模拟电子技术基础复习资料

.z.模拟电路根底复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是〔空隙〕，而少数载流子是〔自由电子〕。2．在N型半导体中，多数载流子是〔电子〕，而少数载流子是〔空隙〕。3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接〔N〕区，电源的负极应接〔P〕区。4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接〔P〕区，电源的负极应接〔N〕区。5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结〔正向〕偏置，集电结〔反向〕偏置。6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为〔反向饱和〕电流，在室温下约等于〔26mV〕。7．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极〔漏极〕、〔栅极〕和〔源极〕与之对应。8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用〔电压取样〕负反应，为稳定输出电流，应采用〔电流取样〕负反应。9．在负反应放大器中，为提高输入电阻，应采用〔串联－电压求和〕负反应，为降低输出电阻，应采用〔电压取样〕负反应。10.放大器电路中引入负反应主要是为了改善放大器〔的电性能〕。11．在BJT放大电路的三种组态中，〔共集电极〕组态输入电阻最大，输出电阻最小。〔共射〕组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。12.在BJT放大电路的三种组态中，〔共集电极〕组态的电压放大倍数小于1，〔共基〕组态的电流放大倍数小于1。13．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝〔〕，通常希望差分放大电路的共模抑制比越〔大〕越好。14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区〔高掺杂〕，二是基区很〔薄〕并掺杂浓度〔最低〕。15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数将〔不变〕，而共模放大倍数将〔减小〕，共模抑制比将〔增大〕。16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有〔阻容〕，〔变压器〕和〔直接〕耦合三种。17．直接耦合放大器的最突出的缺点是〔零点漂移〕。18，集成运放主要由〔输入级〕，〔中间放大级〕，〔输出级〕和〔偏置电路〕4局部组成。19．BJT三极管的直流偏置电路通常有〔固定基流〕电路和〔分压式〕电路两种。20．负反应放大电路增益的一般表达式,当时，这种反应称为〔负反应〕；当时，这种反应称为〔正反应〕。21．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即，将这种现象称为〔虚短路〕。22．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即，将这种现象称为〔虚开路〕。二．选择题1．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在〔截止区〕。1〕饱和区2〕放大区3〕截止区2．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在〔放大区〕。1〕饱和区2〕放大区3〕截止区3．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在〔放大区〕。1〕饱和区2〕放大区3〕截止区4．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在〔饱和区〕。1〕饱和区2〕放大区3〕截止区5．图示电路中设,的稳定电压,具有理想特性，则〔4.5mA〕。1〕4.0mA2)4.5mA3)6.2mA4)7.0mA6．图示电路中设,的稳定电压,则限流电阻R应选择为〔200〕。1〕1602)2003)2504)3007．图示电路中，当交流电源为正半周时，四个二极管的工作状态为〔4〕。1〕导通，截止2〕导通，截止3〕截止，导通4〕截止，导通8．图示直流电路中，设晶体管的(8.88V)。1〕5.28V2)8.88V3)6.54V4〕7.62V9．放大电路如图，设晶体管的则晶体管的微变等效电阻〔865〕。1)8652)10003)11004)120010．图示镜像电流源的,输出的恒流为〔12．25µA〕。1〕11.10µA2〕12．25µA3〕16.51µmA4〕20.12µA11．图示镜像电流源,输出的恒流为〔16.6A〕。1〕102〕11.23〕14.14〕16.6三．画出如下各电路图的直流通路、交流通路和微变等效电路,设电路中各电容对交流短路。四．电路如下图，假设运放是理想的，试写出电路输出电压的值。()五．请判断图示各电路级间反应的组态和极性〔如电压并联正反应〕？稳定何种输出量〔电压量或电流量〕？(电流并联负反应，稳定输出电流)〔电压串联负反应，稳定输出