2021届高考化学复习：专题三 物质结构与性质专题训练

专题三《物质结构与性质》专题训练1、X、Y、Z、Q、R、W是原子序数依次增大的前四周期元素。X的原子核内无中子，Y与Z能形成两种无色与X态W3d级2请：(1)W在元素周期表中的位置。上述6种元素电性最大的填名(2)RZ－的立体构为 ，化合物YXZ的沸点比YXR高，其原因。3 4 3Y和W能形强度极高的化合物G，其晶构如所示，G的化学为 。如晶胞中出Y原子，所得晶胞为单质W的晶胞，其配位为 。热条件下可以被XYZ原WZ2＋，反的离子方程式是2 224 答案(1)第四周期ⅤB3 形CHOHCHCl较间3 VC12(4)2V＋HCO＋2H===2VO＋2CO↑＋2HO2 224 2 2解析X为与X增大，故Q是NaR是CY与Z之前符合条件的是C和则Y是Z是O原子W3d2。据以上分析RZ－ClO－子，ClO－数为4sp3杂化，3 3 3轨道呈四面体构型，但由于它配位原子数为3，所以有一个杂化轨道被一个孤电子对占据，所以立体构型3 为锥形；CHOHCHCl3 个晶胞的CV4为VC该Y12。热条件下可以被HCO原VO2＋，反CO22H＋2V2＋2CO2HO。2 2

224

2 224组 为 2(2020·东级拟考线性光学晶体在信息激光医国防领域具有重应用我国科学家利用CsCO、XO(X＝Si、Ge)和HBO首次合成了成 CsXBO的非组 为 2 3 2 3 3 37问题：CO、Si三种元电性由大到小顺为 ；第电离能I(Si) I(Ge)(填“＞”或1 1“＜”)。态Ge原子核电子排布为 Si2Ge2具类似的晶构其中熔高的 ，原因。3 图为HBO晶体的层结构，其中B的化方为 ；硼酸水中比在冷水中溶解著大的主要原因。3 3位标CsSiBO为、和y轴投影的晶胞中所有Cs33A7子分数。据此推晶胞中Cs原子的数为 ；CsSiBO的尔质为Mg·mol－1，设N为3A73阿伏加常数则CsSiBO晶体的密为 g·cm－3(用代数式表3答案(1)O＞C＞Si＞22(2)[Ar]3d104s24p2 SiO Si原子半径比Ge小键能大，熔点(3)sp2 水中更有利于硼酸分间氢断裂，与HO形氢键224×1030·M(4)4 abcNA图1 1图解析(4)中Cs原子，有4个在棱上，4个在面上，1个在晶胞内，个数＝4×＋4×＋1＝4。4 23、被为“21纪的金属”，可多种化合价。其中以价的Ti为稳定。回答下问(1)态Ti原子的电子排图。离能：I(Ti)＝1310kJ·mol－1，I(K)＝3051kJ·mol－1。I(Ti)<I(K为2 2 2 2 。结图所示：①钛的配位，碳原子杂类。TiCl4TiB➦4TiI4熔点/℃－24.138.3155沸点/℃136.5233.5377②该配合物中存在的化键有 填字)。a．离子健b．配键 TiCl4TiB➦4TiI4熔点/℃－24.138.3155沸点/℃136.5233.53774 4 分析TiCl、TiB➦、TiI的熔点和沸点现一化规律的原因4 4 2已知TiO与浓应图所示，2该阳离子化学为 。阴离子的立体构为 。A已知TiN图为值为N则晶胞AA中Ti原子与N原子的最近距(用含、A

的代数式表示)答案(1)K＋3p6子，Ti＋4s1电易失去，故I(Ti)<I(K)答案(1)2 2①6sp3、sp2 ②bd三者为分子晶体成与构相似，随着分子量增大，分间作用力增大，熔、沸点升(5)TiO2＋ 正四面体(6)

331ρN×1010A解析(3)①图钛为6，为杂类为sp3，sp2化；②钛键键。每个OTiTiO摊法算二者原子个数之比为1∶1；Ti元素为＋4价、O元素为－2价，据此书写其化学式为TiO2＋；阴离子为硫酸根，其价层电子对6－4×2＋2数＝4＋ 2 ＝4，正四面体构型。m计4TiN，设晶胞中Ti原子与NNM2 N x，TiN量62g·mol－1，解出2 A

331ρN×1010。A34XYZWGX元素是元素周期表中核电Y为质ZX气体溶于水呈碱性。W3s1。G2＋离子的Md轨5电请：3W在元素周期表中的位置和Z形成的化合物水溶液呈碱性，用离子方程式表示其原因 。Z原子的第离能比氧原子填“大”或“小的原电子排布式是 。6XYXY，分子中只有σ，构6 ；化合物中Y的化道型。G的最高价氧化对水化物钾，在酸性条件下，常用定溶液中Fe2＋的含量该应的离方程式。4可用YXZOx染。已知：4YX(g)＋4ZO(g)＋2XO(g)ΔH＝－574kJ·mol－14 2 2 2YX(g)＋4ZO(g)===2Z(g)＋YO(g)＋2XO(g)ΔH＝－1160kJ·mol－14 2 2 2还 热 试写出用YX 原ZO至Z的还 热 4 2 2答案(1)第三周期ⅠA族N3－＋3HO NH＋3OH－2 3(3)sp3(2)大[Ar]3d54s21s22s22p63s23p63d54s(3)sp3O4 2(5)CH(g)＋2NO(g)===N(g)＋CO(g)＋2HO(g)ΔH＝－867kJ·mol－14 2 2 2 2解析根据信息推断X元素，Y为为元素。6(3)CH分子中只有σ键，该分子的结构简式是轨道类型是sp36

；碳原子形成3σ化(5)已知：①CH(g)＋4NO(g)＋2HO(g)ΔH＝－574kJ·mol－1，②CH(g)＋4 2 2 H

4①＋②4NO(g)===2N(g)＋CO(g)＋2HO(g)Δ

＝－1160kJ·mol－1，根据盖斯定律： 得CH原NO至N2 2 2

2 4 2 2的热CH(g)＋2NO(g)===N(g)＋CO(g)＋2HO(g)ΔH＝－867kJ·mol－1。4 2 2 2 25、生锂电过电应应转电单有锗等化合物。态亚离子电子占据的原道数。若硒原子层子排布式写成4s24p24p2，则违背。x y图表示碳、硅和磷元素的级离变趋，其中表示磷的是 填号。元素X与硅同主族且原子半径最小形成的简单化物Q的子为 分其中心原子化型。写出一种与Q为电子体的离。实际 结 镓元于同一主族的硼元素具有电子性。自然界中含硼元素钠是一种天矿藏，其化学式写作NaBO·10HO， 上它的构元是由两个HBO和两[B(OH)]－合而成的双六环应写实际 结 247 2 3 3 42 45 4 Na[BO(OH)]·8H构如链结2 45 4 C．E．氢键

键D．GaAs1238℃，为结所示。已知GaAs与GaN具有相同的晶结构则二者晶体类型的熔填“高于”或“低于”)GaNGaAs别为Mg·mol－1Mg·mol－1别为rpm和

pm，阿Ga As Ga AsA伏加罗常值为N，则GaAs晶胞中原子的占晶胞积的百分答案(1)14(2)洪规则 (3)bA(5)C

4(4)sp3 4π×10－30×Nρ(4)sp3 (6)原子晶体低于

A Ga3M M

As ×100%＋Ga As解析(1)轨为1s22s22p63s23p63d10，s1道，p轨3道，d5轨为14。电级轨时态子是优单轨道，题态子排布式写成4s24p24p2违是4s24p24p1x y x y4p1。z态电气电须电荷子的引力而所需要的能量。由于CSi们变相近，所以ac别为C和Si化，b为P变。44 2 元素X与硅同主族且原子半径最小则X为C，其简单化为CH，它电子为 ；由C的围都是C—H单所以C轨杂为sp3化与CH为电子体的微粒有HONHHF44 2 NH＋、HO＋。4 3图该为键，A正确；晶体中有B—O键，该化学键为共价键，B多的HO，构较，E图为GaAsGaAs为原子晶体，则GaNGaAs晶体和GaN的原子半径小于AsGa—NGa—As键Ga—N键键能比Ga—As键则GaN晶体的熔点比GaAsGaAsAs

1 18×＋6×8 2＝4，含有Ga4×1＝4。GaAs别为Mg·mol－1和Mg·mol－1，Ga质量Ga AsM M 4M＋MN为Gag，一个As的质量为NA

Asg，所以一个GaAs的晶胞的质量为NAN

Ga NA

g，则一个GaAs晶胞的体积为4M＋M 4πGa As

cm3Ga和As别为rpm和rp在GaAs4个Ga和As4×(ρNAGaAsr 4πGaAs

Ga As 3GaAs16π×10－30GaAs3＋3)×10－30cm3＝ 3

(r3＋r3)cm3，所以GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为：16π×10－303

Ga

cm3

4π×10－30ρN4M＋M

×100%＝

A Ga3M＋M

As ×100%。Ga ρNA

cm3

Ga As6、已知、BC、、E增，A、BCDA的基电子数的3和氩、BD成的一种化合物M是新装修居室中常含有的一种有害气体B组为1∶1的化合物N见剂。请回答下列问题(答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)：A2D2分子子为 ，E的态原子的围子排布为 。AB、、D四种元素电性大序的。单质B与C的最高价氧化物的水化物浓溶液热反，其化学方程 。下列叙述正确的填字)。a．M是极性分子，N是非极性分子b．MBD分子中的中心原子均采用sp2杂化2c．N6σ键1π键d．BD晶体的熔点、沸点都比二氧化硅晶体的低2已知：a.EQ图所示b．已知：Q(s)＋2Cl(g)===ECl(l)＋D(g)ΔH＝＋140kJ·mol－1；2 4 22B(s)＋D(g) 2BD(g)ΔH＝－221kJ·mol－124写出质Q和焦炭氯气应生成态ECl(l)和BD气体化学方程式。40.5L闭容器中，一定量的CA进：C(g)＋3A(g)===2CA(g)2 2 2 2 3t/℃K200300400K1K20.5学平衡常数t/℃K200300400K1K20.5①试较K，K的大小K填“>”“＝”或“<”)。1 2 1 23 2 2 正 ②在400℃测得CA和CA的质的量别为3mol和1mol2mol则应的v(C) (C3 2 2 正 逆 2····答案(1)H·O·O·H3d24s2·····(2)O>N>C>H

····浓(3)C4HNO()===CO↑4NO↑＋2HO浓3 2 2 2(4)ad(5)TiO(s)＋2Cl(g)＋2C(s)===TiCl(l)＋2CO(g)ΔH＝－81kJ·mol－12 2 4(6)①>②>解析已知ABE递CDA则AH；B电轨轨子数相同，所BC；D对电3则DO，所以CN；E氩则E22，即ETi。、BD成的一种化合物M则MHCHOB组为的化合物N见剂N2醛醛结构，中心原子采用sp2杂化，CO分子是22直线形结构，中心原子采用sp杂化，b错误；苯分子中含有6个σ键，苯分子中碳原子与碳原子之间是一种介于单键与双键之间的键，是离域π键，c错误；CO形成的是分子晶体，二氧化硅是原子晶体，则2BD晶体的熔点、沸点都比二氧化硅晶体的低，d正确。218Q，结则构可知Ti8×＋1＝2，氧81 TiO①TiO(s)＋2Cl(g)===TiCl(l)＋O(g)ΔH＝＋140kJ·mol原子数是2＋4×＝4，即化学式2

2 2 4 22(g)===2CO(g)则Q气2反应生成态ECl(l)和BD气体化学方程为TiO(s)＋2Cl(g)＋2C(s)===TiCl(l)＋2CO(g) ΔH4＝－81kJ·mol－1。

2 2 4应反应K>K。1 2623400℃时测3

和NH2

的质的量别为3mol和1mol2mol时此时度商≈0.28<0.5，2×432×4正 2 逆 应应行，v(Nv(N正 2 逆 7、第ⅤA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态，含第ⅤA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。砷元素的态原子层子排图。2 4 氮元素单除了N外，有N，则N中N轨道化方2 4 氨基苯醛邻氨基苯相比，沸高的填“前者”或“后者”)，原因是车产主要含有NaNFeOKClO

等物质，在NaN

。固体中阴离子的立体构型为 。

3 23 4 3 3＋4HCl===H[AuCl]＋NO↑＋2HH[AuCl3 4 2 4的配位体是 。电100倍，而耗能只有其10等发(LED节镓结晶胞参数。①砷镓的化学为 ，原子的配位为 。答案(1)②砷镓的晶胞密度＝ 列式计算，精确到小数点两位。答案(1)sp3前者前者形成分子氢键(4)线形Cl－①GaAs4

70＋7