒定外表源扩散。1.恒定表面源扩散其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布特点：表面浓度始终保持不变扩散过程中，硅片外表杂质浓度始终不变这种类型的扩散称2、恒定表面源扩散：表面杂质浓度恒定为Cs边界条件：C(x,0)=0,x0C(0,t)=Cs

C(,t)=0实际工艺中，这种工艺称作“预淀积扩散”。即气相中有无限量的杂质存在，可以保证在扩散表面的杂质浓度恒定。解方程，得恒定扩散方程的表达式

C(x,t)为某处t时的杂质浓度Cs为表面杂质浓度，取决于某种杂质在硅中的最大固溶度erfc称作“余误差函数”2、恒定表面源扩散：表面杂质浓度恒定为Cs边界条件：C(xerfc(x)=ComplementaryErrorFunction=1-erf(x)余误差函数性质：对于x<<1对于x>>1erfc(x)=ComplementaryError：称为特征扩散长度1）掺杂总量为A和Cs/CB有关D与温度T是指数关系,因此T对结深的影响要较t大许多2）扩散结深为xj，则：称为特征扩散长度1）掺杂总量为A和Cs/CB有关2）扩散结3）杂质浓度梯度梯度受到Cs、t和D（即T）的影响。改变其中的某个量，可以改变梯度，如增加Cs（As）。在p-n结处CB和Cs一定时，xj越深，结处的梯度越小。3）杂质浓度梯度梯度受到Cs、t和D（即T）的影响。改变其表面杂质浓度不变扩散时间越长，杂质扩散距离越深，进入衬底的杂质总量越多。杂质分布满足余误差函数分布t1t2t3t1<t2<t3CB恒定表面源扩散的主要特点表面杂质浓度不变t1t2固溶度（solidsolubility）：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。固溶度－热力学

最大浓度超过电固溶度的

杂质可能形成电中性

的聚合物，对掺杂区

的自由载流子不贡献恒定表面源的扩散，其表面杂质浓度Cs基本由杂质在扩散温度（900－1200C）下的固溶度决定，而固溶度随温度变化不大。固溶度（solidsolubility）：在平衡条件下，杂扩散前在硅片外表先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化,杂质来自扩散前外表淀积的一薄层中的杂质原子。这种类型的扩散称为有限外表源扩散其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布2.有限表面源扩散扩散前在硅片外表先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质3、有限表面源扩散：表面杂质总量恒定为QT在整个扩散过程中，预淀积的扩散杂质总量作为扩散的杂质源，不再有新源补充。如先期的预淀积扩散或者离子注入一定量的杂质，随后进行推进退火时发生的高温下扩散。初始条件：边界条件：得到高斯分布Cs3、有限表面源扩散：表面杂质总量恒定为QT在整个扩散过程中，2）扩散结深1）表面浓度Cs随时间而减少3）浓度梯度在p－n结处浓度梯度随着扩散深度（结深）增加而下降A随时间变化2）扩散结深1）表面浓度Cs随时间而减少3）浓度梯度在p－n杂质总量保持不变扩散时间越长，扩散越深，表面浓度越低。扩散时间相同时，扩散温度越高，表面浓度下降越多杂质分布满足高斯函数分布有限表面源扩散的主要特点t1t2t3t1<t2<t3CB杂质总量保持不变有限表面源扩散的主要特点t1余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定杂质总量增加扩散深度增加高斯函数分布（Gaussian）表面浓度下降(1/t)杂质总量恒定结深增加关键参数

Cs（表面浓度）

xj

（结深）

Rs（薄层电阻）余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定高斯函数分布（Gaus二步扩散第一步为恒定表面源扩散

(称为预沉积或预扩散)控制掺入的杂质总量第二步为有限表面源扩散

(称为主扩散或再分布)控制扩散深度和表面浓度二步扩散第一步为恒定表面源扩散第二步为有限一、液态源扩散二、固态源扩散4.3扩散方法一、液态源扩散4.3扩散方法一、液态源扩散液态源扩散是指杂质源为液态，保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底外表的硅原子发生反响释放出杂质原子，然后以原子的形式进入硅片内部，从而形成PN结。一、液态源扩散液态源扩散是指杂质源为液态，保护性气体把杂质《半导体的高温掺杂》教学课件杂质源为硼酸三甲酯，硼酸三丙酯，三溴化硼硼酸三甲酯在500℃以上分解B(OCH3)3B2O3+CO2+H2O+…三氧化二硼在900℃左右与硅反响生成硼原子，淀积在硅片外表2B2O3＋3Si3SiO2+4B1.液态源硼扩散杂质源为硼酸三甲酯，硼酸三丙酯，三溴化硼1.液态源硼扩散液态源扩散－－常用POCl3，在氮气携带下〔参加少量氧气〕，把杂质源通入石英管内4POCl3＋3O2==2P2O5＋6Cl22P2O5＋5Si=5SiO2＋4P

2.液态源磷扩散液态源扩散－－常用POCl3，在氮气携带下〔参加少量氧气〕，二、固态源扩散二、固态源扩散4.3扩散层参数测量扩散参数测量主要指扩散薄层电阻、扩散结深的测量1.方块电阻定义：如果扩散薄层为一正方形，其长度（边长）都等于L,厚度就是扩散薄层的深度（结深），在单位方块中，电流从一侧面流向另一侧面所呈现的电阻值，就称为薄层电阻，又称方块电阻，单位是/□

4.3.1扩散薄层电阻又称方块电阻，数值反应出硅中所掺杂质总量。故扩散结束后要测量此参数4.3扩散层参数测量扩散参数测量主要指扩散薄层电阻、扩散指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之〞间的电阻，如下图根据R＝ρL/S，得RS=ρL/Lxj=ρ/xj方块电阻与方块的尺寸无关,仅与扩散结深(扩散薄层的深度:扩散形成的pn结的深度)xj及杂质浓度有关指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之〞间的电阻，如下图根据R2.物理意义

薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量

q电荷，载流子迁移率，n载流子浓度假定杂质全部电离载流子浓度=杂质浓度n=N则：

Q：从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量方块电阻越小,掺杂的杂质总量越大;方块电阻越大,掺杂的杂质总量越小2.物理意义方块电阻越小,掺杂的杂质总量越大;2.方块电阻测量四探针法测量原理图

当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，称为电流探针，由稳压电源供电。2和3称为电位探针，测量这两个探针之间的电位差一般用四探针法测出方块电阻Rs(sheetResistance),通过它可判断扩散浓度的大小。2.方块电阻测量四探针法测量原理图当１、２、３、４四根材料电阻式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与４之间距，用cm为单位时的值若电流取I=C时，则R＝V，可由数字电压表直接读出探针系数（可由表查得）(1)(2)材料电阻式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与1.结深的定义

xj:当x=xj处

Cnx(扩散杂质浓度)=Cb(本体浓度)4.3.2结深(xj)计算和测量扩散结深是一个重要指标,可以计算,也可以测量1.结深的定义4.3.2结深(xj)计算和测量扩散结深是一2.结深的计算决定扩散结深的因素共有4个：1、衬底杂质浓度NB2、表面杂质浓度Ns3、扩散时间t4、扩散系数DD与T有关，T上升10CD上升1倍

恒定源扩散有限源扩散2.结深的计算决定扩散结深的因素共有4个：1、衬底杂质浓度N扩散常用杂质源扩散常用杂质源扩散制程的缺点

它不能很好的控制掺杂浓度和结面深度。由于扩散是一种等向过程，因此掺杂物总是会扩散到遮蔽氧化层底下的局部，即产生横向扩散。当使用较小的图形尺寸时，扩散掺杂会造成相邻接面短路。因此，当离子注入法在70年代中期被引入后，迅速的取代了扩散制程。扩散制程的缺点 它不能很好的控制掺杂浓度和结面深度。第四章复习扩散diffusion掺杂的两种方法是？扩散的三个步骤及每步的作用？2个扩散模型及特点？扩散的分类及特点？扩散的2个参数？各与什么因素有关？热扩散存在的问题？第四章复习扩散diffusion《半导体的高温掺杂》幻灯片本课件PPT仅供大家学习使用学习完请自行删除，谢谢！本课件PPT仅供大家学习使用学习完请自行删除，谢谢！《半导体的高温掺杂》幻灯片本课件PPT仅供大家学习使掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等掺杂应用：BECppn+n-p+p+n+n+BJTpwellNMOS

掺杂工艺:热扩散法掺杂（diffusion）

离子注入法掺杂(ionimplant)掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并掺杂过程气/固相扩散离子注入或退火预淀积＝优点缺点预淀积控制剂量恒定剂量推进退火离子注入气/固相扩散室温掩蔽无损伤掺杂精确剂量控制产率高1011～1016/cm2剂量精确的深度控制高浓度浅结形成灵活损伤位错会导致结漏电需要长时间驱入退火，可能获得低表面浓度沟道效应会影响杂质分布低剂量预淀积困难注入损伤增强扩散受到固溶度限制掺杂过程气/固相扩散离子注入或退火预淀积＝缺点预淀积控制剂量4.1扩散现象扩散模型扩散是一种物理想象，是因为分子受到热运动的驱动而使物质由浓度高的地方移向浓度低的地方。扩散可以发生在任何时间和任何地方。如香水在空气中扩散；糖，盐在溶液中扩散。扩散的发生需要的条件：浓度差；4.1扩散现象扩散模型扩散是一种物理想象，是因为分子受到1.热扩散法掺杂

热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。1.热扩散法掺杂氧化扩散炉氧化扩散炉扩散炉中的硅片用装片机将硅片装载到石英舟上扩散炉中的硅片用装片机将硅片装载到石英舟上

热扩散步骤热扩散通常分两个步骤进展：------预淀积〔predeposition〕也称预扩散----推进〔drivein〕/再分布

热扩散步骤预淀积〔预扩散〕

预淀积:温度低(炉温通常设为800到1100℃),时间短,因而扩散的很浅,可以认为杂质淀积在一薄层内。目的是为了控制杂质总量即形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。预淀积为整个扩散过程建立了浓度梯度。表面的杂质浓度最高,并随着深度的增加而减小,从而形成梯度。在扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变,因此这是一种恒定表面源的扩散过程。预淀积〔预扩散〕推进〔主扩散〕推进是利用预淀积所形成的外表杂质层做杂质源，在高温下〔炉温在1000到1250℃〕将这层杂质向硅体内扩散。目的为了控制外表浓度和扩散深度。通常推进的时间较长，推进是限定外表源扩散过程。

推进〔主扩散〕二维扩散〔横向扩散〕一般横向扩散(0.75~0.85)*Xj(Xj纵向结深)二维扩散〔横向扩散〕一般横向扩散(0.75~0.85)*XjXj0.75~0.85Xj横向扩散Xj0.75~0.85Xj横向扩散(a)间隙式扩散(interstitial)(b)替位式扩散(substitutional)间隙式杂质：O,Au,Fe,Cu,Ni,Zn,MgEi

~0.6–1.2eV替代式杂质P，B，As,Al,Ga,Sb,GeEi

~3–4eV2扩散原理及模型

2.1扩散分类间隙原子必须越过的势垒高度Ei(a)间隙式扩散(interstitial)(b)替位式替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置Ⅲ、Ⅴ族元素一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层慢扩散杂质间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙Na、K、Fe、Cu、Au等元素扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级间隙式扩散原子的激活能量要比替位扩散小快扩散杂质替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置Ⅲ、Ⅴ族元素间隙式扩散：半导体中的扩散工艺是利用固体中的扩散现象，将一定种类和一定数量的杂质掺入到半导体中去，以改变半导体的电学性质2.2扩散模型半导体中的扩散工艺是利用固体中2.2扩散模型1.恒定外表源扩散：恒定源扩散过程实际是预淀积过程2.有限源扩散：有限外表源扩散实际上是杂质的再分布〔驱入〕《半导体的高温掺杂》教学课件《半导体的高温掺杂》教学课件扩散过程中，硅片外表杂质浓度始终不变这种类型的扩散称为恒定外表源扩散。1.恒定表面源扩散其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布特点：表面浓度始终保持不变扩散过程中，硅片外表杂质浓度始终不变这种类型的扩散称2、恒定表面源扩散：表面杂质浓度恒定为Cs边界条件：C(x,0)=0,x0C(0,t)=Cs

C(,t)=0实际工艺中，这种工艺称作“预淀积扩散”。即气相中有无限量的杂质存在，可以保证在扩散表面的杂质浓度恒定。解方程，得恒定扩散方程的表达式

C(x,t)为某处t时的杂质浓度Cs为表面杂质浓度，取决于某种杂质在硅中的最大固溶度erfc称作“余误差函数”2、恒定表面源扩散：表面杂质浓度恒定为Cs边界条件：C(xerfc(x)=ComplementaryErrorFunction=1-erf(x)余误差函数性质：对于x<<1对于x>>1erfc(x)=ComplementaryError：称为特征扩散长度1）掺杂总量为A和Cs/CB有关D与温度T是指数关系,因此T对结深的影响要较t大许多2）扩散结深为xj，则：称为特征扩散长度1）掺杂总量为A和Cs/CB有关2）扩散结3）杂质浓度梯度梯度受到Cs、t和D（即T）的影响。改变其中的某个量，可以改变梯度，如增加Cs（As）。在p-n结处CB和Cs一定时，xj越深，结处的梯度越小。3）杂质浓度梯度梯度受到Cs、t和D（即T）的影响。改变其表面杂质浓度不变扩散时间越长，杂质扩散距离越深，进入衬底的杂质总量越多。杂质分布满足余误差函数分布t1t2t3t1<t2<t3CB恒定表面源扩散的主要特点表面杂质浓度不变t1t2固溶度（solidsolubility）：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。固溶度－热力学

最大浓度超过电固溶度的

杂质可能形成电中性

的聚合物，对掺杂区

的自由载流子不贡献恒定表面源的扩散，其表面杂质浓度Cs基本由杂质在扩散温度（900－1200C）下的固溶度决定，而固溶度随温度变化不大。固溶度（solidsolubility）：在平衡条件下，杂扩散前在硅片外表先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化,杂质来自扩散前外表淀积的一薄层中的杂质原子。这种类型的扩散称为有限外表源扩散其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布2.有限表面源扩散扩散前在硅片外表先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质3、有限表面源扩散：表面杂质总量恒定为QT在整个扩散过程中，预淀积的扩散杂质总量作为扩散的杂质源，不再有新源补充。如先期的预淀积扩散或者离子注入一定量的杂质，随后进行推进退火时发生的高温下扩散。初始条件：边界条件：得到高斯分布Cs3、有限表面源扩散：表面杂质总量恒定为QT在整个扩散过程中，2）扩散结深1）表面浓度Cs随时间而减少3）浓度梯度在p－n结处浓度梯度随着扩散深度（结深）增加而下降A随时间变化2）扩散结深1）表面浓度Cs随时间而减少3）浓度梯度在p－n杂质总量保持不变扩散时间越长，扩散越深，表面浓度越低。扩散时间相同时，扩散温度越高，表面浓度下降越多杂质分布满足高斯函数分布有限表面源扩散的主要特点t1t2t3t1<t2<t3CB杂质总量保持不变有限表面源扩散的主要特点t1余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定杂质总量增加扩散深度增加高斯函数分布（Gaussian）表面浓度下降(1/t)杂质总量恒定结深增加关键参数

Cs（表面浓度）

xj

（结深）

Rs（薄层电阻）余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定高斯函数分布（Gaus二步扩散第一步为恒定表面源扩散

(称为预沉积或预扩散)控制掺入的杂质总量第二步为有限表面源扩散

(称为主扩散或再分布)控制扩散深度和表面浓度二步扩散第一步为恒定表面源扩散第二步为有限一、液态源扩散二、固态源扩散4.3扩散方法一、液态源扩散4.3扩散方法一、液态源扩散液态源扩散是指杂质源为液态，保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底外表的硅原子发生反响释放出杂质原子，然后以原子的形式进入硅片内部，从而形成PN结。一、液态源扩散液态源扩散是指杂质源为液态，保护性气体把杂质《半导体的高温掺杂》教学课件杂质源为硼酸三甲酯，硼酸三丙酯，三溴化硼硼酸三甲酯在500℃以上分解B(OCH3)3B2O3+CO2+H2O+…三氧化二硼在900℃左右与硅反响生成硼原子，淀积在硅片外表2B2O3＋3Si3SiO2+4B1.液态源硼扩散杂质源为硼酸三甲酯，硼酸三丙酯，三溴化硼1.液态源硼扩散液态源扩散－－常用POCl3，在氮气携带下〔参加少量氧气〕，把杂质源通入石英管内4POCl3＋3O2==2P2O5＋6Cl22P2O5＋5Si=5SiO2＋4P

2.液态源磷扩散液态源扩散－－常用POCl3，在氮气携带下〔参加少量氧气〕，二、固态源扩散二、固态源扩散4.3扩散层参数测量扩散参数测量主要指扩散薄层电阻、扩散结深的测量1.方块电阻定义：如果扩散薄层为一正方形，其长度（边长）都等于L,厚度就是扩散薄层的深度（结深），在单位方块中，电流从一侧面流向另一侧面所呈现的电阻值，就称为薄层电阻，又称方块电阻，单位是/□

4.3.1扩散薄层电阻又称方块电阻，数值反应出硅中所掺杂质总量。故扩散结束后要测量此参数4.3扩散层参数测量扩散参