《光伏原理第二章》课件

光伏原理及应用Lecturer:WeifengLiu刘维峰

1光伏原理及应用Lecturer:WeifengL第二章半导体材料的基本性质&2.1半导体的晶体结构&2.2半导体的能带结构&2.3半导体的杂质和缺陷&2.4半导体的电学性质&2.5半导体的光学性质2第二章半导体材料的基本性质&2.1半导体的晶体结构2&2.1半导体的晶体结构2.1.1晶体2.1.2晶体结构2.1.3晶体类型3&2.1半导体的晶体结构2.1.1晶体3晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质，具有规则几何外形。晶体之所以具有规则的几何外形，是因其内部的质点作规则的排列，实际上是晶体中最基本的结构单元重复出现的结果。&2.1半导体的晶体结构4晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体晶胞参数我们把晶体中重复出现的最基本的结构单元叫晶胞。构成晶胞的六面体的三个边长a、b、c及三个夹角α、β、γ称为晶胞参数。它们决定了晶胞的大小和形状。5晶胞参数我们把晶体中重复出现的最基本的结构单元叫晶胞。5七大晶系晶系晶轴夹角立方a=b=cα=β=γ=900四方a=b≠cα=β=γ=900

正交a≠b≠cα=β=γ=900

三方a=b=cα=β=γ≠900

六方a=b≠cα=β=900，γ=1200

单斜a≠b≠cα=γ=900

，β≠900

三斜a≠b≠cα≠β≠γ≠9006七大晶系晶系晶轴夹角立方a=b=cα=β=γ=9立方Cubic四方Tetragonal正交Rhombic三方Rhombohedral六方Hexagonal单斜Monoclinic三斜Triclinic7立方Cubic四方Tetragonal正交Rhombi密排堆积方式密堆积方式因充分利用了空间，而使体系的势能尽可能降低，而结构稳定。常见的密排堆积方式的种类有：简单立方堆积体心立方堆积面心立方堆积密排六方堆积金刚石型堆积8密排堆积方式密堆积方式因充分利用了空间，而使体系的势能尽可能面心立方堆积9面心立方堆积9金刚石型堆积109º28´10金刚石型堆积109º28´10半导体的晶体结构结构类型半导体材料金刚石型Si，金刚石，Ge闪锌矿型GaAs，ZnO，GaN，SiC纤锌矿型InN，GaN，ZnO，SiCNaCl型PbS，CdO11半导体的晶体结构结构类型半导体材料金刚石型Si，金刚石，Ge晶体类型金属晶体通过金属键而形成的晶体

离子晶体通过离子键而形成的晶体分子晶体通过分子间作用力而形成的晶体原子晶体通过共价键形成的晶体12晶体类型金属晶体12&2.2半导体的能带结构

13&2.2半导体的能带结构13Si原子最外层有四个电子：3s23p2硅原子基态3s3p激发态Sp3杂化态Sp3杂化理论14Si原子最外层有四个电子：3s23p2硅原子基态3s3pz3py3px杂化前杂化后153s3pz3py3px杂化前杂化后151616半导体的导带，价带和禁带宽度价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带禁带宽度：导带底与价带顶之间的能量差导带价带Eg17半导体的导带，价带和禁带宽度价带：0K条件下被电子填充的能量禁带宽度禁带宽度(Bandgap):是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

18禁带宽度禁带宽度(Bandgap):是指一个能带宽度(单位允许能态的占有几率关于电子占据能级的规律，根据量子理论和泡利不相容原理，半导体中电子能级的分布服从费米－狄拉克统计分布规律。在热平衡条件下，能量为E的能级被电子占据的概率为k是玻尔兹曼常数，即1.38×10-23J/K；T为绝对温度；EF为费米能级。19允许能态的占有几率关于电子占据能级的规律，根据量子理论和泡利费米－狄拉克函数曲线当T>0（K）时，若E＝EF，f（E）＝0.5，因此通常把电子占据率为0.5的能级定义为费米能级。它不代表可为电子占据的真实能级，只是个参考能量。20费米－狄拉克函数曲线当T>0（K）时，若E＝EF，f（E）2.3半导体中的杂质和缺陷2.3.1本征半导体2.3.2n型半导体2.3.3p型半导体212.3半导体中的杂质和缺陷2.3.1本征半导体212.3.1本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。本征半导体也存在电子和空穴两种载流子但电子数目n和空穴数目p一一对应，数量相等，n＝p。价带导带禁带空穴传导电子222.3.1本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征实际晶体不是理想情况1.原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置上，而是在平衡位置附近振动；2.半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质；3.实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种缺陷：点缺陷、线缺陷和面缺陷23实际晶体不是理想情况1.原子并不是静止在具有严格周期性的晶2.3.2杂质半导体为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，这些半导体称为杂质半导体，可以分为：N型半导体和P型半导体后面以硅掺杂为例子进行说明硅是化学周期表中的第IV族元素，每一个硅原子具有四个价电子，硅原子间以共价键的方式结合成晶体。242.3.2杂质半导体为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，2.3.3N型半导体P是第V族元素，每一个P原子具有5个价电子P替位式掺入Si中，其中四个价电子和周围的硅原子形成了共价键，还剩余一个价电子相当于形成了一个正电中心P＋和一个多余的价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5额外的电子252.3.3N型半导体P是第V族元素，每一个P原子具有5个N型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质。26N型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，施主电离能和施主能级多余的价电子束缚在正电中心P＋的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电电子。使价电子摆脱束缚所需要的能量称为杂质电离能ECEVEDEgEV－－价带能级EC－－导带能级ED－－施主能级Eg－－带隙宽度27施主电离能和施主能级多余的价电子束缚在正电中心P＋的周围，但多子和少子N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。28多子和少子N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n2.3.4P型半导体B是第III族元素，每一个B原子具有3个价电子B替位式掺入Si中，当它和周围的原子形成了共价键时，还缺少一个价电子，必须从别处硅原子中夺取一个价电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴相当于形成了一个负电中心B－和一个多余的空穴额外的空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3292.3.4P型半导体B是第III族元素，每一个B原子具有P型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，即构成P型半导体(或称空穴型半导体)。常用的3价杂质元素有硼、镓、铟等III族杂质在硅中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心，称为受主杂质。30P型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，受主电离能和受主能级多余的空穴束缚在负电中心B－的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电空穴。使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能ECEVEDEgEV－－价带能级EC－－导带能级ED－－施主能级Eg－－带隙宽度31受主电离能和受主能级多余的空穴束缚在负电中心B－的周围，但这自补偿效应有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质N型杂质和P型杂质先相互补偿，称为自补偿效应。ECEVEgED32自补偿效应有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质ECEVEg热平衡条件ni为本征载流子浓度温度一定时，两种载流子浓度乘积等于本征浓度的平方。本征半导体n型半导体p型半导体33热平衡条件ni为本征载流子浓度温度一定时，两种载流子浓度乘积电中性条件整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。34电中性条件整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。34其中：ni,pi分别表示电子和空穴的浓度（cm-3)T为热力学温度k为玻尔兹曼常数(8.6310-5ev/k,或1.3810-23J/k)

EG0禁带宽度。

锗：EG0=0.785ev

硅：EG0=1.21evK1是与半导体有关的常数硅：3.871016(cm-3K-3/2)

锗：1.761016(cm-3K-3/2)35EG0禁带宽度。

锗：EG0=0.785ev

电子空穴对的数量，当T=300K时：

硅：ni=

pi=1.431010

锗：ni=

pi=2.381013本征半导体中载流子浓度取决于禁带宽度和温度T，即半导体的导电性能对温度很敏感。在常温附近，温度每升高8oC，硅的ni增加一倍；温度每升高12oC，锗的ni增加一倍。36电子空穴对的数量，当T=300K时：

36例子：本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质（原子比），已知硅的原子密度为5×1022/cm3，ni＝1.5×1010/cm3求：掺杂前后多数载流子和少数载流子的变化？37例子：本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质（原子比），已38382.4半导体的导电性2.4.1欧姆定律2.4.2电导率2.4.3载流子运动392.4半导体的导电性2.4.1欧姆定律392.4.1欧姆定律电阻的大小不仅与导体的电性能有关，还与导体的面积S、长度L有关。ρ称为电阻率，单位为（Ω·cm）402.4.1欧姆定律4041412.4.2电导率电子的电导率n是电子浓度，是电子的迁移率空穴的电导率p是电子浓度，是电子的迁移率422.4.2电导率电子的电导率42本征半导体的电导率本征半导体，n＝pN型半导体，n>>pP型半导体，n<<p43本征半导体的电导率本征半导体，n＝p432.4.3载流子运动浓度梯度，引起载流子扩散扩散电流442.4.3载流子运动浓度梯度，引起载流子扩散扩散电流44漂移电流n电场，引起载流子漂移45漂移电流n电场，引起载流子漂移45爱因斯坦关系：扩散长度与寿命关系：46爱因斯坦关系：扩散长度与寿命关系：462.5半导体的光学性质2.5.1光的基本性质2.5.2光与原子的相互作用472.5半导体的光学性质2.5.1光的基本性质472.5.1光的基本性质光色波长(nm)频率(Hz)中心波长(nm)红760~622660橙622~597610黄597~577570绿577~492540青492~470480兰470~455460紫455~400430482.5.1光的基本性质光色波长(nm)无线电波波长比可见光长得多，不能引起人的视觉，可以引起电子的振荡。由于波长很长，一个金属网笼，甚至桥梁上的钢架就可以将其阻止。微波波长范围分布从毫米到几十厘米，他们在食物里很容易被水分子吸收，可是食物迅速被加热。49无线电波49红外线（IR）分布在微波和可见光之间，且仅能够在它聚集热的地方探测到。蛇和其他一些生物对红外线很敏感；红外线不能透过玻璃，这一特性可以解释温室效应。紫外线（UV）频率高于可见光的，不能引起视觉，对生命有危害，来自太阳的紫外线几乎被大气中的臭氧完全吸收，臭氧保护着地球的生命，少量透过大气的紫外线会晒黑皮肤或使进行日光浴的人体产生晒斑。50红外线（IR）50X射线：波长比紫外线还短的电磁波，它们很易穿过大多数物质。其波长可与原子尺寸相比拟。γ射线和宇宙射线：波长最短，波长尺寸约为原子核大小量级；γ射线产生于核反应及其他特殊的激发过程；宇宙射线来自地球之外的空间。51X射线：51光具有波的性质，也具有粒子（光子）的性质。E=1.24/波长与能量的换算

硅：1.12ev，波长：1.1m

硅吸收光子能量>1.12eV,对应波长<1100nm.能量小于禁带宽度的光子，不能激发产生过剩载流子。2.5.2光与半导体材料的相互作用52硅：1.12ev，波长：1.1m硅吸收光子能量>1半导体的光吸收半导体共价电子被激发为自由电子，正好在紫外、可见光、红外光范围内E53半导体的光吸收半导体共价电子被激发为自由电子，正好在紫外、可5454当光照射到固体表面时,部分光被反射,若入射光强为J0,反射光强为J反时,则有当光进入固体以后,由于可能被反射,光强随进入固体材料的深度x而衰减反射系数α为吸收系数α物理意义：光在媒质中传播１／α距离时能量减弱到原来能量的１／e。一般用吸收系数的１／α来表征该波长的光在材料中的透入深度。55当光照射到固体表面时,部分光被反射,若入射光强为J硅的光吸收56硅的光吸收56波长小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸收；波长大于1000nm的光在175um的硅中没有被完全吸收；57波长小于400nm的光在厚度0.01um的硅中，就被全部吸需掌握的知识（第二章问题）运用半导体材料五大特性分析说明硅材料（不少于三个特性）？

58需掌握的知识（第二章问题）运用半导体材料五大特性分析说明硅材谢谢59谢谢59

光伏原理及应用Lecturer:WeifengLiu刘维峰

60光伏原理及应用Lecturer:WeifengL第二章半导体材料的基本性质&2.1半导体的晶体结构&2.2半导体的能带结构&2.3半导体的杂质和缺陷&2.4半导体的电学性质&2.5半导体的光学性质61第二章半导体材料的基本性质&2.1半导体的晶体结构2&2.1半导体的晶体结构2.1.1晶体2.1.2晶体结构2.1.3晶体类型62&2.1半导体的晶体结构2.1.1晶体3晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质，具有规则几何外形。晶体之所以具有规则的几何外形，是因其内部的质点作规则的排列，实际上是晶体中最基本的结构单元重复出现的结果。&2.1半导体的晶体结构63晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体晶胞参数我们把晶体中重复出现的最基本的结构单元叫晶胞。构成晶胞的六面体的三个边长a、b、c及三个夹角α、β、γ称为晶胞参数。它们决定了晶胞的大小和形状。64晶胞参数我们把晶体中重复出现的最基本的结构单元叫晶胞。5七大晶系晶系晶轴夹角立方a=b=cα=β=γ=900四方a=b≠cα=β=γ=900

正交a≠b≠cα=β=γ=900

三方a=b=cα=β=γ≠900

六方a=b≠cα=β=900，γ=1200

单斜a≠b≠cα=γ=900

，β≠900

三斜a≠b≠cα≠β≠γ≠90065七大晶系晶系晶轴夹角立方a=b=cα=β=γ=9立方Cubic四方Tetragonal正交Rhombic三方Rhombohedral六方Hexagonal单斜Monoclinic三斜Triclinic66立方Cubic四方Tetragonal正交Rhombi密排堆积方式密堆积方式因充分利用了空间，而使体系的势能尽可能降低，而结构稳定。常见的密排堆积方式的种类有：简单立方堆积体心立方堆积面心立方堆积密排六方堆积金刚石型堆积67密排堆积方式密堆积方式因充分利用了空间，而使体系的势能尽可能面心立方堆积68面心立方堆积9金刚石型堆积109º28´69金刚石型堆积109º28´10半导体的晶体结构结构类型半导体材料金刚石型Si，金刚石，Ge闪锌矿型GaAs，ZnO，GaN，SiC纤锌矿型InN，GaN，ZnO，SiCNaCl型PbS，CdO70半导体的晶体结构结构类型半导体材料金刚石型Si，金刚石，Ge晶体类型金属晶体通过金属键而形成的晶体

离子晶体通过离子键而形成的晶体分子晶体通过分子间作用力而形成的晶体原子晶体通过共价键形成的晶体71晶体类型金属晶体12&2.2半导体的能带结构

72&2.2半导体的能带结构13Si原子最外层有四个电子：3s23p2硅原子基态3s3p激发态Sp3杂化态Sp3杂化理论73Si原子最外层有四个电子：3s23p2硅原子基态3s3pz3py3px杂化前杂化后743s3pz3py3px杂化前杂化后157516半导体的导带，价带和禁带宽度价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带禁带宽度：导带底与价带顶之间的能量差导带价带Eg76半导体的导带，价带和禁带宽度价带：0K条件下被电子填充的能量禁带宽度禁带宽度(Bandgap):是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

77禁带宽度禁带宽度(Bandgap):是指一个能带宽度(单位允许能态的占有几率关于电子占据能级的规律，根据量子理论和泡利不相容原理，半导体中电子能级的分布服从费米－狄拉克统计分布规律。在热平衡条件下，能量为E的能级被电子占据的概率为k是玻尔兹曼常数，即1.38×10-23J/K；T为绝对温度；EF为费米能级。78允许能态的占有几率关于电子占据能级的规律，根据量子理论和泡利费米－狄拉克函数曲线当T>0（K）时，若E＝EF，f（E）＝0.5，因此通常把电子占据率为0.5的能级定义为费米能级。它不代表可为电子占据的真实能级，只是个参考能量。79费米－狄拉克函数曲线当T>0（K）时，若E＝EF，f（E）2.3半导体中的杂质和缺陷2.3.1本征半导体2.3.2n型半导体2.3.3p型半导体802.3半导体中的杂质和缺陷2.3.1本征半导体212.3.1本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。本征半导体也存在电子和空穴两种载流子但电子数目n和空穴数目p一一对应，数量相等，n＝p。价带导带禁带空穴传导电子812.3.1本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征实际晶体不是理想情况1.原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置上，而是在平衡位置附近振动；2.半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质；3.实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种缺陷：点缺陷、线缺陷和面缺陷82实际晶体不是理想情况1.原子并不是静止在具有严格周期性的晶2.3.2杂质半导体为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，这些半导体称为杂质半导体，可以分为：N型半导体和P型半导体后面以硅掺杂为例子进行说明硅是化学周期表中的第IV族元素，每一个硅原子具有四个价电子，硅原子间以共价键的方式结合成晶体。832.3.2杂质半导体为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，2.3.3N型半导体P是第V族元素，每一个P原子具有5个价电子P替位式掺入Si中，其中四个价电子和周围的硅原子形成了共价键，还剩余一个价电子相当于形成了一个正电中心P＋和一个多余的价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5额外的电子842.3.3N型半导体P是第V族元素，每一个P原子具有5个N型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称为施主杂质。85N型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，施主电离能和施主能级多余的价电子束缚在正电中心P＋的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电电子。使价电子摆脱束缚所需要的能量称为杂质电离能ECEVEDEgEV－－价带能级EC－－导带能级ED－－施主能级Eg－－带隙宽度86施主电离能和施主能级多余的价电子束缚在正电中心P＋的周围，但多子和少子N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。87多子和少子N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n2.3.4P型半导体B是第III族元素，每一个B原子具有3个价电子B替位式掺入Si中，当它和周围的原子形成了共价键时，还缺少一个价电子，必须从别处硅原子中夺取一个价电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴相当于形成了一个负电中心B－和一个多余的空穴额外的空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3882.3.4P型半导体B是第III族元素，每一个B原子具有P型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，即构成P型半导体(或称空穴型半导体)。常用的3价杂质元素有硼、镓、铟等III族杂质在硅中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心，称为受主杂质。89P型半导体的概念在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，受主电离能和受主能级多余的空穴束缚在负电中心B－的周围，但这种束缚作用比共价键的弱得多，只要很少的能量就可以使它摆脱束缚，形成导电空穴。使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能ECEVEDEgEV－－价带能级EC－－导带能级ED－－施主能级Eg－－带隙宽度90受主电离能和受主能级多余的空穴束缚在负电中心B－的周围，但这自补偿效应有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质N型杂质和P型杂质先相互补偿，称为自补偿效应。ECEVEgED91自补偿效应有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质ECEVEg热平衡条件ni为本征载流子浓度温度一定时，两种载流子浓度乘积等于本征浓度的平方。本征半导体n型半导体p型半导体92热平衡条件ni为本征载流子浓度温度一定时，两种载流子浓度乘积电中性条件整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。93电中性条件整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。34其中：ni,pi分别表示电子和空穴的浓度（cm-3)T为热力学温度k为玻尔兹曼常数(8.6310-5ev/k,或1.3810-23J/k)

EG0禁带宽度。

锗：EG0=0.785ev

硅：EG0=1.21evK1是与半导体有关的常数硅：3.871016(cm-3K-3/2)

锗：1.761016(cm-3K-3/2)94EG0禁带宽度。

锗：EG0=0.785ev

电子空穴对的数量，当T=300K时：

硅：ni=

pi=1.431010

锗：ni=

pi=2.381013本征半导体中载流子浓度取决于禁带宽度和温度T，即半导体的导电性能对温度很敏感。在常温附近，温度每升高8oC，硅的ni增加一倍；温度每升高12oC，锗的ni增加一倍。95电子空穴对的数量，当T=300K时：

36例子：本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质（原子比），已知硅的原子密度为5×1022/cm3，ni＝1.5×1010/cm3求：掺杂前后多数载流子和少数载流子的变化？96例子：本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质（原子比），已97382.4半导体的导电性2.4.1欧姆定律2.4.2电导率2.4.3载流子运动982.4半导体的导电性2.4.1欧姆定律392.4.1欧姆定律电阻的大小不仅与导体的电性能有关，还与导体的面积S、长度L有关。ρ称为电阻率，单位为（Ω·cm）992.4.1欧姆定律40100412.4.2电导率电子的电导率n是电子浓度，是电子的迁移率空穴的电导率p是电子浓度，是电子的迁移率1012.4.2电导率电子的电导率42本征半导体的电导率本征半导体，n＝pN型半导体，n>>pP型半导体，n<<p102本征半导体的电导率本征半导体，n＝p432.4.3载流子运动浓度梯度，引起载流子扩散扩散电流1032.4.3载流子运动浓度梯度，引起载流子扩散扩散电流44漂移电流n电场，引起载流子漂移104漂移电流n电场，引起载流子漂移45爱因斯坦关系：扩散长度与寿命关系：105爱因斯坦关系：扩散长度与寿命关系：462.5半导体的光学性质2.5.1光的基本性质2.5.2光与原子的相互作用1062.5半导体的光学性质2.5.1光的基本性质472.5.1光的基本性质光色波长(nm)频率(Hz)中心波长(nm)红760~622660橙622~59