模拟电子技术题库 答案分解

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章半导体器件1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载空穴浓度，而在P型半导体中，电。流子应是空穴2、在N型半导体中，电子浓度大于子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。饱和_放大___区、__截止________区。5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。7、半导体二极管的基本特性是流_检波__单向导电性____，在电路中可以起___整8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散流子的___漂移_____运动。运动和少数载0.5_0.1____V。11、晶体管穿透电流I是反向饱和电流I的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望I尽量___小_______。g12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。m13、PN结具有__单向导电_______特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。-1-模拟电子技术试题汇编15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。电压_____电流_______控制型元件。3空穴流子应是电子18、P型半导体的多数载流子是空穴。，少数载流子是电子。结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法正向偏置______。集电极发射极____和__基极______。正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。28、主要半导体材料是_硅___锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型_29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，会增加CBO________，导通电压会变小_________。-2-模拟电子技术试题汇编多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。33、某晶体管的极限参数P150mW，I100mAUVCM()工作电压U10V_15_____UV，mA则工作电流不得超过____100___；若工作电流ImA，则工作电压不得超mAC过___30____V。34V－9V，V=－6.2VVABC－6V____________型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_____极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。38场效应体管的放大能力强。晶39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。．0．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。．少子．多子C．杂质离子．空穴-3-模拟电子技术试题汇编3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。．截止．放大C．饱和．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为(B。．前者反偏、后者也反偏C．前者正偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A．前者正偏、后者反偏．前者反偏、后者也正偏）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A．多子．少子）的流动。C．自由电子D.空穴6NPNU（AU（AU。CBE．>B．<C．=D．≤7、对二极管正向电阻r和反向电阻r的要求是（C）ZF．r、r都大．r、r都小ZFZFC．r很小，r很大．r大，r小ZFZF8、稳压二极管动态电阻r（B），稳压性能愈好。Z．愈大．愈小C．为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。．放大．截止C．饱和．无法确定、D10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（）．自给偏压电路C．无须偏置电路．外加偏压电路．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。．温度．掺杂工艺C．杂质浓度）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，）控制型器件。．电压．晶体管缺陷12、场效应管属于（B则可认为是（C．电荷C．电流-4-模拟电子技术试题汇编13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（BD）。．大于．小于C．等于．变宽E．变窄．不变）。14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移．右移，下移）。15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A．变窄．基本不变C．变宽D.先变窄，后变宽16、在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（D）。AUth≈0.575V，≈0.05pACUth≈0.475V，≈0.05pABUth≈0.575V，≈0.2pADUth≈0.475V，≈0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（B．测试各极间电阻）。．测试各极间、对地电压C．测试各极电流1、三极管在工作频率大于最高工作频率f时会损坏。（╳）M2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（╳）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（√）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（╳）5U=0.6V时，I=5Ar大约BEBbe26为5.2K。（√）IB6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（√）-5-模拟电子技术试题汇编7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（╳）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（╳）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（╳）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（√）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（╳）13PN结方程可以描述PNPN结的反向击穿特性。（╳）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（╳）15、有人测试晶体管的r，方法是通过测得晶体管的U0.7，I20，beB推算出rU/I0.7V/20mA35K。（╳）B110分）6Vc-4V-1.2V-1.4VcbeNPNSiPNPGe材料（Si或）2、判断下列管子的工作状态（饱和；b.放大；截止；d.损坏）（共8分）NPNPNPNPNUeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2a状态cbd3D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算U和U的值（共9分）XY-6-模拟电子技术试题汇编+10VR+10V2RUYYDUXX2R（）答案：（）D正偏导通（b）100.7I=3R100.7U2RI==6.2V3x6.20.76.9V（）D仅偏截止I=0U=0XUy=10V4、如下图，设硅稳压管V、V的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少？DZ1DZ2（共3分）..答：U=9-6=3V05、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u。0-7-模拟电子技术试题汇编D导通，UV097、如下图，设硅稳压管V、V的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分）RV00RV模拟电子技术试题汇编UV（d）0（）U6.7V08、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出U？ODD++RR-O-（）D导通UV（b）D截止U12V00++OORR--D（）D导通D截止（d）D先导通截止1212U=0V0U=-3V0-9-模拟电子技术试题汇编第二章放大电路原理1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__共集___________组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。图解法________和_微变等效电路法___________。7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___变压器耦合_________。共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基___________组态只具有电压放大能力。能量_变化量_____。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为__零点漂移_______。-1-模拟电子技术试题汇编1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）。A．Q点过高会产生饱和失真B．Q点过低会产生截止失真C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D．Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B________电路。A．共发射极B．共集电极C．共基极D．不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）。A.共射电路B.共集电路C.共源电路D.共基电路4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小5、多极放大电路的增益A是（B）、输入电阻R是（A）、输出电阻R是uio（C）。A．由第一级确定B.由各级共同确定C.由末级电路确定3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）A．10KB．2KC1KD0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（A）。A．环境温度变化引起参数变化C．晶体管的噪声太大B．放大倍数太大D．外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C）。（2）要求能放大直流信号，可选用（B）。-2-模拟电子技术试题汇编（3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B）。（4）要求电路的温漂小，可选用（A,C）。（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（BA．只能分析静态工作点）B.只能分析动态参数C．既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（B大电压的电路是（C）。）；既能放大电流，又能放A．共基放大电路B．共集放大电路C．共射放大电路的变化情况,选择正确答案填入空格+Vcc++Uo-RLRs++Ui-Us-（1）R减小时，输入电阻R_B____。bi（2）Rc增大时，输出电阻R____A_。O（3）信号源内阻Rs增大时，输入电阻R___C___。iUoAu（4）信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数__A____。UoAu（5）负载电阻R增大时，电压放大倍数L__A___；（6）负载电阻R减小时，输出电阻Ro____C__;L-3-模拟电子技术试题汇编U(7)若Rb减小，则静态的I将__A____，将__B__电压放大倍数BUoAu将__A____。(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的I将___C__。B(9)R增大时，U将_A_____。b(10)(11)Rc增大时，U将__B____。Rs增大时，U将__C____。(12)R增大时，U将__C_LA.增大B.减小C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：+Vcc++Uo-RRs++LUi-Us-输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：（1）这种失真是___B______A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真。（2）为了消除这种失真，应___D_____B.改换小的管子A．减小集电极电阻RcC.增大基极偏置电阻RbD．减小基极偏置电阻Rb,E.减小电源电压V。CC13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：-4-模拟电子技术试题汇编+Vcc+Rb+RLRsUo++Ui-Us--电压波形出现了顶部削平的失真:则(1)这种失真是___A______A.饱和失真B.截止失真C交越失真D频率失真。（2）为了消除这种失真，应___A，B，C______A．减小集电极电阻RcD.减小基极偏置电阻RbB.改换小的管子C增大基极偏置电阻RbE.减小电源电压V。14、如下图，选择正确答案填空++-+-+（1）要使静态工作电流I减小，则R应_A_____。Cb2（2）R在适当范围内增大，则|A|_B_____，R_A_____，R_C_____。b2uio（3)R在适当范围内增大，则|A|_C_____，R__C____，R_C_____。euio(4)从输出端开路，到接上R，静态工作点将_C_____，U_B_____，（设Lo静态工作点偏低）(5)V减小时，直流负载线斜率__C____。-5-模拟电子技术试题汇编(6)R减小时，直流负载线斜率__A____。CA.增大B.减小C.不变(7)若V=10V,R=4，R=6，R=3.3，R=2，C、C足1b2eC12够大，设U0.7V则:BE①Vi=0，管压降U大约是__B____（A．4VB．4.7VC7VD5V)②使管子由50改为100，则A|是__A__________u1（A.约为原来的2倍B.约为原来的2C.基本不变D约为原来的4倍）改为6.6，则|A|_C_____③保持=50不变，将R由3.3。eu1（A约为原来的2倍D约为原来的4倍B约为原来的2C基本不变14E约为原来的）15、两级放大电路A=-40，A=-50，若输入电压u5mV,则输出电压u为u1u2io_C_____A．-200mVB.-250mVC.10VD.100V1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的，不能正常放大的画）。-6-模拟电子技术试题汇编......+10.3V+5V0V+12V+2V+10.75V+0.7V+10V(d)(a).......5V0V(a)..4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）-7-模拟电子技术试题汇编+VccC(b)×(a)(a)×(c)×+Vcc..(d)(e)×（d）×(f)√5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分）+Vcc+Vcc...(a)(b)√××(a)(b)(c)6、如下图，判断是否正确：-8-模拟电子技术试题汇编+VCCRb2++RLUoReRb1+Ce-（1）R=R//R//（r+R）（×）b1b2eibe（2）R=R//R//[r+(1+)R]（×）b1b2eibe（3）R=R//R//r（√）b1b2bei（4）R=R//R（×）（√）Locc（5）R=RoRR•（6）A=-（×）（×）（√）cLurReRR•（7）A=cLurRR•（8）A=-cLur7、判断下列说法是否正确，对的画，错误的画×(1)晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（）ber(2)在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（）(3)在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（√）(4)对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（×）-9-模拟电子技术试题汇编(5)共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。（×）(6)共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（）(7)共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（×）(8)共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（）四1+VccRbC2Rc+++UoUi--有三个错误：（1）：电源极性错（2）：C.C极性错12（3）：R位置接错C分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。2、+++---10-模拟电子技术试题汇编有三个错（1）R位置接错b（2）C位置接错2（3）C位置接错33、分析下图能否对1u无直流成分。O-12VRc3K+Ui-10uF++UoRL3K-C位置接错。（2C位置接错。（3）12A1、极性接反。（4）若要，则不能从射极输出。CCU12//RRA1=,且V无直流成分。CLU1RrObee4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。-11-模拟电子技术试题汇编+uv0uvi+0(a)U均为共基组态。波形有错。0U（a）图波形应与Ui波形相同。0++uv00U（）图波形应无直流分量O1、在下图的放大电路中,设三极管的，U=0.7V，r=BEQbe1k,R=10k,R50K,R=1.3k,R=R=5k,V。1b2ecLCC-12-模拟电子技术试题汇编+VccRcC2.C1.RLUoUiReCe（1）试估算静态时的I、I、U；（5分）BQCQCEQ•（2）设电容C、C和C均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数A；12e（5分）（3）估算放大电路的输入电阻R和输出电阻R；（5分）io•（4）如果去掉旁路电容C，写出此时放大电路的中频电压放大倍数A和输入e电阻R和输出电阻R的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）io（1）10*12RVUBQV1ccRR10501b2VUBQ20.7IImABEQR1.3CQEQeVVII(RR)121*5.7VCEQ（2）CCCQCQce(RR)30(51Accr(3)RR//R//rri1b2bebeRR50c(4)C断开，R有电流串联负反馈，（A下降），R增加，R不变；umi0ee(//)RRAumcL)rRbeeRR//R//[rR)]i1b2beeRR50c-13-模拟电子技术试题汇编2、（20分）图示电路中，已知U=0.7V，β=100，r=374Ω，R=5Ω，BEQB1bb'R=15Ω，R=2.3Ω，R=R=3Ω，V=12V。B2ECLCC+VccRC2C1.T.RsUo+.RUi-s.（1）估算电路的静态工作点、、UCEQ（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数、输入电阻R、输出电阻R•Aiou0AUU（3）若信号源内阻为R=1kΩ时，求的数值。SSRV512515UBQCCV1（1）RR1B2UUBQ30.7IImABEQR2.3CQEQEUVI(RR)121(32.3)VCE26（2）图略r374100)be1(RR).ACLr3uR5//15//31.66iRR0CR..（3）A(50)31.2AiRR1usi3、如下图，C~C足够大，14-14-模拟电子技术试题汇编..+Vcc(+20V)C3R1R480K10KRC1L10KUo..（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。（2）设UV，求静态工作点I、U（4分）BEQCQCEQ.U.（3）求R、R、，设=30，r=194（6分）Aoi'iou.bbU（4）I、U忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值U（4分）（总共CEOCESom20分）解:（）图略（2）UUBQ2040.7RUBQVCC20V,II2BEQRR2080R3.3CQEQ125UVI(RRR)201105.7VCEQCCCQ345（3）1RR//R//rrr)30)Ki13bebebb'IEQRR10K04•(//)RR//10)1U•A04Luurbe（4）不饱和失真UU5.7V不截止失真UI(R//R)1//10)V4L最大不是真输出电压峰值UVom-15-模拟电子技术试题汇编T、如图所示电路中，已知三极管为硅管=337Ω,U=0.7V,β=50；r4BEQbb'R=51KΩ,R=15KΩ,R=1KΩ,Rc=2KΩ,Eb1b2R=2KΩ,V=12V。18分)LQ（I.I.U）？试求：（1）静态工作点（2）电压放大倍数BQA＝？RR输出电阻输入电阻ioUVR2CE++uLuOREi--解：（）RV15125115UBQCC2.7Vb2RR1b2UUBQ2.70.7II2BEQR1CQEQEI2IBQ0.04CQ50UVI(RR)122(2VCEQCCCQCE（2）RR//R//RrKi1b2bebe26261rrbe)33750)K50bb'IEQRR2K0c•(//)RR50(2//U•AoicrLU1ube5、电路如下图（）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U＝0.7V。BEQ利用图解法分别求出R＝∞和R＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压LLU。（共15分）om-16-模拟电子技术试题汇编u0iBEQ103RbLCEc3CECR3,UIR'V（1）图解法静态工作点Q（I、U）。（设I=40uA,=50）（6分）LBQ（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数A、R、R（设r=340，uioiRLui05uCUi4.8mACECCCCCECI40uA相交Q点，得I2.4mA,UV(2)IR//rrKib-17-模拟电子技术试题汇编(//_RR//1A125CLrube26rr)Kbebb'IEQRR5KOC7、如下图，C~C足够大，13（1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。（2）求静态工作点I、UBQ。（4分）CEQ（3）求输入、输出电阻R、R及电压放大倍数A各自的表达式。（4分）iou（总共12分）+VccRcUoRL...略（2）IB)RI(RR)VVBQC12BEQCCVVCCB)RRRIBQ,VVB)IRBEQCEQCCBQCC12（3）R=R//rR=R//R1023i(RRR)01A=u=-23Lur26r=r+(1+)=+rIIEQBQ-18-模拟电子技术试题汇编rUbb’=1mAU=12-1(5+1.3)=5.7vr=100+(1+100)=