晶体三极管及基本放大电路

晶体三极管及基本放大电路晶体三极管三极管基本放大电路静态工作点稳定的放大电路10911P16

晶体三极管是具有放大作用的半导体器件，由三极管组成的放大电路广泛应用于各种电子设备中，例如收音机、扩音机、测量仪器及自动控制装置等。本章介绍三极管应用的必备知识及由它构成的基本放大电路的工作原理和一般分析方法。晶体三极管晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件，它由两个PN结构成，在电路中主要作为放大和开关元件使用。

一、结构与分类

1．外形

近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用金属封装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。

塑料封装小功率管塑料封装中功率管金属封装小功率管金属封装大功率管22.结构

三极管的核心是两个互相联系的PN结，按两个PN结的组合方式不同，可分为NPN型和PNP型两类。

PNP型三极管NPN型三极管三极管内部有发射区、基区和集电区，引出电极分别为发射极e、基极b、集电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结，集电区与基区之间的PN结称为集电结。33.分类三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类：按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在自动控制设备中常用硅管。按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。目前我国制造的硅管多为NPN型(也有少量PNP型)，锗管多为PNP型。按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下为低频管。按功率可分为：小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功率管。按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。

4二、三极管的电流放大作用

1．三极管放大条件要使三极管能够正常放大信号，发射结应加正向电压，集电结应加反向电压。

NPN管偏置电路PNP管偏置电路

电源VCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置，RC阻值小于Rb阻值，所以集电结处于反向偏置。52．三极管的电流放大作用

三极管各电极电流关系的测量电路

三极管电流分配关系：IE=IC+IB

三极管电流放大倍数：β

=Δ

IC/ΔIB

当ΔIB有一微小变化，就能引起ΔIC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。

6

在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方式。

共发射极接法共基极接法共集电极接法7三、三极管的特性曲线1．输人特性曲线输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。

当输入电压vBE较小时，基极电流iB很小，通常近似为零。当vBE大于三极管的死区电压vth后，iC开始上升。三极管正常导通时，硅管VBE约为0.7V，锗管约为0.3V，此时的VBE值称为三极管工作时的发射结正向压降。

输人特性曲线82．输出特性曲线

输出特性曲线是反映三极管输出回路电压与电流关系的曲线，是指基极电流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极电压VCE对应关系的曲线。

截止区习惯把IB=0曲线以下的区域称为截止区，三极管处于截止状态，相当于三极管内部各极开路。在截止区，三极管发射结反偏或零偏，集电结反偏。

放大区它是三极管发射结正偏、集电结反偏时的工作区域。最主要特点是IC受IB控制，具有电流放大作用。

饱和区当VCE小于VBE时，三极管的发射结和集电结都处于正偏，此时IC已不再受IB控制。此时管子的集电极—发射极间呈现低电阻，相当于开关闭合。

输出特性曲线93．三极管的主要参数

（1）直流参数反映三极管在直流状态下的特性。直流电流放大系数hFE

用于表征管子IC与IB的分配比例。集—基反向饱和电流ICBO

它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。

ICBO测量电路ICEO测量电路集—射反向饱和电流ICEO

它是指三极管的基极开路，集电极与发射极之间加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。10（2）交流参数是反映三极管交流特性的主要指标。

交流电流放大倍数hfe

通常也写为ß，用于表征管子对交流信号的电流放大能力。

共发射极特征频率fT

三极管的ß值下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，它是表征三极管高频特性的重要参数。

（3）极限参数三极管有使用极限值，如果超出范围则无法保证管子正常工作。

集电极最大允许电流ICM

若三极管的工作电流超过ICM，其ß值将下降到正常值的2/3以下。

集电极最大允许耗散功率PCM

它是三极管的最大允许平均功率。

集—射反向击穿电压V（BR）CEO

它是基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。若管子的VCE超过V（BR）CEO，会引起电击穿导致管子损坏。

11三极管基本放大电路

一、基本放大电路的构成

1.电路元件作用共发射极基本放大电路由三极管、电阻和电容所组成。

V—晶体三极管，起电流放大作用

+VCC—直流供电电源

Rb—基极偏置电阻

C1—输入耦合电容

C2—输出耦合电容

RC—集电极负载电阻2.放大电路的电压、电流符号规定

共发射极基本放大电路直流分量——用大写字母和大写下标表示，如IB、IC、IE、VBE、VCE。交流信号——用小写字母和小写下标表示，如ib、ic、ie、vbe、vce。交流和直流叠加信号——用小写字母和大写下标表示，如iB、iC、iE、vBE、vCE。123．三种基本放大电路的比较

共集电极放大电路共基极放大电路

（1）共发射极放大电路的电压、电流、功率放大倍数都较大，所以应用在多级放大器的中间级。（2）共集电极放大电路只有电流放大作用，无电压放大作用，它的输入电阻大，输出电阻小，常用作实现阻抗匹配或作为缓冲电路来使用，也可作为多级放大器的输入级和输出级。（3）共基极放大电路主要是频率特性好，所以多用作高频放大器、高频振荡器及宽频带放大器。

13四、放大波形的失真与消除放大电路的静态工作点设置不合适，将导致放大输出的波形产生失真。1.饱和失真

若偏置电阻Rb偏小，基极电流IBQ就较大，由示波器观察到的输出电压vo波形就会产生饱和失真。

（a）实验电路

（b）饱和失真波形（c）图解分析产生饱和失真的原因是：IBQ偏大时，静态工作点偏高，当输入信号正半周幅度较大时管子进入饱和区，iB增大无法使iC相应增大，于是会出现饱和失真。

142．截止失真

若偏置电阻Rb偏大，此时基极电流IBQ很小，由示波器观察到的输出电压vo波形将出现截止失真。

（a）实验电路

（b）截止失真波形（c）图解分析

截止失真波形的观测产生截止失真的原因是：IBQ偏小时，静态工作点偏低。在输入电压vi的负半周时，三极管的发射结将在一段时间内处于反向偏置，造成ic负半周、vo的正半周相应的波顶被削去。

153.静态工作点的测量与调整

选取一只定值电阻和一只电位器，串联后接入电路用以代替偏流电阻Rb。将万用表置于电流挡，然后串接在集电极回路。接通调试电路电源，缓慢地调节电位器，直至万用表指示的IC电流达到要求。选一个阻值与之相当的固定电阻去代替Rb和RP。调测放大器静态工作点的方法16工作点稳定放大电路一、放大电路静态工作点不稳定的原因

（1）温度影响（2）电源电压波动（3）元件参数改变二、分压式偏置放大电路1．电路组成Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。

分压式偏置放大电路

172．稳定静态工作点

3.电路参数估算（1）静态工作点的估算

分压式偏置放大电路的直流通路图所示，可推导出下列静态工作点的估算公式。

VCEQ≈VCC-ICQ（Rc+Re）分压式偏置放大电路的直流通路18（2）交流参数估算电压放大倍数

输入电阻ri=Rb1//Rb2//rbe

输出电阻

ro≈Rc

分压式偏置放大电路的交流通路

要确保分压偏置电路的静态工作点稳定，应满足两个条件：I2»IBQ（实际可取I2=10