介损的一些概念

关于介质损耗的一些基本概念1、 介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。2、 介质损耗角6在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角①）的余角（6）。简称介损角。3、 介质损耗正切值tg6又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下：如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此:这正是损失角0=(90°-0)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量0或者①得到介损因数。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。4、功率因数cos0功率因数是功率因数角①的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:与安庆］融『腴被测试品的有功功率Pinno/功率因数伽制=被测试品的视在功率疽有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cos0)，而不是介质损耗因数(DF:tg0)。一般cos0<tg0，在损耗很小时这两个数值非常接近。5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tg^,通过对比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。接线也十分烦琐。国内常见高压电容电桥有：型号生产厂家性能2801Haefely西林电桥，手动调节，介损相对误差0.5%，试验室使用。其改进型为2809A。QS30上海沪光厂电流比较仪电桥，手动调节，介损相对误差0・5%±0・00005，试验室使用。QS1上海电表厂西林电桥，手动调节，介损相对误差10%±0.003，现场测量用。支持正反接线，移相或到相抗干扰。AI-6000分体型泛华电于自动调节，红外线遥控，介损相对误差0.2%±0.00005，现场或试验室用。支持正反接线，移相或倒相抗干扰。配合变频电源可变频抗干扰。6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。国内常见高压介质损耗测量仪有：型号生产厂家性能2816Haefely高压输出12kV/200mA，介损误差1%土0.0001（抗干扰方式、指标不祥，估计是移相），正反接线方式，C/L/R测量，总重量104kg。M4000DOBLE高压输出10kV/300mA,介损误差1%土0.0004（变频抗干扰，20倍），正反接线方式，C/L/R测量，笔记本+WINDOWS,45〜70Hz，重量66kg。AI-6000泛华电于10kV/200mA，介损误差1%土0.0004,变频法45〜65Hz,抗干扰2：1,正、反（含高、低压侧屏敝）接线方式，CVT自激法，C/L/R测量，模拟西林电桥和电流比较仪电桥，试验室介损精度达到精密电桥标准，29kg。7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。8、 内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。9、 正接线用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。10、 反接线用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。11、 常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种，QS1和AI-6000为西林型。12、 常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种：倒相法、移相法和变频法。AI-6000采用变频法抗干扰，同时支持倒相法测量。13、准确度的表示方法tg^：±(1%D+0.0004)Cx： ±(1%C+1pF)+前表示为相对误差，+后表示为绝对误差。相对误差小表示仪器的量程线性度好，绝对误差小表示仪器的误差起点低。校验时读数与标