北科大电子技术第章

(1-0)第十四章

半导体器件电子技术模拟电路部分(14-1)第十四章二极管和三极管§14.1

半导体的导电特性§14.2

PN结及其单向导电性§14.3二极管§14.4

稳压二极管§14.5晶体管§14.6光电器件(14-2)导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。§14.1半导体的导电特性导体、半导体和绝缘体(14-3)

半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化--

热敏特性、光敏特性。

往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变--

掺杂特性。(14-4)14.1.1

本征半导体一、本征半导体的结构GeSi

通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。

现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)和锗(Ge)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。原子结构图(14-5)本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，每个原子都处在正四面体的中心，而相邻四个原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：(14-6)硅和锗的共价键结构共价键、共用电子对SiSi+4Si+4表示除去价电子后的原子价电子(14-7)

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。

共价键形成后，每个原子最外层电子是八个，构成比较稳定的结构。

共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4(14-8)二、本征半导体的导电机理在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时，价电子完全被共价键束缚，本征半导体中没有可以自由运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴(14-9)+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子自由电子、空穴成对出现(14-10)2.本征征半半导导体体的的导导电电机机理理+4+4+4+4在其其它它力力的的作作用用下下，，空空穴穴可可吸吸引引附附近近的的电电子子来来填填补补，，其其结结果果相相当当于于空空穴穴的的迁迁移移，，而而空空穴穴的的迁迁移移相相当当于于正正电电荷荷的的移移动动，，因因此此可可认认为为空空穴穴是是载载流流子子。。本征征半半导导体体中中存存在在数数量量相相等等的的两两种种载载流流子子：：自由由电电子子和空穴穴。自由由电电子子：：在在晶晶格格中中运运动动；；空空穴穴：：在在共共价价键键中中运运动动(14-11)本征征半半导导体体的的导导电电能能力力取取决决于于载载流流子子的的浓浓度度。。本征征半半导导体体中中电电流流由由两部部分分组成成：：当本本征征半半导导体体外外加加电电场场时时1.自由由电电子子做做定定向向运运动动所所形形成成的的电子子电流流。。2.仍被被原原子子核核束束缚缚的的价电电子子按一一定定方方向向依依次次填填补补空空穴穴形形成成的的空穴穴电流流。。+4+4+4+4(14-12)自由由电电子子在在运运动动过过程程中中如如果果和和空空穴穴相相遇遇就就会会填填补补空空穴穴，，使使两两者者同同时时消消失失，，这这种种现现象象称称为为复合合。在一一定定的的温温度度下下自自由由电电子子和和空空穴穴的的产产生生和和复复合合达达到到动态态平平衡衡，，半导体中中的载流流子维持持一定的的数目。。但是由于于这时的的载流子子数量很很少，所所以导电电能力很很差。温度越高高，热运运动加剧剧，自由由电子和和空穴增增多，载载流子的的浓度越越高，本本征半导导体的导导电能力力越强，，温度是影影响半导导体性能能的一个个重要的的外部因因素，这是半半导体的的一大特特点。本征半导导体载流流子的浓浓度(14-13)14.1.2N型半导体体和P型半导体体在本征半半导体中中掺入某某些微量量的杂质质，会使使半导体体的导电电性能发发生显著著变化。。其原因因是掺杂杂半导体体的某种种载流子子的浓度度大大增增加。P型半导体体：空穴浓度度大大增增加的杂杂质半导导体，也也称为（（空穴半半导体））。N型半导体体：自由电子子浓度大大大增加加的杂质质半导体体，也称称为（电电子半导导体）。。(14-14)一、N型半导体体Si+5SiSi多余电子磷原子在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。(14-15)N型半导体体中的载载流子是是什么？？1.由五价元元素提供供的电子子，浓度度与五价价元素原原子相同同。2.本征半导导体中成成对产生生的自由由电子和和空穴。。因掺杂浓浓度远大大于本征征半导体体中载流流子浓度度，所以以自由电电子浓度度远大于于空穴浓浓度。自自由电子子称为多数载流流子（多子），空穴穴称为少数载流流子（少子）。(14-16)二、P型半导体体在硅或锗晶体中掺入少量三价元素硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时产生一个空位。这个空位可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。SiSi+3Si空位硼原子P型半导体体中空穴是多多子，自由电电子是少少子。空穴(14-17)三、杂质质半导体体的示意意表示法法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体P型半导体体：三价价原子接接受电子子成为带带电负离离子空穴是多多子N型半导体体：五价价原子给给出电子子成为带带电正离离子自由电子子是多子子(14-18)三、杂质质半导体体的示意意表示法法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质型半导体体中多子子和少子子的移动动都可形形成电流流，但由由于数量量关系，，起导电电作用的的主要是是多子，，受温度度影响较较小。一般近似似认为多多子与杂杂质浓度度相等。。(14-19)4.在外加电电压作用用下，P型半导体体中电流流主要是，N型半导体体中电流流主要是是。。（a.电子电流流、b.空穴电流流）1.在杂质半半导体中中多子的的数量与与（a.掺杂浓度度、b.温度）有有关。2.在杂质半半导体中中少子的的数量与与（a.掺杂浓度度、b.温度）有有关。3.当温度升升高时，，少子的的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。。abcba课堂练习习(14-20)PN结的形成成在同一片片半导体体基片上上，分别别制造P型半导体体和N型半导体体，经过过载流子子的扩散散，在它它们的交交界面处处就形成成了PN结。§14.2PN结及其单单向导电电性(14-21)P型半导体体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结结果是使使空间电电荷区逐逐渐加宽宽。内电场越越强，漂漂移运动动就越强强，而漂漂移的结结果使空空间电荷荷区变薄薄。空间电荷区，也称耗尽层。(14-22)P型半导体体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动当扩散和和漂移这这一对相相反的运运动最终终达到平平衡时，，相当于两个区之之间没有有电荷运运动，空空间电荷荷区的厚厚度固定定不变，，形成PN结。(14-23)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区电位VV0(14-24)1.空间电荷荷区中几几乎没有有载流子子。2.空间电荷荷区中内内电场阻阻碍P区中的空空穴、N区中的自自由电子子（都是多子子）向对方方运动（（扩散运动动）。3.P区中的自由电子和N区中的空空穴（都是少子子），数量量有限，，因此由由它们形形成的电电流很小小。注意:(14-25)PN结的单向向导电性性PN结加上正向向电压、正向偏置置的意思都都是：P区加正电电压、N区加负电电压。PN结加上反向向电压、反向偏置置的意思都都是：P区加负电电压、N区加正电电压。(14-26)一、PN结加正向向电压内电场外电场变薄PN－－－－++++R（限流电阻）E+_内电场被被削弱，，多子扩扩散加强强，能够够形成较较大的正正向电流流。(14-27)二、PN结加反向向电压－－－－++++内电场外电场变厚NP+_RE内电场被被加强，，多子扩扩散受到到抑制，，少子漂漂移加强强，但因因少子数数量有限限，只能能形成较较小的反反向电流流。(14-28)总结：1、加正向电压时，，PN结处于导通状态，呈呈低电阻阻，正向电流流较大。2、加反向电压时，，PN结处于截止状态，呈呈高电阻阻，反向电流流很小。PN结具有单单向导电电性(14-29)14.3二极管发光稳稳压整整流流检波开开关(14-30)常见二极极管外形形图(14-31)一、基本本结构：：PN结加上管管壳和引引线。结面积小小、结电电容小、、正向电电流小。。用于检检波和变变频等高高频电路路。结面积大大、正向向电流大大、结电电容大，，用于工工频大电电流整流流电路。。用于集成成电路制制作工艺艺中。PN结结面积积可大可可小，用用于高频频整流和和开关电电路中。。(14-32)UI硅管0.5V锗管0.1V反向击穿穿电压U(BR)导通压降降外加电压压大于死死区电压压，二极极管才能能导通。。外加电压压大于反反向击穿穿电压时时，二极极管被击击穿，失失去单向向导电性性。正向特性性反向特性性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V死区电压压PN+–PN–+反向电流流在一定电电压范围内保保持常数。二、伏安安特性：：非线性(14-33)三、主要要参数1.最大整流流电流IOM二极管长长时间使使用时，，允许流流过二极极管的最最大正向向平均电电流。电电流超过过允许值值时，PN结过热会会损坏管管子。2.反向工作作峰值电电压URWM保证二极管不被被击穿而而给出的的反向峰峰值电压压，一般般是反向向击穿电电压U(BR)的一半或或三分之之二。点点接触型型D管为数十十伏，面面接触型型D管可达数数百伏。。通常二极管击穿穿时，其其反向电电流剧增增，单向向导电性性被破坏坏，甚至至过热而而烧坏。。(14-34)3.反向峰值值电流IRM指二极管管加反向向峰值工工作电压压时的反反向电流流。反向向电流越越大，说说明二极极管的单单向导电电性越差差。反向电流流受温度度影响，，温度越越高反向向电流越越大。硅管的反反向电流流较小（（<几微安）），锗管管的反向向电流要要比硅管管大几十十到几百百倍。以上均是是二极管管的直流流参数，，二极管管的应用用主要是是利用它它的单向向导电性性，它可可应用于于整流、、检波、、限幅、、保护等等等。(14-35)UI导通压降降实际二极极管：正正向导通通----硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V死区电压压----硅0.5V锗0.1V定性分析析：判二二极管的的工作状状态----导通、截截止二极管电电路分析析死区电压压(14-36)理想二极极管：正正向导通通----管压降为为零反向截止止----相当于断断开导通压降硅0.7V锗0.2VUI(14-37)二极管电电路分析析分析方法法：1.断开二极极管2.a)分析其两两端电位位高低，，b)或其两端端所加电电压UD的正负。。3.a)V阳>V阴→→导导通V阳<V阴→→截截止b)UD>0→→导通UD<0→→截止(14-38)二极管：：死区电压压=0.5V，正向压压降0.7V(硅二极管管)理想二极极管：死区电压压=0，正向压压降=0RLuiuouiuott二极管的的应用举举例例1：二极管半半波整流(14-39)例2：二极管的的检波应用RRLuIuRuOP11：例14.3.1uR：R和C构成微分分电路tttuIuRuOt1t2作用：除除去正尖尖脉冲(14-40)例3：已知：：管子子为锗锗管，，VA=3V，VB=0V。导通压压降为0.3V，试求：：VY=?方法：：先判判二极极管谁谁优先先导通通，导通后后二极极管起起嵌位位作用用两端压压降为为定值值。因：VA>VB故：DA优先导通

DB截止若：DA导通压降为0.3V则：VY=2.7V解：P12：例14.3.2DA-12VVAVBVYDBR作用：：钳位位(14-41)ui>8V，二极极管导导通，，可看看作短短路uo=8Vui≤8V，二极极管截截止，，可看看作开开路uo=ui已知：：理想二二极管管，画画出uo波形。。8V例4：二极管管的用用途：：整流、、检波波、钳钳位、、限幅幅、开开关、、元件件保护护、温温度补补偿等等。ui18V参考点点二极管管阴极极电位位为8VD8VRuoui++––(14-42)例5：已知：：管子子为锗锗管，，VA=3V，VB=0V。导通压压降为0.3V，试求：：VY=?方法：：先判判二极极管谁谁优先先导通通，导通后后二极极管起起嵌位位作用用两端压压降为为定值值。因：VA<VB故：DB优先导通DA截止若：DB导通压降为0.3V则：VY=0.3V解：P12：例14.3.2DAVAVBDBVY+12VR(14-43)FD1D2AB-12V例6：-0.3V2.7V2.7V2.7V设二极极管的的导通通压降降为0.3伏。(14-44)FD1D2AB+12V例7：设二极极管的的导通通压降降为0.3伏。0.3V0.3V0.3V3.3V(14-45)例5：已知：：管子子为锗锗管，，VA=3V，VB=0V。导通压压降为0.3V，试求：：VY=?方法：：先判判二极极管谁谁优先先导通通，导通后后二极极管起起嵌位位作用用两端压压降为为定值值。因：VA<VB故：DB优先导通DA截止若：DB导通压降为0.3V则：VY=0.3V解：P12：例14.3.2DAVAVBDBVY+12VR(14-46)FD1D2AB-12V例6：-0.3V2.7V2.7V2.7V设二极管的的导通压降降为0.3伏。(14-47)符号UZIZIZMUZIZ伏安特性稳压管正常常工作时，，需加反向向电压，工工作于反向向击穿区。。稳压原理：：稳压管反向击击穿以后，，电流变化化很大，但但其两端电电压变化很很小。_+UIO§14.4稳压二极管管曲线越陡电电压越稳_+_+(14-48)UZIZIZMUZIZ伏安特性稳压管反向向击穿是可可逆的，当当去掉反向向电压后，，稳压二极极管恢复正正常。使用时要加加限流电阻阻，稳压二二极管在电电路中可以以起到稳压压作用。反向电流超超过允许范范围时稳压压二极管会会发生过热热击穿而损损坏。UIO曲线越陡电电压越稳_+_+注意：(14-49)(1)稳定电压UZ稳压管正常常工作(反向击穿)时管子两端端的电压。。(2)电压温度系系数U稳压值受温温度变化影影响的系数数，环境温温度每变变化1C引起稳压值变化化的百分数。(3)动态电阻(4)稳定电流IZ、最大稳定定电流IZM(5)最大允许耗耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲线线愈陡，稳稳压性能愈愈好。稳压二极管管的主要参参数:_+UZ(14-50)例1：已知：Uz=12V，IZM=18mA，R=1.6KΩ。试求：Iz=?限流电阻R的阻值是否否合适？解：Iz=(20––Uz)/R=(20-12)/1.6x103=5mA因：IZ<IZM故：限流电电阻R的阻值合适适P14：例14.4.1+IZDZ+20VR=1.6kUZ=12VIZM=18mA_+(14-51)负载电阻：：例2：稳压管的技技术参数:uoiZDZRiLiuiRL解：uimax=1.2ui→流过稳压管管的电流为为IZmax试求：限流流电阻R和输入电压压ui的正常值。。要求：ui发生20%波动时，负负载电压基基本不变。。(14-52)uoiZDZRiLiuiRL联立方程①①、②可可解得：：uimin=0.8ui→流过稳压管管的电流为为IZmin(14-53)§14.5晶体管(a)金属圆壳封装三极管

(b)塑料封装三极管

(c)大功率三极管

常见晶体管管外形图(14-54)14.5.1基本结构常见：硅管管主要是平平面型，锗锗管都是合合金型(a)平面型(b)合金型BEP型硅N型硅SiO2保护膜铟球N型锗N型硅CBECPP铟球晶体管结构构图(14-55)NPN型晶体管PNP型晶体管发射区集电区基区集电结发射结基极发射极集电极CENNPB发射区集电区基区发射结集电结集电极发射极基极CEPPNBNNCEBPCETBIBIEIC符号BECPPNETCBIBIEIC符号晶体管结构构示意图(14-56)基区：最薄薄，掺杂浓度最最低发射区：掺掺杂浓度最高高BECNNP基极发射极集电极结构特点：：集电区：面积最大(14-57)BECNNP三极管放大大的外部条条件：发射结正偏偏、集电结结反偏PNP发射结正偏偏VB<VE集电结反偏偏VC<VBNPN发射结正偏偏VB>VE集电结反偏偏VC>VBEBRBECRC14.5.2电流分配和和放大原理理从电位的角角度看集电结发射结(14-58)晶体管电流流放大的实实验电路设EC=6V，改变可变变电阻RB，则基极电电流IB、集电极电电流IC和发射极电电流IE都发生变化化，测量结结果如下表表：mAAVVmAICECIBIERB+UBE+UCEEBCEB3DG100公共端基极电路集电极电路(14-59)IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05(1)IE=IB+IC符合基尔霍霍夫定律(2)ICIB，ICIE(3)ICIB(4)IB=0时，IC=ICEO0晶体管的电电流放大作作用：基极电流的的微小变化化能够引起起集电极电电流较大的的变化。放大实质：：用一个微小小电流的变变化去控制制一个较大大电流的变变化，晶体体管是电流控制器件。晶体管电流流测量数据据结论:(14-60)晶体管内部部载流子运运动发射区向基基区扩散电电子电子在基区区扩散和复复合集电区收集集从发射区区扩散过来来的电子BECNNP基极发射极集电极发射区集电区基区集电结发射结(14-61)电流分配和和放大原理理BECNNPEBRBECIEIBE基区空穴向向发射区的的扩散可忽忽略.进入P区的电子除除极少数与与基区空穴穴复合，形形成电流IBE,基区要薄，，浓度小，，使绝大多多数电子扩扩散到集电电结.发射结正偏偏,发射区电子子不断向基基区扩散,形成发射极极电流IE。(14-62)BECEBRBECIEICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE集电结反偏偏，由少子子形成的反反向电流ICBO，受温度影响响比较大。。从发射区扩扩散到基区区到达集电电区边缘的的电子被拉拉入集电区区形成ICE。IB=IBE–ICBOIBEIBNNPIC(14-63)直流电流放放大倍数：：ICE与IBE之比要使使晶晶体体管管能能放放大大电电流流，，必必须须使使发射射结结正正偏偏，，集集电电结结反反偏偏。。(14-64)NPN型晶晶体体管管PNP型晶晶体体管管晶体体管管起起放放大大作作用用的的条条件件：：发射射结结必必须须正向向偏置置，，集集电电结结必必须须反向向偏置置。。电流流方方向向和和发发射射结结与与集集电电结结的的极极性性ICIEIB+UCE+

UBE

BEC+UBE

IBIEIC

B+UCEEC(14-65)14.5.3特性性曲曲线线管子子各各电电极极电电压压与与电电流流的的关关系系曲曲线线，，是是管管子子内内部部载载流流子子运运动动的的外外部部表表现现，，反反映映了了晶晶体体管管的的性性能能，，是是分分析析放放大大电电路路的的依依据据。。为什什么么要要研研究究特特性性曲曲线线：：1）直直观观地地分分析析管管子子的的工工作作状状态态2）合合理理地地选选择择偏偏置置电电路路的的参参数数，，设设计计性性能能良良好好的的电电路路重点点讨讨论论应应用用最最广广泛泛的的共共发发射射极极接接法法的的特特性性曲曲线线(14-66)输入入回回路路输出出回回路路BEC(14-67)一、、输入入特特性性曲曲线线UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V0BECNNPEBRBECRC集电结发射结(14-68)IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V特点点:非线线性性工作作压压降降硅管管UBE0.6~0.7V锗管管UBE0.2~0.3V死区区电电压压硅硅管管0.5V锗管管0.1V(14-69)二、、输出出特特性性曲曲线线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0(14-70)线性性放放大大区区IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0UCE大于于一一定定数数值值时时,IC只与与IB有关关,IC=IB发射射结结正正偏偏，，集电电结结反反偏偏(14-71)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0深度度饱饱和和时时硅管管UCES0.3V锗管管UCES0.1VIB的变变化化对对IC的影影响响小小，，IB>ICUCEUBE,发射射结结正正偏偏，，集集电电结结正正偏偏，，饱和和区区(14-72)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0IB=0,IC=ICEOUBE<死区区电电压压截止止区区发射射结结反反偏偏，，集集电电结结反反偏偏(14-73)输出出特特性性三三个个区区域域的的特特点点放大大区区：：发射射结结正正偏偏，，集集电电结结反反偏偏。。IC=IB,且IC=IB+UBE>0

CTEICIEIB+UCEB

-

UBC<0+

UCE>UBE(14-74)(2)饱和和区区：：发射射结结正正偏偏，，集集电电结结正正偏偏。。IC＜IB，IC≈UCC/RC，UCE≈0+IEB+UBE>

0

CTE

-

UBC>

0+

UCE≈0发射射极极和和集集电电极极之之间间如如同同开开关关接接通通，，电电阻阻很很小小。。UCEUBE(14-75)(3)截止区区：发射结结反偏偏，集集电结结反偏偏。IB=0，IC=ICEO0，UCEUCCIC=0IB=0+UCE

UCCIEB+UBE≤0

CTE

-

UBC<0+

IC≈0发射极极和集集电极极之间间如同同开关关断开开，电电阻很很大。。UBE<死区电电压(14-76)输出特特性三三个区区域的的特点点放大区区：发射结结正偏偏，集集电结结反偏偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区区：发射结结正偏偏，集集电结结正偏偏。IC＜IB，IC≈UCC/RC，UCE≈0(3)截止区区：UBE<死区电电压，，IB=0，IC=ICEO0，UCEUCC(14-77)例1:=50，USC=12V,RB=70k，RC=6k当USB=-2V，2V，5V时，晶晶体管管工作作于哪哪个区？？解：当USB=-2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0T管工作作于截截止区区(14-78)T管工作作于放放大区区ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE解：USB=2V时：IC最大饱饱和电电流：：(14-79)解：USB=5V时:ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBET管工作作于饱饱和区区，因因IC和IB已不是是倍的关关系IC最大饱饱和电电流：：(14-80)三、主主要参参数前述电电路中中，三三极管管的发发射极极是输输入和和输出出的公公共点点，称称为共共射接接法，，相应应地还还有共共基、、共集集接法法。共射直流电电流放放大倍倍数：工作于于动态态的三三极管管，真真正的的信号号是叠叠加在在直流流上的的交流流信号号。基基极电电流的的变化化量为为IB，相应的的集电电极电电流变变化为为IC，则交流电电流放放大倍倍数为：1.电流放大倍数和

(14-81)2.集-基极反反向截截止电电流ICBOICBO是由少少数载载流子子的漂漂移运运动所所形成成的电电流，，受温温度的的影响响大。。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反反向截截止电电流(穿透电电流)ICEOAICEOIB=0+–ICEO受温度度的影影响大大。温度ICEO，所以IC也相应应增加加。三极管管的温温度特特性较较差。。(14-82)4.集电极极最大大允许许电流流ICM集电极极电流流IC上升会会导致致三极极管的的值的下下降，，当值下降降到正正常值值的三三分之之二时时的集集电极极电流流即为为