电源五种常见MOS管损坏原因

五种常见MOS管损坏原因-二，■第一种：■崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：典型电路：第二种：H件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：夕卜加直流功率而导致的损耗引起的发热.导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加)•由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)瞬态功率原因：外加单触发脉冲•负载短路•开关损耗（接通、断开）*（与温度和工作频率是相关的）•内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。r上升—Hnn点大—损耗变大TchtJt*'~~一__50项fl~—一一—254060BOIOC12014013：：各注拧防网）的温度昂数以时-a»1.0）1.01.091„271.51.73202.272.41彭黑各别数寂表的Ron-Tc特ttMOS通态电甲技耗Pohr'o2*艮口筑则简弑心七迥Id^BA踞49.411.D13.017.319.62Q.8需％翊顺的温度笛Id=10A13.514.717/20.323.42730.632.5开美陨耗pt-tr.iT■p（tr）55555555汪董依存工作救率^SllViKP&LijId'BA13.614.416.Cla.fl19.922.324ji2B.8P.：!_负壶的Rwi损耗WSSWtflfi的详拙计算会式-福照其他l0=1QA18.$19,722.1踽由四.432-C35.6第三种：内置二极管破坏

在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。输入悟号i电压)JMUOTL控制FW"破坏在二械管的耐压供复期间发生「在二粗苣的反向枚更诬行况.如制|闻陡族发生短路，就至流A过大的愉里电流，使辰向谶秘时■期例日•的E/心陡升,肮能导政流源极同的寄生迎极品怵管存樵槌或者淮极的一小部分也域成4亍而处上碳坏如果妙解讴童也操尸品.就能在男1撮或者涯思能圈近发觐装坏痕进.P沟道的情胞.因为印NPN晶停管相比，奇生PNP斜膳的Mot-iity•戡盖子迁轸率-卜而旦通帘Mfe也低，所以山•.虽体熟不易诬行「也唤不岛发生玻第四种：由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极输入悟号i电压)JMUOTL控制FW"破坏在二械管的耐压供复期间发生「在二粗苣的反向枚更诬行况.如制|闻陡族发生短路，就至流A过大的愉里电流，使辰向谶秘时■期例日•的E/心陡升,肮能导政流源极同的寄生迎极品怵管存樵槌或者淮极的一小部分也域成4亍而处上碳坏如果妙解讴童也操尸品.就能在男1撮或者涯思能圈近发觐装坏痕进.P沟道的情胞.因为印NPN晶停管相比，奇生PNP斜膳的Mot-iity•戡盖子迁轸率-卜而旦通帘Mfe也低，所以山•.虽体熟不易诬行「也唤不岛发生玻Vin.住洽电底曰琳弧引税E据劫电压和诘桩电彦的既盘性堀=“4日=1h，CR）成正比，宵山1".闵式茬示在电容C.电愚L(1/2rrfC|l-<1/.^CR1V-QV{1}=(<nL/R)V=QV卡)房外、Q<roUR■1^iCR■TRLg咤.4技电慰|包，女—城J电sLS.源机引生电恳<-邑站安装布线■L<±iK抵折线电博，包括安装布域』r#MOS牝咀电国Rg何口萍措袖枷电匿Vin.住洽电底曰琳弧引税E据劫电压和诘桩电彦的既盘性堀=“4日=1h，CR）成正比，宵山1".闵式茬示在电容C.电愚L(1/2rrfC|l-<1/.^CR1V-QV{1}=(<nL/R)V=QV卡)房外、Q<roUR■1^iCR■TR由诉械宰疗=—7=2niLJC111r■■iiiIlli■—'iiiIiiiiIIT-!----«ti11iIlliIlli—--—,^.|——-!:___；__牌京.一.IlliIlliIlliI；西*___」__二…圈七…一••i«iiiii1iiiiii■-J-■>'v—-t-~J_I_.、i1111|711/1I£1iiaiiii■■iii1>13尊r'!IY」j+_JL._i...__iiii,•iI国号〃!1r11眷村：：削［迥:壮：祀■r■-■-----lC七〈之II_=D