电工电子技术试题(含答案)

(c)电容电流(A)减少负载的工作电流(C)减少负载的无功功率(B)减少负载的有功功率(D)减少线路的功率损耗u2tV，则相电压u（DBCC(b)t30)V120)V2202sin(t30)完整版本(a)0.8Ω(b)8Ω(c)(d)1的电阻中通过2的电流，试问电阻两端的电压是（DkmAA、10VC、1.5V2、有一额定值为5W500的线绕电阻，其额定电流为（DA、2500C、1220V的电源取用的功率为110V的电源上，则取用的功率为（BA、125B、250D、10001.稳压管起稳压作用，是利用它的（DA正向特性B单向导电性C双向导电性D反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（c(a)700VA(b)100VA(c)500VA3.图右所示电路中P点电位为(a)(a)5V(b)4V(c)3V(d)2V2.采用差分放大电路是为了（B）A加强电路对称性B抑制零点漂移C增强放大倍数.完整版本D以上都不对3.交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，IB对IC将（D）A增强控制能力B控制能力不变C失去控制能力D它们之间没有关系两点间的电阻值约等B．101kΩC．200kΩD．201kΩ5、如图电路中电压U为（C））A．-50VB．-10VC．10VD．50V10.若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（C）A.电阻性B．电感性C．电容性11．稳压管反向击穿后，其后果为（BA永久性损坏.完整版本B只要流过稳压管的电流值不超过允许范围，管子不会损坏C由于击穿而导致性能下降D以上都不对1、在电阻元件的交流电路中，电压和电流的相位（A）A.相同C．电压的相位比电流的相位落后90°2、在电感元件的交流电路中，电压和电流的相位（B）A.相同B．电压的相位比电流的相位超前90°C．电压的相位比电流的相位落后90°3、若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（C）A.电阻性B．电感性C．电容性B．电压的相位比电流的相位超前90°12．动态电阻rZ是表示稳压二极管性能的一个重要参数，它的大小与稳压性能的关系是（BArZ越小则稳压性能越差BrZ越小则稳压性能越好CrZ的大小不影响稳压性能D以上都不对13.二极管两端加上正向电压时（B）A一定导通B超过死区电压才导通C超过0.7V才导通D超过0.3V才导通.完整版本5、稳压二极管的动态电阻rZ是指（BA稳定电压U与相应电流IZ之比ZB稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C稳压管正向压降与相应正向电流的比值D以上都不对20、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（DA三极管可以把小能量放大成大能量B三极管可以把小电流放大成大电流C三极管可以把小电压放大成大电压D三极管可用较小的电流控制较大的电流21、二极管两端加上正向电压时（B）A一定导通）B超过死区电压才导通C超过0.7V才导通D超过0.3V才导通2、理想二极管的正向电阻为（BA零B无穷大C约几千欧D以上都不对5．我国通常应用的交流电工频为（A）Hz。A.50B．60C．100.完整版本14.就放大作用而言，射极输出器是一种(AA有电流放大作用而无电压放大作用的电路B有电压放大作用而无电流放大作用的电路C电压和电流放大作用均没有的电路D以上都不对3.当三相对称交流电源接成星形时，若线电压为380V，则相电压为（BA.380/3VB.380/VC.380/VD.380V3215触发器输出的状态取决于(CA输入信号B电路的原始状态C输入信号和电路的原始状态D以上都不对1.交流铁心线圈，当线圈匝数N增加一倍，则磁通FA)。ABCD增大减小不变以上都不正确二．填空1．电路由电源、负载和中间环节三部分组成。2．如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反，那么这一元件是.完整版本电源。导体与绝缘体质。之间的物2、半导体分为本征半导体和PN型半导体。本征激发自由电子N本征半导体中掺入微量三价元素可得到P型杂质半导体。N自由电子空穴。1.集成运放级间耦合方式是采用多级直接耦合。2.集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻越小能力越强。6、在P型杂质半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。7、Ｎ型半导体主要靠自由电子来导电，Ｐ型半导体主要靠空穴来导电。8、ＰＮ结具有单向导电性，即加正向电压时，ＰＮ结导通，加反向电压时，ＰＮ结截止。9、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流和最大反向工作电压。硅管和锗管两类。.完整版本11、硅管的导通压降约为0.7V，锗管的导通压降约为0.2V。12、硅管的死区电压约为V。0.5V，锗管的死区电压约为0.113、半导体二极管实质上就是一个PN结，它具有的特性是单向导电性。14、半导体三极管分为NPN型和PNP型两类。发射区、基区、集电区。1、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结正偏，同时使集电结反偏。IB通常称为偏置电流，产生基极电流IB的电路称为共基极电路。直流通路，而作动态分析时，应作该放大电路的交流电路。4、若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真。非线性失真分为截止失真和饱和失真。阻容耦合和直接耦合。断路交路时常将耦合电容视作短路。16、三极管的三个电极分别称为集电极、基极、发射极，.完整版本分别用字母C、B、E表示。17、一个三极管有两个PN结，分别称为发射结和集电结。18、三极管的输出特性曲线可分为三个工作区，分别为饱和区、截止区、放大区。发射结正偏，同时使集电结反偏。≈0，当三极管工作在截止状态时，UCE≈Ucc。3．已知u=10sin(ωt+30)V，分别写出幅值Um=10，有效值U=10/52，相量Ù=10∠30°。3、一盏电灯的额定电压是220V，额定功率是60W，那么它的额定电流是0.27A流入某一结点的电流之和应等于由该结点流出的电流之和，这就是KCL定律。5、计算电位时，必须选定电路中某一点作为参考点，通常设它为零。星形连接和三角形连接两种，若负载相电压需为380V，则需采用三角形连接方式。2、交流量是指大小和方向都随时间而变化的量。5．ＰＮ结具有单向导电性，即加正向电压时，ＰＮ结处于导通状态，加反向电压时，ＰＮ结处于截止状态。.完整版本6．要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结正偏，同时使集电结反偏。1、并联的负载电阻越多，总电阻越小，电路中的总电流就越大。串联并联一个电阻。3、应用支路电流法对电路进行求解时，对于具有n个结点和b条支路的电路，可以列出n-1独立的结点方程，其余的b-（n-1）个方程可由网孔列出。4、用叠加原理求解电路时，当对某一电源求解电路时，其他的电源要除去，即电压源短路，电流源开路。5、戴维宁定理中，将除去负载电阻外，可将其余部分看作一个有源二端网络，即可以等效为一个电压源串联一个电阻的形式。7．在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作开路，而在画其交流通路时常将耦合电容视作短路。8．若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为饱和止失真。失真和截9．当放大电路输入端短路时，输出端电压缓慢变化的现象称为零点漂移。温度是0/52，相量=30°。6、12.有两个正弦交流电流分别为i1=10Sin100πtA，i2=10Sin(100πt+90°)A，它们叠加后的电流有效值相量=11.5∠45°，I.电流IL、相电流IP之间的关系为UL=J3完整版本×）√）√）2.Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。（×）3.在交流电路中，电感元件和电容元件的平均功率为0，所以并不消×）×）5.直流铁心线圈只有铜（√）1r6.磁性材料。(×)1.磁感应强度B是表示磁场空间某点的磁场强弱和方向的物理量，是矢量。()2.磁场内各点磁感应强度的大小和方向均相同。(×)13.磁性材料。(×)r4.铁损DPfe包括磁滞损耗DPh和铜损DPcu。(√)5.变压器原、副绕组的电流与匝数成正比。(√)6．直流铁心线圈只有铜损(√)）.完整版本×）1、Ｎ型半导体的多数载流子是自由电子，因此Ｎ型半导体带负电。（×）2、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。（×）3、因为晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反×）4、因为晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以晶体三极管可以当同材√）5、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（×）6、发射结处于反向偏置的晶体三极管，其一定是工作在截止状态。（√）√）8、在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。（√）9、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（√）10、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为和9Ｖ，说明这个晶体三极管是NPN×）11、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2Ｖ和-6Ｖ，说明这个晶体三极管是PNP√）.完整版本）13、二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。（√）14、P型半导体带正电，N×）√）√）×）√）√）√）1、n个电阻串联，总的阻值等于n个电阻各自倒数之和的倒数。（×）a和ba>>b,那么并联后的等效电阻可约等于b×）3、一个电压源并联一个电阻的形式可等效为一个电流源串联一个×）4、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串