降低深紫外LED的制造成本和工艺瓶颈场概况-IPRdaily课件

深紫外LED产业化

项目计划书深紫外LED产业化

项目计划书我们是谁？

北京中科优唯科技有限公司，

成立于2015年2月，是以中国科学院半导体研究所为技术依托，由山东晶泰星光电科技有限公司与半导体所技术团队共同设立现有员工20余人公司组织架构我们是谁？北京中科优唯科技有限公司，成立于2015年2月核心技术团队——由来自半导体研究所和国内相关企业的高级技术人员组成：技术团队成员多年在半导体领域从事研究、技术开发等方面工作，有丰富的半导体设备、材料工艺、器件工艺等方面的经验。研发团队中博士、硕士占50%以上。管理团队——在企业投资、资本运营及企业管理等方面经验。我们的团队核心技术团队——由来自半导体研究所和国内相关企业的高级技我们我们的团队1995年至2007年先后任职国家【科技部】国际合作司和办公厅，从事国际科技合作项目管理、国家高技术计划及高新技术开发区等相关管理工作；2007年辞去公职加入【美国NEA风险投资基金】，负责该基金在华的清洁技术领域投资活动；2011年应邀加入【国家半导体照明工程研发及产业联盟】，出任联盟副秘书长，参与半导体照明联合创新重点实验室的组建和成果转化、孵化工作；先后组建了中科智桥国际投资公司（专利运营）、华策光通信科技有限公司（基于白光通信的室内定位技术）、北京国承万通信息科技有限公司（虚拟现实VR）、北京蜂鸟视图科技有限公司（室内地图GIS），并出任蜂鸟视图CEO。董事长付强我们的团队1995年至2007年先后任职国家【科技部】国际合我们的团队博士生导师，中国科学院半导体研究所研究员长期从事半导体材料及器件的研究工作，先后在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs（铝镓砷）/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料。荣获国家科技进步一等奖2项，中科院科技进步一等奖2项、三等奖1项，中国材料研究学会科学技术二等奖1项。总负责总经理曾一平我们的团队博士生导师，中国科学院半导体研究所研究员总经理曾一我们的团队博士研究生，2003年获得中国科学院半导体研究所博士熟悉化合物半导体外延设备、工艺、器件制备工艺以及应用市场，有较好的科研管理经历，作为项目技术负责人，完成了国内首台立式多片HVPE自动化设备的设计和安装调试，改进外延工艺大幅提高LED发光效率并用于企业生产。技术负责人，负责设备、工艺和生产副总经理段瑞飞我们的团队博士研究生，2003年获得中国科学院半导体研究所博我们的团队副总经理王军喜中科院半导体所研究员，博导主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究。带领研究团队通过自主制备的深紫外专用设备，获得了国际晶体质量最好的AlN材料，并在国内首次制备成功了发光波长300nm以下的毫瓦级深紫外LED器件，填补了国内在该领域的空白，目前深紫外LED器件仍一直保持着国内最好水平。行政总负责，政府、企业关系以及基础条件保障我们的团队副总经理中科院半导体所研究员，博导我们的团队闫建昌技术总监工学博士，中国科学院半导体研究所副研究员。本科毕业于清华大学电子工程系，于中国科学院半导体研究所获工学博士学位。法国巴黎第十一大学访问学者。在氮化物紫外LED领域已有10年的研究积累，具有丰富的AlGaN材料MOCVD外延和深紫外LED器件研制经验。近五年来曾作为负责人主持承担、并圆满完成了国家“863”课题、国家自然科学基金项目。负责工艺研发我们的团队闫建昌工学博士，中国科学院半导体研究所副研究员。我们的团队北京大学光华管理学院工商管理硕士（MBA），多年从事企业管理、资产重组、收购兼并、SPAC、IPO、投融资及咨询服务等工作，担任过多家企业的财务顾问，为这些企业融资重组及上市提供服务。融资金额约8亿元人民币，实现3家企业的海内外上市。同时负责组建、运营了两家大型高科技企业，企业成功生产运作。

财务顾问宛强我们的团队财务顾问宛强我们做什么？以氮化物深紫外LED为主要目标产品，开展从高温【MOCVD设备制造】【深紫外外延材料】以及【紫外LED芯片】的研发和生产

致力于成为国内最具技术实力的规模化、低成本深紫外LED外延、芯片产品提供商我们做什么？以氮化物深紫外LED为主要目标产品，开展从高温【我们做什么UV-C具有彻底的杀菌消毒功能，可以广泛应用于净水、空气净化、医疗和军事等领域。UV-C技术门槛最高，附加值最大，拥有极高的毛利率。中科优唯定位市场UVAUVBUVC波长320-400nm280-320nm200-280nm穿透能力有很强的穿透力，可以穿透大部分透明的玻璃及塑料具有中等穿透力，其波长较短部分也会被玻璃吸收穿透能力弱，无法穿透大部分的透明玻璃应用紫外光治疗、文件与印钞反伪检测器、光催化剂、空气净化、医疗光线疗法保健、植物生长杀菌、净化我们做什么UV-C具有彻底的杀菌消毒功能，可以广泛应用于净水我们做什么？深紫外（小于300nm）LED外延片-基于自制专用MOCVD

深紫外（小于300nm）LED芯片-波长可选、芯片面积可定制合作开发深紫外LED封装和应用深紫外相关设备、外延、器件方面的合作我们的产品与服务我们做什么？深紫外（小于300nm）LED外延片-基于我们做什么？公司现已申请专利有：1、发明专利:双喷头MOCVD反应室，申请号:201510324888.92、发明专利:高温化学气相沉积设备及其加热系统，申请号:201510324880.23、发明专利：一种半导体材料的外延方法申请号：20161016885164、发明专利：旋转预混的MOCVD上下盘匀气组件申请号：201610596826.85、发明专利：H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件申请号：201610597251.16、发明专利：气盘及气体反应设备申请号：201610597239.0软件著作权：1、MOCVD生产工艺配发系统，登记号：2016SR1072822、中科优唯资料管理系统：登记号：2016SR1747523、中科优唯培训系统……公司开发的设备和外延工艺具有完整的自主知识产权。我们也将通过自身技术优势，推动建立深紫外行业乃至国家或国际标准我们做什么？公司现已申请专利有：公司开发的设备和外延工艺具有项目背景始于上世纪九十年代以氮化物材料为代表的第三代半导体正成为全球半导体产业新的战略高地。第三代半导体材料的微电子应用第三代半导体材料的光电子应用GaNAlGaN全光谱太阳能逆变器海量存储清洁能源半导体照明绿光激光器可见光通讯项目背景始于上世纪九十年代以氮化物材料为代表市场概况市场概况日常生活杀菌净化生物医疗生物探测全天候非视距保密通讯紫外固化生产科研国土安全深紫外导弹预警系统紫外光源应用市场概况日常生活杀菌净化生物医疗生物探测全天候非视距保密通讯紫外固化市场概况紫外C-水消毒设备对常见细菌病毒的杀菌效率(紫外辐射强度:30,000μW/cm2)深紫外光源在杀菌应用方面具有广谱高效的特点市场概况紫外C-水消毒设备对常见细菌病毒的杀菌效率深紫外光源市场概况市场概况市场概况电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有使用小

型消毒器的需求。各大厂家都在寻找适合的产品。紫外LED具有体积小、设计方便、没有污染等特点，十分适合在白

色家电中应用。白色家电是使用深紫外LED消毒应用的一大新领域。每台产品增加紫外LED消毒功能，成本增加50-100元，家电厂家是乐于接受的。2014年，我国电冰箱、洗衣机、空调、空气净化器、饮水机的产品合计33,183万台全国可增加150—300亿的紫外LED消毒产品市场。全球白家电可增加300—600亿人民币的紫外LED消毒产品市场。市场概况电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有市场概况

深紫外LED[价格高]，

导致其应用市场【尚未完全打开】深紫外LED价格—249元近紫外LED/蓝光LED价格—0.4元从紫外LED产品来看，全球范围有两方面技术还没突破：没有可以用来进行紫外LED材料外延的【商业化MOCVD设备】

【外延工艺技术】不成熟。成本接近中科优唯将以此为突破口，降低深紫外LED的制造成本和工艺瓶颈市场概况深紫外LED[价格高]，导致其应用市场【尚未完市场概况2014年-2019年UVLED市场规模年均复合增长率为【42%】预计2019年市场规模【超过5亿美元】【uv固化】仍是市场主要驱动力【消毒净化】将带动市场的第二波快速增长2014-2019年UVLED（芯片和封装）市场规模（单位：百万美元）市场概况2014年-2019年UVLED市场规模年均复合增运营模式以目前所具有的【高温氮化物MOCVD】的研发及生产技术、

【深紫外LED外延芯片】的加工工艺为基础，进行深紫外UVLED【外延芯片】的产业化生产，以【280nm】以下波长的【深紫外LED芯片】为主要产品方向进行生产销售。通过不断【提高产量】和【降低市场售价】逐步打开深紫外LED消毒、净化市场。运营模式以目前所具有的【高温氮化物MOCVD】的研发及生产技运营模式我们的客户：LED封装企业2015年，封装环节产值615亿元，同比增长19%，竞争加剧，器件产品价格下跌数据来源：《2015年LED行业季度报告》CSAResearch2012-2015年LED封装板块营业利润率状况封装企业【营业利润逐年下跌】，亟需寻找

新的销售增长点，纷纷布局深紫外领域现阶段【无法获得】深紫外LED芯片。中科优唯已和国内几大封装企业展开战略合

作

，我们的产品实现批量生产时，他们

将大批量采购。运营模式我们的客户：LED封装企业2015年，封装环节产值6运营模式我们的客户：白家电、空气净化、水净化等终端产品市场公司战略投资人——山东晶泰星公司是专业从事LED照明光源模组及其产品研发、生产、销售、服务为一体的高新技术企业。和国内白家电企业有很好的合作，我们可以通过此渠道，联合合作的封装企业，通过OEM的方式进行模组销售，进入白家电等终端产品市场。晶泰星董事长，前TCL集团COO，白家电行业的营销教父——袁信成运营模式我们的客户：白家电、空气净化、水净化等终端产品市场竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身Veeco-MOCVD国内首台高温UV单片机半导体所是我国最早研制、引进MOCVD的科研单位之一，现有多台自主研制和引进的设备，为研发自主设备奠定了基础。我国首台深紫外MOCVD设备设计和制造单位：实现国内首个300nm以内毫瓦级深紫外LED。竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身V竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身拥有完整的紫外LED的核心材料和结构外延技术和工艺使用自制的装置生长出了5mW的紫外LED管芯，其性能指标在国内第一，

在国际上至少在前五的水平。竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身拥竞争分析国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。德国AIXTRON——是目前全球规模最大和市场占有率最高的MOCVD设备供应商，市场占有率大约在60%左右，目前该公司拥有一款高温MOCVD产品，但只是单片机，可用于实验室的研究使用，而且性能不够稳定。美国VEECO公司——目前没有高温氮化物MOCVD产品。其它国外公司——主要包括日亚公司和丰田合成的设备，其GaN-MOCVD

设备不在市场上销售，仅供自用。国内自制MOCVD：只能生长1片2英寸外延片，且均匀性不好，稳定性差。竞争分析国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。德国AIX竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展预反应：

紫外外延主要难度是高Al组分的AlGaN（或者AlN）的外延，控制预反应是一大难题主要技术难点合作开发出新型加热材料

合作开发出耐高温绝缘材料

自行设计的凸凹式多层热屏蔽技术象限隔离式喷气口进气技术高速气帘隔离技术低热辐射，高温度梯度技术高温：超过1400ºC的高温，炉丝式加热难以达到对热屏蔽、电绝缘、热梯度控制技术带来挑战技术途径竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展预反竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展目前，公司已研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型：生长温度高达1400℃以上，加热丝具有很好的寿命；生长压力30torr到常压连续可调；顶盘实现水冷喷淋式均匀进气，均匀性优于1%，

有限元仿真模拟热场、流场满足客户需求自主研制的7片2英寸高温GaN外延MOCVD设备7片2英寸GaN外延MOCVD生长室自主研制的48片机48片机反应室竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展目竞争分析

美国：SET公司，

日本：日机装，旭化成，德山

国内：青岛杰生、几个行业龙头企业也在涉足深紫外领域目前国内外深紫外LED产品并不多，均处于起步阶段。高产能、高效率、自行研制的多片MOCVD设备，有着明显的成本优势中科优唯的优势预计初期成本至少可以降低50%--70%，未来降低90%具有自主深紫外LED外延材料工艺，使得产品具有更好的性能竞争分析美国：SET公司，目前国内外深紫外LED产品并不未来规划及财务预测2016年下半年：洁净厂房和配套到位；2017年上半年：外延设备到位、工艺调试同期：进行器件工艺设备的调研和采购，17年中到位建设规划：生产规划：2017年上半年：外延片开始生产，设计年产能20000片。2017年中：工艺线调试和试生产（前期工艺外协）；2017年下半年：芯片生产，设计年产能40kk深紫外LED未来规划及财务预测2016年下半年：洁净厂房和配套到位；建设项目完成后，可实现年产2英寸深紫外LED外延片2万片，生产深紫外LED芯片4000万只。项目五年内的生产销售情况计划如下：

20162017201820192020设计生产能力（万只）4000400040004000达产率/销售率20%50%80%100%良品率50%70%90%95%数量(万只）02001,4002,8803,800价格（元/只）1512.009.607.686.14销售额（万元）02,40013,44022,11823,347直接成本（元/只）0.360.360.360.36未来规划及财务预测项目完成后，可实现年产2英寸深紫外LED外延片2万片，2序号项

目201620172018201920201销售额02,40013,44022,11823,3472销售税金及附加03842,1483,5353,7323销售收入02,01611,29218,58319,6164销售成本0725041,0371,3685销售利润01,94410,78817,54618,2486经营费用2124121,0501,6161,7187

管理费用2123406479531,0188

销售费用0724036647009利润总额(212)1,5339,73815,93016,52910所得税03302,4343,9834,13211净利润(212)1,2037,30311,94812,397项目实施及完成后，五年内公司的收入及利润状况如下（单位万元）：未来规划及财务预测序号项目201620172018201920201销项目完成后，公司主要财务指标如下：----财务净现值FNPV＝18,281万元；----内部收益率IRR＝109.66%；----利润总额：43,518万元；----净利润总额：32,639万元；----平均净利润率：63.37%；----静态投资回收期：2.05年；----动态投资回收期：2.17年。未来规划及财务预测项目完成后，公司主要财务指标如下：未来规划及财务预测融资需求公司总的资金需求为5000万元，主要用于深紫外LED的设备、外延以及芯片生产所需的条件建设以及市场推广等。【场地需求】：洁净厂房：1500平米，办公用房：500平米仓库等外围：1000平米——2016年7月—12月：3000万元；——2017年1月----6月：800万元；——2017年7月后：1200万元——洁净厂房和配套设施：1000万元——外延设备投资：2000万元；——芯片设备投资：800万元；——生产流动资金：1200万元。融资需求【场地需求】：——2016年7月—12月：3000深紫外LED产业化

项目计划书深紫外LED产业化

项目计划书我们是谁？

北京中科优唯科技有限公司，

成立于2015年2月，是以中国科学院半导体研究所为技术依托，由山东晶泰星光电科技有限公司与半导体所技术团队共同设立现有员工20余人公司组织架构我们是谁？北京中科优唯科技有限公司，成立于2015年2月核心技术团队——由来自半导体研究所和国内相关企业的高级技术人员组成：技术团队成员多年在半导体领域从事研究、技术开发等方面工作，有丰富的半导体设备、材料工艺、器件工艺等方面的经验。研发团队中博士、硕士占50%以上。管理团队——在企业投资、资本运营及企业管理等方面经验。我们的团队核心技术团队——由来自半导体研究所和国内相关企业的高级技我们我们的团队1995年至2007年先后任职国家【科技部】国际合作司和办公厅，从事国际科技合作项目管理、国家高技术计划及高新技术开发区等相关管理工作；2007年辞去公职加入【美国NEA风险投资基金】，负责该基金在华的清洁技术领域投资活动；2011年应邀加入【国家半导体照明工程研发及产业联盟】，出任联盟副秘书长，参与半导体照明联合创新重点实验室的组建和成果转化、孵化工作；先后组建了中科智桥国际投资公司（专利运营）、华策光通信科技有限公司（基于白光通信的室内定位技术）、北京国承万通信息科技有限公司（虚拟现实VR）、北京蜂鸟视图科技有限公司（室内地图GIS），并出任蜂鸟视图CEO。董事长付强我们的团队1995年至2007年先后任职国家【科技部】国际合我们的团队博士生导师，中国科学院半导体研究所研究员长期从事半导体材料及器件的研究工作，先后在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs（铝镓砷）/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料。荣获国家科技进步一等奖2项，中科院科技进步一等奖2项、三等奖1项，中国材料研究学会科学技术二等奖1项。总负责总经理曾一平我们的团队博士生导师，中国科学院半导体研究所研究员总经理曾一我们的团队博士研究生，2003年获得中国科学院半导体研究所博士熟悉化合物半导体外延设备、工艺、器件制备工艺以及应用市场，有较好的科研管理经历，作为项目技术负责人，完成了国内首台立式多片HVPE自动化设备的设计和安装调试，改进外延工艺大幅提高LED发光效率并用于企业生产。技术负责人，负责设备、工艺和生产副总经理段瑞飞我们的团队博士研究生，2003年获得中国科学院半导体研究所博我们的团队副总经理王军喜中科院半导体所研究员，博导主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究。带领研究团队通过自主制备的深紫外专用设备，获得了国际晶体质量最好的AlN材料，并在国内首次制备成功了发光波长300nm以下的毫瓦级深紫外LED器件，填补了国内在该领域的空白，目前深紫外LED器件仍一直保持着国内最好水平。行政总负责，政府、企业关系以及基础条件保障我们的团队副总经理中科院半导体所研究员，博导我们的团队闫建昌技术总监工学博士，中国科学院半导体研究所副研究员。本科毕业于清华大学电子工程系，于中国科学院半导体研究所获工学博士学位。法国巴黎第十一大学访问学者。在氮化物紫外LED领域已有10年的研究积累，具有丰富的AlGaN材料MOCVD外延和深紫外LED器件研制经验。近五年来曾作为负责人主持承担、并圆满完成了国家“863”课题、国家自然科学基金项目。负责工艺研发我们的团队闫建昌工学博士，中国科学院半导体研究所副研究员。我们的团队北京大学光华管理学院工商管理硕士（MBA），多年从事企业管理、资产重组、收购兼并、SPAC、IPO、投融资及咨询服务等工作，担任过多家企业的财务顾问，为这些企业融资重组及上市提供服务。融资金额约8亿元人民币，实现3家企业的海内外上市。同时负责组建、运营了两家大型高科技企业，企业成功生产运作。

财务顾问宛强我们的团队财务顾问宛强我们做什么？以氮化物深紫外LED为主要目标产品，开展从高温【MOCVD设备制造】【深紫外外延材料】以及【紫外LED芯片】的研发和生产

致力于成为国内最具技术实力的规模化、低成本深紫外LED外延、芯片产品提供商我们做什么？以氮化物深紫外LED为主要目标产品，开展从高温【我们做什么UV-C具有彻底的杀菌消毒功能，可以广泛应用于净水、空气净化、医疗和军事等领域。UV-C技术门槛最高，附加值最大，拥有极高的毛利率。中科优唯定位市场UVAUVBUVC波长320-400nm280-320nm200-280nm穿透能力有很强的穿透力，可以穿透大部分透明的玻璃及塑料具有中等穿透力，其波长较短部分也会被玻璃吸收穿透能力弱，无法穿透大部分的透明玻璃应用紫外光治疗、文件与印钞反伪检测器、光催化剂、空气净化、医疗光线疗法保健、植物生长杀菌、净化我们做什么UV-C具有彻底的杀菌消毒功能，可以广泛应用于净水我们做什么？深紫外（小于300nm）LED外延片-基于自制专用MOCVD

深紫外（小于300nm）LED芯片-波长可选、芯片面积可定制合作开发深紫外LED封装和应用深紫外相关设备、外延、器件方面的合作我们的产品与服务我们做什么？深紫外（小于300nm）LED外延片-基于我们做什么？公司现已申请专利有：1、发明专利:双喷头MOCVD反应室，申请号:201510324888.92、发明专利:高温化学气相沉积设备及其加热系统，申请号:201510324880.23、发明专利：一种半导体材料的外延方法申请号：20161016885164、发明专利：旋转预混的MOCVD上下盘匀气组件申请号：201610596826.85、发明专利：H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件申请号：201610597251.16、发明专利：气盘及气体反应设备申请号：201610597239.0软件著作权：1、MOCVD生产工艺配发系统，登记号：2016SR1072822、中科优唯资料管理系统：登记号：2016SR1747523、中科优唯培训系统……公司开发的设备和外延工艺具有完整的自主知识产权。我们也将通过自身技术优势，推动建立深紫外行业乃至国家或国际标准我们做什么？公司现已申请专利有：公司开发的设备和外延工艺具有项目背景始于上世纪九十年代以氮化物材料为代表的第三代半导体正成为全球半导体产业新的战略高地。第三代半导体材料的微电子应用第三代半导体材料的光电子应用GaNAlGaN全光谱太阳能逆变器海量存储清洁能源半导体照明绿光激光器可见光通讯项目背景始于上世纪九十年代以氮化物材料为代表市场概况市场概况日常生活杀菌净化生物医疗生物探测全天候非视距保密通讯紫外固化生产科研国土安全深紫外导弹预警系统紫外光源应用市场概况日常生活杀菌净化生物医疗生物探测全天候非视距保密通讯紫外固化市场概况紫外C-水消毒设备对常见细菌病毒的杀菌效率(紫外辐射强度:30,000μW/cm2)深紫外光源在杀菌应用方面具有广谱高效的特点市场概况紫外C-水消毒设备对常见细菌病毒的杀菌效率深紫外光源市场概况市场概况市场概况电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有使用小

型消毒器的需求。各大厂家都在寻找适合的产品。紫外LED具有体积小、设计方便、没有污染等特点，十分适合在白

色家电中应用。白色家电是使用深紫外LED消毒应用的一大新领域。每台产品增加紫外LED消毒功能，成本增加50-100元，家电厂家是乐于接受的。2014年，我国电冰箱、洗衣机、空调、空气净化器、饮水机的产品合计33,183万台全国可增加150—300亿的紫外LED消毒产品市场。全球白家电可增加300—600亿人民币的紫外LED消毒产品市场。市场概况电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有市场概况

深紫外LED[价格高]，

导致其应用市场【尚未完全打开】深紫外LED价格—249元近紫外LED/蓝光LED价格—0.4元从紫外LED产品来看，全球范围有两方面技术还没突破：没有可以用来进行紫外LED材料外延的【商业化MOCVD设备】

【外延工艺技术】不成熟。成本接近中科优唯将以此为突破口，降低深紫外LED的制造成本和工艺瓶颈市场概况深紫外LED[价格高]，导致其应用市场【尚未完市场概况2014年-2019年UVLED市场规模年均复合增长率为【42%】预计2019年市场规模【超过5亿美元】【uv固化】仍是市场主要驱动力【消毒净化】将带动市场的第二波快速增长2014-2019年UVLED（芯片和封装）市场规模（单位：百万美元）市场概况2014年-2019年UVLED市场规模年均复合增运营模式以目前所具有的【高温氮化物MOCVD】的研发及生产技术、

【深紫外LED外延芯片】的加工工艺为基础，进行深紫外UVLED【外延芯片】的产业化生产，以【280nm】以下波长的【深紫外LED芯片】为主要产品方向进行生产销售。通过不断【提高产量】和【降低市场售价】逐步打开深紫外LED消毒、净化市场。运营模式以目前所具有的【高温氮化物MOCVD】的研发及生产技运营模式我们的客户：LED封装企业2015年，封装环节产值615亿元，同比增长19%，竞争加剧，器件产品价格下跌数据来源：《2015年LED行业季度报告》CSAResearch2012-2015年LED封装板块营业利润率状况封装企业【营业利润逐年下跌】，亟需寻找

新的销售增长点，纷纷布局深紫外领域现阶段【无法获得】深紫外LED芯片。中科优唯已和国内几大封装企业展开战略合

作

，我们的产品实现批量生产时，他们

将大批量采购。运营模式我们的客户：LED封装企业2015年，封装环节产值6运营模式我们的客户：白家电、空气净化、水净化等终端产品市场公司战略投资人——山东晶泰星公司是专业从事LED照明光源模组及其产品研发、生产、销售、服务为一体的高新技术企业。和国内白家电企业有很好的合作，我们可以通过此渠道，联合合作的封装企业，通过OEM的方式进行模组销售，进入白家电等终端产品市场。晶泰星董事长，前TCL集团COO，白家电行业的营销教父——袁信成运营模式我们的客户：白家电、空气净化、水净化等终端产品市场竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身Veeco-MOCVD国内首台高温UV单片机半导体所是我国最早研制、引进MOCVD的科研单位之一，现有多台自主研制和引进的设备，为研发自主设备奠定了基础。我国首台深紫外MOCVD设备设计和制造单位：实现国内首个300nm以内毫瓦级深紫外LED。竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身V竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身拥有完整的紫外LED的核心材料和结构外延技术和工艺使用自制的装置生长出了5mW的紫外LED管芯，其性能指标在国内第一，

在国际上至少在前五的水平。竞争分析深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身拥竞争分析国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。德国AIXTRON——是目前全球规模最大和市场占有率最高的MOCVD设备供应商，市场占有率大约在60%左右，目前该公司拥有一款高温MOCVD产品，但只是单片机，可用于实验室的研究使用，而且性能不够稳定。美国VEECO公司——目前没有高温氮化物MOCVD产品。其它国外公司——主要包括日亚公司和丰田合成的设备，其GaN-MOCVD

设备不在市场上销售，仅供自用。国内自制MOCVD：只能生长1片2英寸外延片，且均匀性不好，稳定性差。竞争分析国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。德国AIX竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展预反应：

紫外外延主要难度是高Al组分的AlGaN（或者AlN）的外延，控制预反应是一大难题主要技术难点合作开发出新型加热材料

合作开发出耐高温绝缘材料

自行设计的凸凹式多层热屏蔽技术象限隔离式喷气口进气技术高速气帘隔离技术低热辐射，高温度梯度技术高温：超过1400ºC的高温，炉丝式加热难以达到对热屏蔽、电绝缘、热梯度控制技术带来挑战技术途径竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展预反竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展目前，公司已研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型：生长温度高达1400℃以上，加热丝具有很好的寿命；生长压力30torr到常压连续可调；顶盘实现水冷喷淋式均匀进气，均匀性优于1%，

有限元仿真模拟热场、流场满足客户需求自主研制的7片2英寸高温GaN外延MOCVD设备7片2英寸GaN外延MOCVD生长室自主研制的48片机48片机反应室竞争分析公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展目竞争分析

美国：SET公司，

日本：日机装，旭化成，德山

国内：青岛杰生、几个行业龙头企业也在涉足深紫外领域目前国内外深紫外LED产品并不多，均处于起步阶段。高产能、高效率、自行研制的多片MOCVD设备，有着明显的成本优势中科优唯的优势预计初期成本至少可以降低50%--70%，未来降低90%具有自主深紫外LED外延材料工艺，使得产品具有更好的性能竞争分析美国：SET公司，目前国内外深紫外LED产品并不未来规划及财务预测2016年下半年：洁净厂房和配套到位；2017年上半年：外延设备到位、工艺调试同期：进行器件工艺设备的调研和采购，17年中到位建设规划