电信学院微电子学系课件

微电子制造技术

第17章

掺杂

微电子制造技术

第17章

掺杂1概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是Ⅲ族和Ⅴ族元素中的硼（B）和磷（P）。

芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用2本章重点1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用；2. 讨论杂质扩散的原理和过程；3. 了解离子注入相对于热扩散的优缺点；4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性；5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统；6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应；7. 描述离子注入的各种应用。本章重点1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用；3表17.1半导体制造常用杂质表17.1半导体制造常用杂质4

掺杂在芯片制造中的应用N-沟道晶体管P-沟道晶体管LIoxidep–

外延层p+

硅衬底STISTISTIn+p+p-welln-wellp+p–p+p–p+n+n–n+n–n+ABCEFDGHKLIJMNOn+nn++p+pp++Figure17.1具有掺杂区的CMOS结构

掺杂在芯片制造中的应用N-沟道晶体管P-沟道晶体管5表17.2CMOS制作中的一般掺杂工艺表17.2CMOS制作中的一般掺杂工艺6掺杂区硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以形成p型或者n型硅。在芯片制造过程中有选择地引入杂质是为了实现各种器件结构。杂质是通过硅片上的掩膜窗口有选择性地进入硅的晶体结构中，形成掺杂区(见图17.3)。描述掺杂区的特性参数有掺杂量(包括杂质的分布形式)和结深。掺杂区杂质的类型可以与硅片的类型相反，也可以与硅片的类型相同。掺杂区的类型由p型转变为n型或者相反的情况，就形成了pn结。硅片在整个制造过程中要经历多次高温工艺，而每次的高温工艺都会造成杂质在硅中的扩散，从而改变掺杂区的原始参数并影响器件性能。掺杂区硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以7氧化硅氧化硅p+

硅衬底掺杂气体N扩散区Figure17.3硅片中的掺杂区

氧化硅氧化硅p+硅衬底掺杂气体N扩散区Figure178扩散扩散原理三个步骤预淀积推进激活掺杂剂移动固溶度横向扩散扩散工艺硅片清洗杂质源扩散扩散原理9扩散的概念扩散是一种自然的物理过程，扩散的发生需要两个必要的条件：浓度差及过程所必须的能量。掺杂区和扩散结的形成含有杂质的气流扩散炉管+表示P型杂质原子-表示N型杂质原子扩散的概念扩散是一种自然的物理过程，扩散的发生需要两10在间隙位置被转移的硅原子SiSiSiSiSiSiSiSiSic)机械的间隙转移SiSiSiSiSiSiSiSiSia)硅晶体结构b)替位扩散SiSiSiSiSiSiSiSi空位杂质d)间隙扩散SiSiSiSiSiSiSiSiSi在间隙位置的杂质Figure17.4硅中的杂质扩散

在间隙位置被SiSiSiSiSiSiSiSiSic)机械11固态扩散的目的在晶园表面薄层产生一定数量的掺杂原子在晶园表面下的特定位置处形成np(或pn)结在晶园表面薄层形成特定的掺杂原子分布结的图形显示理想的横向扩散Figure17.5固态扩散的目的在晶园表面薄层产生一定数量的掺杂原子Figur12Table17.3

1100°C下硅中的固溶度极限Table17.3

固溶度：某种杂质在特定温度下能溶入到固体中的最大杂质数量。Table17.31100°C下硅中的固溶度极限13扩散工艺完成扩散过程所需的步骤：1. 进行质量测试以保证工具满足生产质量标准；2. 使用批控制系统，验证硅片特性；.3. 下载包含所需的扩散参数的工艺菜单；4. 开启扩散炉，包括温度分布；5. 清洗硅片并浸泡氢氟酸，去除自然氧化层；6. 预淀积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质；7. 推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后撤除硅片；8. 测量、评价、记录结深和电阻。

扩散工艺完成扩散过程所需的步骤：14表17.4扩散常用杂质源SEMATECH“DiffusionProcesses,”FurnaceProcessesandRelatedTopics,(Austin,TX:SEMATECH,1994),P.7.表17.4扩散常用杂质源SEMATECH“Diffusi15典型的杂质(或载流子)在硅片内的深度分布典型的杂质(或载流子)在硅片内的深度分布16扩散层中杂质原子的浓度分布实际上由于扩散层的结深相对于平面尺寸来讲要小的多，所形成的pn结基本上可看作平行于表面的。这样，菲克第二定律就可写成：其物理意义为：存在浓度梯度的情况下，随着时间的变化某处浓度的变化（增加或减少）是扩散粒子在该点的积累或流失的结果。求解上述扩散方程，就可以得到浓度随时间和位置的函数关系。不过随着边界条件和初始条件的不同，其解的形式就有所不同。扩散层中杂质原子的浓度分布实际上由于扩散层的结深17预淀积（恒定表面源扩散）恒定表面源扩散是指扩散过程中硅片始终处于含源的气氛中，即硅片表面浓度始终保持不变，只是随时间的变化扩散层中的杂质数在增多，预淀积后的杂质分布可由以下初始和边界条件解得预淀积（恒定表面源扩散）恒定表面源扩散是指扩散过程中18影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素：杂质的扩散系数杂质在晶园中的最大固溶度预淀积后的杂质分布影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素：预淀积后的杂质分布19再分布（有限源扩散）

有限源扩散是指在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面薄层内的杂质总数不变，依靠这些有限的杂质向硅中扩散，随着时间得增加，结深增加，表面浓度下降。再分布（有限源扩散）有限源扩散是指在扩散过程中，杂20通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深、表面浓度、扩散层薄层电阻达到设计要求的同时，在扩散层表面同时形成一定厚度的氧化层。通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深21薄层（方块）电阻标志扩散层质量的一个重要参数，是器件生产过程中着重控制和检验的参数之一，因为电阻本身的物理意义是反应了被测物体电导率的大小（或载流子浓度的多少）。对如图所示的正方形扩散层，若在图示方向加上电流，可测得薄层的电阻值为：Rs=ρ•L/LXj=ρ/Xj

(Ω/方块)

ρ为电阻率，由此可见薄层电阻只与电阻率和薄层的厚度（Xj）有关，而与边长无关。由于薄层电阻测量简单，工艺过程中常用测量它来判断扩散层的质量是否符合工艺设计要求。

LLxjI薄层（方块）电阻标志扩散层质量的一个重要参数，是器件22四探针测量薄层电阻在工艺线上，广泛使用测量方块电阻的方法是四探针法。要求两探针间的距离应小于膜层的厚度。S：探针之间的距离常量4.53是在探针间距很小且薄层尺寸无限大的假设下的修正系数。WaferRVoltmeterConstantcurrentsourceVIrs=VIx

2ps(ohms-cm)四探针测量薄层电阻在工艺线上，广泛使用测量方块电阻的方法23用于测量样品电阻率的方法四探针测量法范德堡测量法用于测量样品电阻率的方法四探针测量法范德堡测量法24练习题：制造一个NPN晶体管，首先在1100℃下进行硼(B)预淀积扩散，扩散时间20分钟，然后在1100℃下做推进(再分布)扩散。假若推进扩散的时间是30分钟，试求推进后的结深应为多少？推进后表面浓度是多少？假设衬底浓度为1015cm-3，(已知1100℃时硼在硅中的最大固溶度是5×1020/cm3，扩散系数D=5×10-12cm2/S)练习题：25离子注入

离子注入是先进半导体制造过程中广泛使用的一种掺杂技术。其特点是能够重复控制掺杂的浓度和深度（如图17.5所示），因而在几乎所有的应用中都优于扩散。它已经成为满足0.25µm特征尺寸和大直径硅片制作要求的标准工艺。离子注入工艺在离子注入机内进行，它是半导体工艺中最复杂的设备之一。离子注入的优点：

1.精确控制杂质含量；2.很好的杂质均匀性；3.对杂质穿透深度有很好的控制；

离子注入离子注入是先进半导体制造过26控制杂质浓度和深度低掺杂浓度(n–,p–)和浅结深(xj)Mask掩蔽层Siliconsubstratexj低能低剂量快速扫描束扫描掺杂离子离子注入机高掺杂浓度(n+,p+)和深结深(xj)Beamscan高能大剂量慢速扫描MaskMaskSiliconsubstratexjIonimplanterFigure17.5

控制杂质浓度和深度低掺杂浓度(n–,p–)Mask掩蔽274.产生单一粒子束；5.低温工艺；6.注入的离子能穿过掩蔽膜；无固溶度极限。缺点是高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。所幸的是大多数甚至所有的晶体损伤都能用高温退火进行修复。另一个缺点是注入设备的复查性，然而，这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性所弥补。4.产生单一粒子束；28离子注入参数剂量：表示注入硅片表面单位面积的离子数，通常用Q表示：

Q=It/enA其中，Q=剂量，单位：原子数/每平方厘米

I=速流，单位：库仑/每秒(安培)t=注入时间，单位：秒

e=电子电荷，n=离子电荷,A=注入面积当正杂质离子形成粒子束，它的流量被称为粒子束电流。粒子束电流的量级是定义剂量的一个关键变量。如果电流增大，单位时间内注入的杂质原子数量也增大。离子注入参数剂量：表示注入硅片表面单位面积的离子数，29射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入离子的能量有关。而离子的能量又是从加速电势差中获得的。离子注入中的能量一般用电子电荷与电势差的乘积，即电子伏特（ev）来表示。例如，如果一个带正电荷的离子在电势差为100KV的电场中运动，它的能量就是：

KE=nv=1*100KV=100keV

注入离子的能量越高，意味着杂质原子穿入硅片的深度越大，即射程就越大。而射程和结深相关，所以控制射程就意味着控制结深。高能注入机的能量可达到2～3MeV，低能量注入机的能量目前已经下降到约200eV，能够掺杂非常浅的源漏区。射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入30人射粒子束硅衬底对单个离子停止点RpDRp杂质分布Figure17.7杂质离子的射程和投影射程人射粒子束硅衬底对单个离RpDRp杂质分布Figure1731电信学院微电子学系课件32注入能量(keV)投影射程Rp(mm)101001,0000.010.11.0BPAsSb注入到硅中Figure17.8注入能量对应射程图

注入能量(keV)投影射程Rp(mm)101001,033投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)34投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)35

入射离子的能量损失模型在入射离子进入靶时，每个离子的射程是无规则的，但对大量以相同能量入射的离子来说，仍然存在一定的统计规律性。在一定条件下，其射程和投影射程都具有确定的统计平均值。为了确定入射离子的浓度(或射程)分布，首先应考虑入射离子如何与靶中原子核和电子发生碰撞而损失能量的过程。因原子核和电子的质量差别很大(几个数量级)，所以这两种碰撞机构的情况是不同的。因此，可以把入射离子能量的损失分为两个彼此独立的过程，即入射离子和原子核的碰撞及入射离子和电子的碰撞两个过程来处理。入射离子的能量损失模型在入射离子进入靶时，每个离子36SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiX-射线电子碰撞原子碰撞被移动的硅原子携能杂质离子硅晶格Figure17.9注入杂质原子能量损失模型

SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi37轻离子冲击重离子冲击Figure17.10轻离子和重离子引起的晶格损伤轻离子冲击重离子冲击Figure17.10轻离子和38入射粒子在硅片中的分布入射粒子在硅片中的分布，一般取如下形式的高斯分布函数，即入射粒子在硅片中的分布入射粒子在硅片中的分布，一39由此解得峰值浓度NMaxN(x)RPxp△RP由此解得峰值浓度NMaxN(x)RPxp△RP40离子注入机离子注入机包括以下5个部分：离子源引出电极(吸极)和离子分析器加速管扫描系统工艺腔

离子注入机离子注入机包括以下5个部分：41离子注入机示意图离子源分析磁体加速管离子束等离子体工艺腔吸出组件扫描盘离子注入机示意图离子源分析磁体加速管离子束等离子体工艺腔42离子源离子源和引出装置通常放置在同一真空腔(图17.11)，用于从气态或固态杂质中产生正离子。带正电的离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。通常用到的B+,P+,As+，Sb+都是电离原子或分子得到，最常用的杂质物质有B2H6,BF3,PH3,AsH3等气体。由于离子本身带电，因此能够被电磁场控制和加速。另一种供应杂质材料的方法是加热并气化固态材料，这种方法有时被用于从固态小球中获得砷As+和磷P+。固态源的缺点是气化时间较长(约40～180分钟)。然而，从环境和安全角度出发，大多数IC制造商更愿意使用固态离子源。离子源离子源和引出装置通常放置在同一真空腔(图1743Figure17.11离子源和吸极装配图吸出组件源室涡轮泵离子源绝缘体起弧室吸极吸出组件粒子束Figure17.11离子源和吸极装配图吸出组件44前板狭缝起弧室灯丝电子反射器气体入口5V电子反射器阳极+100V起弧室气化喷嘴电炉气体导入管DI冷却水入口掺杂剂气体入口Figure17.12Bernas离子源装配图前板狭缝起弧室灯丝电子反射器气体入口5V电子反射器阳极+45吸极和离子分析器吸极的作用是收集离子源中产生的所有正离子，并使他们形成粒子束。离子通过离子源上的一个窄缝得到吸引。吸极由吸引装置的电狐室(阳极)的正排斥，以及吸引装置负压(阴极)的吸引(见图17.13)。由于正离子每个都带有正电荷，因此被吸向负电场。电场强渡越大，离子运动的就越快，动能也就越大，在硅片中穿行的距离就越长。吸极的负电压偏置还能阻止等离子体中的电子，使正离子形成粒子束。负压偏置的印制电极可以把离子束聚束成一个平行束流，使其通过注入机。吸极和离子分析器吸极的作用是收集离子源中产生的所有正46++

+

+

+

+

+++

+

+

+

+

+-

-

----------NS

NS120V起弧吸出组件离子源60kV吸引2.5kV抑制源磁铁5V灯丝ToPA+粒子束参考端(PA电压)抑制电极接地电极Figure17.13离子源和吸极交互作用装配图

++

+

+

+

+

+++

+

+

+

+

+-

-

-N47质量分析器磁铁石磨离子源分析磁体粒子束吸出组件较轻离子重离子中性离子Figure17.14分析磁体质量分析器磁铁石磨离子源分析磁体粒子束吸出较轻离子重离子中性48从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他们在吸极电压的加速下，以很高的速度运动，因为不同离子有着不同的原子质量单位，而磁性离子分析器能将所需要的离子从混合的粒子束中分离出来，如图17.14所示。分析器磁体形成的90度角能使离子的轨迹偏转成弧形。对于一定的磁场强渡，重离子不能偏转到合适的角度，而轻离子的偏转过大。只有一种离子能够发生恰当的偏转，顺利地通过分析器磁铁的中心，这就是最终注入到硅片中的杂质。离子弧形轨迹半径由离子的质量、速度、磁场强渡和离子所带的电荷共同决定。通过将磁场强渡调整到与杂质离子的轨迹匹配，期望得到的杂质就能通过分析器末端的窄缝，而其它离子则被阻挡。从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他49加速管为了获得更高的速度(能量)，除了分析器磁铁，正离子还要在加速管中的电场作用下进行加速(见图17.15)。加速管由一系列被介质隔离的电极组成，电极上的负电压依次增大。当正离子进入加速管时，它们就在电场的作用下加速，加速的大小与电场有关，总的电压越高，离子的速度就越大(能量越大)。高能量意味着杂质离子能够被注入到硅片的深度就越大。而低能量可以被用于超浅结注入。图17.16表示了粒子束能量与剂量的关系。剂量与能量的关系图强调了能量(射程)和剂量(浓度)在离子注入中的重要性。加速管为了获得更高的速度(能量)，除了分析器磁铁，正50100MW100MW100MW100MW100MW0kV+100kV+80kV+20kV+40kV+60kV+100kV粒子束粒子束至工艺腔电极来自分析磁体Figure17.15加速管100MW100MW100MW100MW100MW51临近吸收现在应用扩展应用多晶掺杂源/漏损伤工程Buriedlayers倒掺杂阱三阱Vt调整沟道和漏工程0.1110100100010,0001016101110121013101410151017能量(keV)剂量(atoms/cm2)Figure17.16剂量与能量图临近现在应用扩展应用多晶掺杂源/漏损伤工程Buriedla52源原子质量分析磁体线形加速器最终能量分析磁体扫描盘硅片Figure17.17高能注入机的线形加速器源原子质量线形加速器最终能量扫描盘硅片Figure17.153扫描系统从离子源吸出的离子束虽然经过磁分析器、加速装置，但聚束粒子束仍然很小(中等电流的注入机束斑约1cm2，大电流注入束斑约为3cm2)。为了在硅片上所有地方均匀注入，必须通过扫描系统将离子束流覆盖整个硅片。

扫描方式有两种：固定硅片，移动束斑；固定束斑，移动硅片。注入机的扫描系统有以下几种不同类型：静电扫描机械扫描混合扫描平行扫描

扫描系统从离子源吸出的离子束虽然经过磁分析器、加速装54+IonbeamY-轴偏转X-轴偏转硅片旋转倾斜高频

X-轴偏转低频

Y-轴偏移Figure17.20硅片的静电粒子束扫描+IonbeamY-轴X-轴硅片旋转倾斜高频低频Figu55由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的机会会明显降低。这种扫描的另一优点是电子和中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。主要缺点是粒子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍粒子束的注入，如图17.21所示。

光刻胶a)无倾斜的机械扫描粒子束b)正常倾斜的静电扫描光刻胶粒子束Figure17.21

由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的56扫描外半径扫描内半径注入面积(计算的)溢出杯旋转粒子束Figure17.22离子注入硅片的机械扫描扫描外半径扫描内半径注入面积溢出杯旋转粒子束Figure157工艺腔工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端台、硅片传送系统和计算机控制系统，另外还有一些检测剂量和控制沟道效应的装置，是离子注入机的重要组成部分。工艺腔的高真空可以用多级机械泵、涡轮泵、冷却泵联合来实现(通常是10-6托)。离子注入机中的实时剂量监控系统通过测量到达硅片的粒子束完成。通常用一种称为法拉第杯的传感器测量粒子束电流。工艺腔工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端58VIISion终端台工艺腔终端子系统原子系统注入子系统操作界面片架真空锁硅片传送器扫描盘监视器WallFigure17.25注入工艺腔的硅片传送器VIISion终端台工艺腔终端子系统原子系统注入子系统操作界59带硅片的扫描盘扫描方向法拉第杯抑制栅孔径电流积分仪在盘上的取样狭缝粒子束Figure17.26法拉第杯电流测量带硅片的扫描方向法拉第杯抑制栅孔径电流在盘上的取样狭缝粒子束60离子注入机的分类离子注入机的分类61退火

由于注入离子进入硅中和硅原子的碰撞作用，使硅晶体结构发生变化，严重时注入层变成非晶层。另外，被注入离子基本不占据硅的格点，而是停留在晶格的间隙位置。这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活而占据晶格格点。退火还能加热硅片，修复注入层的晶格缺陷。

修复晶格缺陷大约需要500℃，激活杂质原子需要950℃，除了和温度的有关以外还与时间有关，时间越长温度越高，杂质被激活的越充分。硅片的退火有两种基本方法：高温退火和快速热处理退火(RTP)。退火由于注入离子进入硅中和硅原子的碰撞作用，使硅晶62修复硅晶格结构并激活杂质－硅键b)退火后的硅晶格a)注入过程中损伤的硅晶格粒子束Figure17.27硅单晶的退火修复硅晶格结构b)退火后的硅晶格a)注入过程中损伤的63沟道效应

在非晶靶中，原子的排列是无规则的，入射离子在靶中受到的碰撞过程是随机的。而对于单晶靶，因为靶中原子是按一定规律周期性地重复排列而成为晶格点阵，具有一定的对称性和各向异性。因此，靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性，而是与靶晶体的取向有关。

以硅为例，若从<110>晶向看去，可以看到由原子包围成的一系列平行管道（见图17.28)。因此当入射离子沿此方向进入沟道时，就会在沟道中前进成为一种有规则的运动，这种运动称为沟道运动。显然，在这种情况下，来自靶原子的阻止作用是很小的，因而其射程就很大。我们把这种效应称为沟道效应。沟64Figure17.28沿<110>轴的硅晶格视图Figure17.28沿<110>轴的硅晶格视图65沟道效应是我们不希望的。注入过程中有4种方法控制沟道效应（1）倾斜硅片；（2）掩蔽氧化层；（3）硅预非晶化；（4）使用质量较大的原子。

倾斜硅是减小沟道效应最常用的方法，是把硅片相对与粒子束运动方向倾斜一个角度。（100）晶向常用角度是偏离垂直方向7°，保证杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。从而能获得对注入离子投影射程更好的控制（见图17.29）。值得注意的是，超浅结低能注入的沟道效应有所不同，倾斜硅片几乎不起什么作用。另外，倾斜硅片会增加阴影效应，可能导致器件性能的不对称。沟道效应是我们不希望的。注入过程中有4种方法66离子入射角与沟道<111><100><110>Figure17.29离子入射角与沟道

离子入射角与沟道<111><100><110>Figure67MaskMaskSiliconSubstrate粒子束扫描离子注入机颗粒在被注入区产生空洞Figure17.30来自颗粒沾污的注入损伤MaskMaskSiliconSubstrate粒子束扫描68离子注入在工艺集成中的发展趋势不同注入工艺的实例深埋层倒掺杂阱穿通阻挡层阈值电压调整轻掺杂漏区(LDD)源漏注入多晶硅栅沟槽电容器超浅结绝缘体上硅(SOI)

离子注入在工艺集成中的发展趋势不同注入工艺的实例69Figure17.31注入埋层

n-wellp-wellp-Epilayerp+Siliconsubstratep+Buriedlayer倒掺杂阱Figure17.31注入埋层n-wellp-well70n-wellp-wellp+

埋层p+SiliconsubstrateN－杂质p-typedopantp++n++Figure17.32倒掺杂阱

n-wellp-wellp+埋层p+Siliconsu71n-wellp-wellp+Buriedlayerp+Siliconsubstraten-typedopantp-typedopantp+p++n+n++Figure17.33防止穿通

n-wellp-wellp+Buriedlayerp+72n-wellp-wellp+Buriedlayerp+Siliconsubstraten-typedopantp-typedopantp+p++pn+n++nFigure17.34阈值电压调整的注入

n-wellp-wellp+Buriedlayerp+73++++++++----------++++++++++++++++

----------------n-wellp-wellp+Buriedlayerp+Siliconsubstratep+S/Dimplantn+S/Dimplant侧墙氧化硅DrainSourceDrainSourceb)p+

和n+

源漏注入 (分两步进行)++++++++----------n-wellp-wellp+Buriedlayerp+Siliconsubstratep-channeltransistorp–LDDimplantn-channeltransistorn–LDDimplantDrain

SourceDrainSource多晶硅栅a)p–

和n–

轻掺杂源漏注入 (分两步进行)Figure17.35源漏区形成

++++++++---------74n+dopantn+p+倾斜注入形成电容器的沟槽Figure17.36沟槽电容器的垂直侧墙上杂质注入

n+dopantn+p+倾斜注入形成电容器的沟槽Figur75Figure17.37超浅结注入180nm20Å栅氧化层厚度54nm砷注入层多晶硅栅Figure17.37超浅结注入180nm20Å76CMOS晶体管和

具有埋氧化层的CMOS晶体管a)CommonCMOSwaferconstructionn-wellp-wellEpilayerSiliconsubstrateb)CMOSwaferwithSIMOXburiedlayern-wellp-well注入二氧化硅SiliconsubstrateSiliconsubstrateFigure17.38

CMOS晶体管和

具有埋氧化层的CMOS晶体管a)C77

小结

掺杂是人为地把杂质引入硅中，从而改变硅材料的电学性能及器件的纵向结构。掺杂能够通过离子注入或扩散实现。离子注入有众多的优点，已大规模取代了扩散。

离子注入的两个重要参数是剂量和射程。束流用于确定剂量；射程是杂质穿过硅片的总距离，与能量和杂质离子质量有关。注入离子和硅原子发生碰撞造成晶体缺陷，用高温炉或RTP退火，可以修复晶格缺陷，激活杂质。

沟道效应是指杂质通过晶格的间隙位置，将导致不一致的结深。可以用倾斜硅片、掩膜氧化层等方法加以控制。小78例题：离子注入在硅中的浓度分布一般遵循下列函数关系，即式中N(xp)表示距离靶表面深度为Xp处的离子浓度，Nmax为峰值处的浓度。请推导峰值浓度与注入剂量之表达式；以100Kev的能量将剂量NS＝1015/cm3的硼离子，注入掺杂浓度为NB=1016/cm3的n型外延层，试求离子注入的峰值浓度及离子注入的结深。(注入能量在100Kev时，Rp=308.1nm,ΔRp=88.9nm)例题：79微电子制造技术

第17章

掺杂

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第17章

掺杂80概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是Ⅲ族和Ⅴ族元素中的硼（B）和磷（P）。

芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用81本章重点1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用；2. 讨论杂质扩散的原理和过程；3. 了解离子注入相对于热扩散的优缺点；4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性；5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统；6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应；7. 描述离子注入的各种应用。本章重点1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用；82表17.1半导体制造常用杂质表17.1半导体制造常用杂质83

掺杂在芯片制造中的应用N-沟道晶体管P-沟道晶体管LIoxidep–

外延层p+

硅衬底STISTISTIn+p+p-welln-wellp+p–p+p–p+n+n–n+n–n+ABCEFDGHKLIJMNOn+nn++p+pp++Figure17.1具有掺杂区的CMOS结构

掺杂在芯片制造中的应用N-沟道晶体管P-沟道晶体管84表17.2CMOS制作中的一般掺杂工艺表17.2CMOS制作中的一般掺杂工艺85掺杂区硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以形成p型或者n型硅。在芯片制造过程中有选择地引入杂质是为了实现各种器件结构。杂质是通过硅片上的掩膜窗口有选择性地进入硅的晶体结构中，形成掺杂区(见图17.3)。描述掺杂区的特性参数有掺杂量(包括杂质的分布形式)和结深。掺杂区杂质的类型可以与硅片的类型相反，也可以与硅片的类型相同。掺杂区的类型由p型转变为n型或者相反的情况，就形成了pn结。硅片在整个制造过程中要经历多次高温工艺，而每次的高温工艺都会造成杂质在硅中的扩散，从而改变掺杂区的原始参数并影响器件性能。掺杂区硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以86氧化硅氧化硅p+

硅衬底掺杂气体N扩散区Figure17.3硅片中的掺杂区

氧化硅氧化硅p+硅衬底掺杂气体N扩散区Figure1787扩散扩散原理三个步骤预淀积推进激活掺杂剂移动固溶度横向扩散扩散工艺硅片清洗杂质源扩散扩散原理88扩散的概念扩散是一种自然的物理过程，扩散的发生需要两个必要的条件：浓度差及过程所必须的能量。掺杂区和扩散结的形成含有杂质的气流扩散炉管+表示P型杂质原子-表示N型杂质原子扩散的概念扩散是一种自然的物理过程，扩散的发生需要两89在间隙位置被转移的硅原子SiSiSiSiSiSiSiSiSic)机械的间隙转移SiSiSiSiSiSiSiSiSia)硅晶体结构b)替位扩散SiSiSiSiSiSiSiSi空位杂质d)间隙扩散SiSiSiSiSiSiSiSiSi在间隙位置的杂质Figure17.4硅中的杂质扩散

在间隙位置被SiSiSiSiSiSiSiSiSic)机械90固态扩散的目的在晶园表面薄层产生一定数量的掺杂原子在晶园表面下的特定位置处形成np(或pn)结在晶园表面薄层形成特定的掺杂原子分布结的图形显示理想的横向扩散Figure17.5固态扩散的目的在晶园表面薄层产生一定数量的掺杂原子Figur91Table17.3

1100°C下硅中的固溶度极限Table17.3

固溶度：某种杂质在特定温度下能溶入到固体中的最大杂质数量。Table17.31100°C下硅中的固溶度极限92扩散工艺完成扩散过程所需的步骤：1. 进行质量测试以保证工具满足生产质量标准；2. 使用批控制系统，验证硅片特性；.3. 下载包含所需的扩散参数的工艺菜单；4. 开启扩散炉，包括温度分布；5. 清洗硅片并浸泡氢氟酸，去除自然氧化层；6. 预淀积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质；7. 推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后撤除硅片；8. 测量、评价、记录结深和电阻。

扩散工艺完成扩散过程所需的步骤：93表17.4扩散常用杂质源SEMATECH“DiffusionProcesses,”FurnaceProcessesandRelatedTopics,(Austin,TX:SEMATECH,1994),P.7.表17.4扩散常用杂质源SEMATECH“Diffusi94典型的杂质(或载流子)在硅片内的深度分布典型的杂质(或载流子)在硅片内的深度分布95扩散层中杂质原子的浓度分布实际上由于扩散层的结深相对于平面尺寸来讲要小的多，所形成的pn结基本上可看作平行于表面的。这样，菲克第二定律就可写成：其物理意义为：存在浓度梯度的情况下，随着时间的变化某处浓度的变化（增加或减少）是扩散粒子在该点的积累或流失的结果。求解上述扩散方程，就可以得到浓度随时间和位置的函数关系。不过随着边界条件和初始条件的不同，其解的形式就有所不同。扩散层中杂质原子的浓度分布实际上由于扩散层的结深96预淀积（恒定表面源扩散）恒定表面源扩散是指扩散过程中硅片始终处于含源的气氛中，即硅片表面浓度始终保持不变，只是随时间的变化扩散层中的杂质数在增多，预淀积后的杂质分布可由以下初始和边界条件解得预淀积（恒定表面源扩散）恒定表面源扩散是指扩散过程中97影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素：杂质的扩散系数杂质在晶园中的最大固溶度预淀积后的杂质分布影响扩散层参数（结深、浓度等）的几个因素：预淀积后的杂质分布98再分布（有限源扩散）

有限源扩散是指在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面薄层内的杂质总数不变，依靠这些有限的杂质向硅中扩散，随着时间得增加，结深增加，表面浓度下降。再分布（有限源扩散）有限源扩散是指在扩散过程中，杂99通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深、表面浓度、扩散层薄层电阻达到设计要求的同时，在扩散层表面同时形成一定厚度的氧化层。通常情况下，再分布和氧化同时进行。在此过程中杂质的推进使结深100薄层（方块）电阻标志扩散层质量的一个重要参数，是器件生产过程中着重控制和检验的参数之一，因为电阻本身的物理意义是反应了被测物体电导率的大小（或载流子浓度的多少）。对如图所示的正方形扩散层，若在图示方向加上电流，可测得薄层的电阻值为：Rs=ρ•L/LXj=ρ/Xj

(Ω/方块)

ρ为电阻率，由此可见薄层电阻只与电阻率和薄层的厚度（Xj）有关，而与边长无关。由于薄层电阻测量简单，工艺过程中常用测量它来判断扩散层的质量是否符合工艺设计要求。

LLxjI薄层（方块）电阻标志扩散层质量的一个重要参数，是器件101四探针测量薄层电阻在工艺线上，广泛使用测量方块电阻的方法是四探针法。要求两探针间的距离应小于膜层的厚度。S：探针之间的距离常量4.53是在探针间距很小且薄层尺寸无限大的假设下的修正系数。WaferRVoltmeterConstantcurrentsourceVIrs=VIx

2ps(ohms-cm)四探针测量薄层电阻在工艺线上，广泛使用测量方块电阻的方法102用于测量样品电阻率的方法四探针测量法范德堡测量法用于测量样品电阻率的方法四探针测量法范德堡测量法103练习题：制造一个NPN晶体管，首先在1100℃下进行硼(B)预淀积扩散，扩散时间20分钟，然后在1100℃下做推进(再分布)扩散。假若推进扩散的时间是30分钟，试求推进后的结深应为多少？推进后表面浓度是多少？假设衬底浓度为1015cm-3，(已知1100℃时硼在硅中的最大固溶度是5×1020/cm3，扩散系数D=5×10-12cm2/S)练习题：104离子注入

离子注入是先进半导体制造过程中广泛使用的一种掺杂技术。其特点是能够重复控制掺杂的浓度和深度（如图17.5所示），因而在几乎所有的应用中都优于扩散。它已经成为满足0.25µm特征尺寸和大直径硅片制作要求的标准工艺。离子注入工艺在离子注入机内进行，它是半导体工艺中最复杂的设备之一。离子注入的优点：

1.精确控制杂质含量；2.很好的杂质均匀性；3.对杂质穿透深度有很好的控制；

离子注入离子注入是先进半导体制造过105控制杂质浓度和深度低掺杂浓度(n–,p–)和浅结深(xj)Mask掩蔽层Siliconsubstratexj低能低剂量快速扫描束扫描掺杂离子离子注入机高掺杂浓度(n+,p+)和深结深(xj)Beamscan高能大剂量慢速扫描MaskMaskSiliconsubstratexjIonimplanterFigure17.5

控制杂质浓度和深度低掺杂浓度(n–,p–)Mask掩蔽1064.产生单一粒子束；5.低温工艺；6.注入的离子能穿过掩蔽膜；无固溶度极限。缺点是高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。所幸的是大多数甚至所有的晶体损伤都能用高温退火进行修复。另一个缺点是注入设备的复查性，然而，这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性所弥补。4.产生单一粒子束；107离子注入参数剂量：表示注入硅片表面单位面积的离子数，通常用Q表示：

Q=It/enA其中，Q=剂量，单位：原子数/每平方厘米

I=速流，单位：库仑/每秒(安培)t=注入时间，单位：秒

e=电子电荷，n=离子电荷,A=注入面积当正杂质离子形成粒子束，它的流量被称为粒子束电流。粒子束电流的量级是定义剂量的一个关键变量。如果电流增大，单位时间内注入的杂质原子数量也增大。离子注入参数剂量：表示注入硅片表面单位面积的离子数，108射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入离子的能量有关。而离子的能量又是从加速电势差中获得的。离子注入中的能量一般用电子电荷与电势差的乘积，即电子伏特（ev）来表示。例如，如果一个带正电荷的离子在电势差为100KV的电场中运动，它的能量就是：

KE=nv=1*100KV=100keV

注入离子的能量越高，意味着杂质原子穿入硅片的深度越大，即射程就越大。而射程和结深相关，所以控制射程就意味着控制结深。高能注入机的能量可达到2～3MeV，低能量注入机的能量目前已经下降到约200eV，能够掺杂非常浅的源漏区。射程：是指离子注入过程中，离子穿入硅片内总的距离。射程与注入109人射粒子束硅衬底对单个离子停止点RpDRp杂质分布Figure17.7杂质离子的射程和投影射程人射粒子束硅衬底对单个离RpDRp杂质分布Figure17110电信学院微电子学系课件111注入能量(keV)投影射程Rp(mm)101001,0000.010.11.0BPAsSb注入到硅中Figure17.8注入能量对应射程图

注入能量(keV)投影射程Rp(mm)101001,0112投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)113投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴)114

入射离子的能量损失模型在入射离子进入靶时，每个离子的射程是无规则的，但对大量以相同能量入射的离子来说，仍然存在一定的统计规律性。在一定条件下，其射程和投影射程都具有确定的统计平均值。为了确定入射离子的浓度(或射程)分布，首先应考虑入射离子如何与靶中原子核和电子发生碰撞而损失能量的过程。因原子核和电子的质量差别很大(几个数量级)，所以这两种碰撞机构的情况是不同的。因此，可以把入射离子能量的损失分为两个彼此独立的过程，即入射离子和原子核的碰撞及入射离子和电子的碰撞两个过程来处理。入射离子的能量损失模型在入射离子进入靶时，每个离子115SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiX-射线电子碰撞原子碰撞被移动的硅原子携能杂质离子硅晶格Figure17.9注入杂质原子能量损失模型

SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi116轻离子冲击重离子冲击Figure17.10轻离子和重离子引起的晶格损伤轻离子冲击重离子冲击Figure17.10轻离子和117入射粒子在硅片中的分布入射粒子在硅片中的分布，一般取如下形式的高斯分布函数，即入射粒子在硅片中的分布入射粒子在硅片中的分布，一118由此解得峰值浓度NMaxN(x)RPxp△RP由此解得峰值浓度NMaxN(x)RPxp△RP119离子注入机离子注入机包括以下5个部分：离子源引出电极(吸极)和离子分析器加速管扫描系统工艺腔

离子注入机离子注入机包括以下5个部分：120离子注入机示意图离子源分析磁体加速管离子束等离子体工艺腔吸出组件扫描盘离子注入机示意图离子源分析磁体加速管离子束等离子体工艺腔121离子源离子源和引出装置通常放置在同一真空腔(图17.11)，用于从气态或固态杂质中产生正离子。带正电的离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。通常用到的B+,P+,As+，Sb+都是电离原子或分子得到，最常用的杂质物质有B2H6,BF3,PH3,AsH3等气体。由于离子本身带电，因此能够被电磁场控制和加速。另一种供应杂质材料的方法是加热并气化固态材料，这种方法有时被用于从固态小球中获得砷As+和磷P+。固态源的缺点是气化时间较长(约40～180分钟)。然而，从环境和安全角度出发，大多数IC制造商更愿意使用固态离子源。离子源离子源和引出装置通常放置在同一真空腔(图17122Figure17.11离子源和吸极装配图吸出组件源室涡轮泵离子源绝缘体起弧室吸极吸出组件粒子束Figure17.11离子源和吸极装配图吸出组件123前板狭缝起弧室灯丝电子反射器气体入口5V电子反射器阳极+100V起弧室气化喷嘴电炉气体导入管DI冷却水入口掺杂剂气体入口Figure17.12Bernas离子源装配图前板狭缝起弧室灯丝电子反射器气体入口5V电子反射器阳极+124吸极和离子分析器吸极的作用是收集离子源中产生的所有正离子，并使他们形成粒子束。离子通过离子源上的一个窄缝得到吸引。吸极由吸引装置的电狐室(阳极)的正排斥，以及吸引装置负压(阴极)的吸引(见图17.13)。由于正离子每个都带有正电荷，因此被吸向负电场。电场强渡越大，离子运动的就越快，动能也就越大，在硅片中穿行的距离就越长。吸极的负电压偏置还能阻止等离子体中的电子，使正离子形成粒子束。负压偏置的印制电极可以把离子束聚束成一个平行束流，使其通过注入机。吸极和离子分析器吸极的作用是收集离子源中产生的所有正125++

+

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+++

+

+

+

+

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-

----------NS

NS120V起弧吸出组件离子源60kV吸引2.5kV抑制源磁铁5V灯丝ToPA+粒子束参考端(PA电压)抑制电极接地电极Figure17.13离子源和吸极交互作用装配图

++

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+++

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+

+

+-

-

-N126质量分析器磁铁石磨离子源分析磁体粒子束吸出组件较轻离子重离子中性离子Figure17.14分析磁体质量分析器磁铁石磨离子源分析磁体粒子束吸出较轻离子重离子中性127从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他们在吸极电压的加速下，以很高的速度运动，因为不同离子有着不同的原子质量单位，而磁性离子分析器能将所需要的离子从混合的粒子束中分离出来，如图17.14所示。分析器磁体形成的90度角能使离子的轨迹偏转成弧形。对于一定的磁场强渡，重离子不能偏转到合适的角度，而轻离子的偏转过大。只有一种离子能够发生恰当的偏转，顺利地通过分析器磁铁的中心，这就是最终注入到硅片中的杂质。离子弧形轨迹半径由离子的质量、速度、磁场强渡和离子所带的电荷共同决定。通过将磁场强渡调整到与杂质离子的轨迹匹配，期望得到的杂质就能通过分析器末端的窄缝，而其它离子则被阻挡。从离子源引出的离子可能包含许多不同种类的离子，他128加速管为了获得更高的速度(能量)，除了分析器磁铁，正离子还要在加速管中的电场作用下进行加速(见图17.15)。加速管由一系列被介质隔离的电极组成，电极上的负电压依次增大。当正离子进入加速管时，它们就在电场的作用下加速，加速的大小与电场有关，总的电压越高，离子的速度就越大(能量越大)。高能量意味着杂质离子能够被注入到硅片的深度就越大。而低能量可以被用于超浅结注入。图17.16表示了粒子束能量与剂量的关系。剂量与能量的关系图强调了能量(射程)和剂量(浓度)在离子注入中的重要性。加速管为了获得更高的速度(能量)，除了分析器磁铁，正129100MW100MW100MW100MW100MW0kV+100kV+80kV+20kV+40kV+60kV+100kV粒子束粒子束至工艺腔电极来自分析磁体Figure17.15加速管100MW100MW100MW100MW100MW130临近吸收现在应用扩展应用多晶掺杂源/漏损伤工程Buriedlayers倒掺杂阱三阱Vt调整沟道和漏工程0.1110100100010,0001016101110121013101410151017能量(keV)剂量(atoms/cm2)Figure17.16剂量与能量图临近现在应用扩展应用多晶掺杂源/漏损伤工程Buriedla131源原子质量分析磁体线形加速器最终能量分析磁体扫描盘硅片Figure17.17高能注入机的线形加速器源原子质量线形加速器最终能量扫描盘硅片Figure17.1132扫描系统从离子源吸出的离子束虽然经过磁分析器、加速装置，但聚束粒子束仍然很小(中等电流的注入机束斑约1cm2，大电流注入束斑约为3cm2)。为了在硅片上所有地方均匀注入，必须通过扫描系统将离子束流覆盖整个硅片。

扫描方式有两种：固定硅片，移动束斑；固定束斑，移动硅片。注入机的扫描系统有以下几种不同类型：静电扫描机械扫描混合扫描平行扫描

扫描系统从离子源吸出的离子束虽然经过磁分析器、加速装133+IonbeamY-轴偏转X-轴偏转硅片旋转倾斜高频

X-轴偏转低频

Y-轴偏移Figure17.20硅片的静电粒子束扫描+IonbeamY-轴X-轴硅片旋转倾斜高频低频Figu134由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的机会会明显降低。这种扫描的另一优点是电子和中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。主要缺点是粒子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍粒子束的注入，如图17.21所示。

光刻胶a)无倾斜的机械扫描粒子束b)正常倾斜的静电扫描光刻胶粒子束Figure17.21

由于在静电扫描过程中硅片是固定的，颗粒污染的135扫描外半径扫描内半径注入面积(计算的)溢出杯旋转粒子束Figure17.22离子注入硅片的机械扫描扫描外半径扫描内半径注入面积溢出杯旋转粒子束Figure1136工艺腔工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端台、硅片传送系统和计算机控制系统，另外还有一些检测剂量和控制沟道效应的装置，是离子注入机的重要组成部分。工艺腔的高真空可以用多级机械泵、涡轮泵、冷却泵联合来实现(通常是10-6托)。离子注入机中的实时剂量监控系统通过测量到达硅片的粒子束完成。通常用一种称为法拉第杯的传感器测量粒子束电流。工艺腔工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端137VIISion终端台工艺腔终端子系统原子系统注入子系统操作界面片架真空锁硅片传送器扫描盘监视器WallFigure17.25注入工艺腔的硅片传送器VIISion终端台工艺腔终端子系统原子系统注入子系统操作界138带硅片的扫描盘扫描方向法拉第杯抑制栅孔径电流积分仪在盘上的取样狭缝粒子束Figure17.26法拉第杯电流测量带硅片的扫描方向法拉第杯抑制栅孔径电流在盘上的取样狭缝粒子束139离子注入机的分类离子注入机的分类140退火

由于注入离子进入硅中和硅原子的碰撞作用，使硅晶体结构发生变化，严重时注入层变成非晶层。另外，被注入离子基本不占据硅的格点，而是停留在晶格的间隙位置。这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活而占据晶格格点。退火还能加热硅片，修复注入层的晶格缺陷。

修复晶格缺陷大约需要500℃，激活杂质原子需要950℃，除了和温度的有关以外还与时间有关，时间越长温度越高，杂质被激活的越充分。硅片的退火有两种基本方法：高温退火和快速热处理退火(RTP)。退火由于注入离子进入硅中和硅原子的碰撞作用，使硅晶141修复硅晶格结构并激活杂质－硅键b)退火后的硅晶格a)注入过程中损伤的硅晶格粒子束Figure17.27硅单晶的退火修复硅晶格结构b)退火后的硅晶格a)注入过程中损伤的142沟道效应

在非晶靶中，原子的排列是无规则的，入射离子在靶中受到的碰撞过程是随机的。而对于单晶靶，因为靶中原子是按一定规律周期性地重复排列而成为晶格点阵，具有一定的对称性和各向异性。因此，靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性，而是与靶晶体的取向有关。

以硅为例，若从<110>晶向看去，可以看到由原子包围成的一系列平行管道（见图17.28)。因此当入射离子沿此方向进入沟道时，就会在沟道中前进成为一种有规则的运动，这种运动称为沟道运动。显然，在这种情况下，来自靶原子的阻止作用是很小的，因而其射程就很大。我们把这种效应称为沟道效应。沟143Figure17.28沿<110>轴的硅晶格视图Figure17.28沿<110>轴的硅晶格视图144沟道效应是我们不希望的。注入过程中有4种方法控制沟道效应（1）倾斜硅片；（2）掩蔽氧化层；（3）硅预非晶化；（4）使用质量较大的原子。