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文档简介
一、填空题(每空1分,共30分)总线是用于传送信息的公共途径。总线可以分为数据总线DB;地址总线AB;控制总线CB;16位地址能选通65536(64K)字节的存储单元。堆栈操作无论是存入或取出数据,必须遵循先进后出”和后进先出的原则。80C51的存储器可以分为三个不同的存储空间,分别是64KB程序存储器ROM64;KB外RAM(外部数据存储器);256;B内RAM;(包括特殊功能寄存器)内部数据存储器。80C51内RAM可以分成三个物理空间,分别是工作寄存器区,地址范围为00H-1FH;位寻址区,地址范围为20H-2FH;数据缓冲区,地址范围为30H-7FH。80C51单片机复位的条件是使RST引脚保持2个机器周期以上的高电平。复位后:PC=0000H;SP=07H;P0-P3=FFH。80C51进入待机状态的方法是PCON中IDL位置1退出待机状态的方法是中断请求被响应或复位。机器周期是80C51单片机工作的基本定时单位,简称机周。一个机器周期含有四个时钟周期,当时钟频率为12MHz时,一个机器周期为1人。P0-P3口用作输入时,均需先写入“1用作输出时,P0口应外接上拉电阻。当CPU不执行访问外RAM指令(MOVX)时,ALE以时钟频率1/6的固定频率输出。80C51扩展I/O口从外RAM存储空间扩展,从理论上讲,最多可扩展65535个。数据指针DPTR是一个正位的特殊寄存器,由两个8位寄存器DPH、DPL组成。二、多项选择题(每题2分,共20分)属于RAM特性的是(A,E,F);属于ROM特性的是(B,C,D)。A、随机读写存储器;B、断电后C、信息不D、丢失;E、只读存储器;F、主要用于存放程序;G、主要用于存放数据;H、断电后人信息丢失。读寄存器某一单元必须具备的条件有(A,B,D)A、挂在数据总线上的其他器件呈高阻'态;B、寄存器片选有效;C、该存储单元存有数据;D、该存储单元被选通。当PSW=10H时,R6的字节地址为(C)。A、06H;B、0EH;C、16H;D、1EH.80C51存放当前指令地址的寄存器是(C)A、指S、令寄存器;B、地址寄存器;C、程序寄存器;D、状态寄存器。80C51指令按指令长度分类有(A,B,C)。A、1字节指X、令;B、2字节指Z、令;C、3字节指BB、令;D、4字节指DD、令。80C51指令按指令分类执行时间分类有(A,B,D)。A、1机周指FF、令;B、2机周指HH、令;C、3机周指JJ、令;D、4机周指LL、令;80C51汇编语言指令格式中的非必须项有(A,C,D)。A、标NN、号;B、操作码;C、操作数;D、注释。下列指令中划线部分操作数属于寄存器寻址方式的有(B,C,D)。A、MOVB、MOV30H,30H,AccCC、MOVD、MUL30H,ABR0卜列指令中可能改变Cy的有(A,B)。A、DAAAB、INCC、CPLAD、RLCA卜列指令中(A,E)是合法指令,(B,C,D)是非法指令。A、PUSHBB、POPC、POPD、SWAP@R1A;AccE、SWAPA三、连线题(每题5分,共10分)按性能对下列ROM对应画线。MaskROM由用户一次性写入,写入后,不能更改。OTPROM由用户写入,电可擦除,可反复多次使用,价格低廉。EPROM有生产厂商写入,用户不能擦写,不能更改。EEPROM由用户写入,紫外线擦除,可反复多次使用。FlashROM由用户写入,电可擦除,可反复多次使用,价格较高。按控制作用对下列引脚对应画线。ALE外ROM读选通信号。PSEN外RAM读选通信号。EA低八位地址锁存信号。WR内外ROM选择信号。RD外RAM写选通信号。四、编程题(每题20分,共40分)请按下列要求传送数据:[设内RAM(20H尸ABH,外RAM(4000H)=CDH,ROM(4000H)=EFH]内RAM20H单元数据送外RAM20H单元;内RAM20H单元数据送外RAM2020H单元;外RAM4000H单元数据送内RAM20H单元;外RAM4000H单元数据送外RAM1000H单元;ROM4000H单元数据送外RAM20H单元;按下列要求编程。R7内容送R6中;外RAM50H单元内容送内RAM50H单元;外RAM1000H单元内容送外RAM2000H单元;ROM1000H单元内容送外RAM8000H单元;A低4位与B低4位互换;30H数据与31H数据相加,和(<256)送入32H;《单片机原理与控制技术》试题答案及评分标准(仅供参考)一、填空题(每空1分,共20分)公共;数据总线DB;地址总线AB;控制总线CB;65536(64K);先进后出”和后进先出”栈顶;64;ROM;64;外RAN;256;内RAM;30H-7FH;工作寄存器;00H-1FH;位寻址;20H-2FH;数据缓冲;RST;2个机器周期以上的高电平;0000H;07H;FFH;PCON中IDL位置1;中断请求被响应或复位;基本定时;12;1;写入“1;”外接上拉电阻;不执行访问外RAM指令(MOVX);1/6;外RAM;64000;16;两个8位寄存器DPH、DPL;二、多项选择题(每题2分,共40分)123456
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