7silvaco tcad工艺仿真外延、抛光和光刻

1、Page 2 主要内容第一部分工艺仿真（外延）第二部分总结Page 31 工艺仿真第一部分工艺仿真（外延）第二部分总结1.1.1 外延的命令及参数外延的命令epitaxy，参数及其说明如下：Page 41.1.2 外延的例子Page 5go athenainit infile=mask.strepitaxy structure outfile=tonyplot *.strEpitaxy time=1 temp=1000 c.boron=1e15 growth.rate=0.5外延速率的例子：Epitaxy time=1 temp=1000 thick=2 c.phos=1e15 dy=0.02

2、 ydy=0.1 div=10网格控制的例子：Note：外延是硅的外延！1.2.1 抛光的命令及参数抛光的命令polish，参数及说明如下：Page 61.2.2 抛光的例子 Page 7go athenainit infile=pre_polish.strrate.polish poly machine=CMP u.m soft.rate=0.1 height.fac=0.001 length.fac=0.025 kinetic.fac=10polish machine=CMP time=3 minstructure outfile=polish.strtonyplot pre_polish

3、.str polish.str1.3 光刻仿真OPTOLITH模块可对成像(imaging)，光刻胶曝光(exposure)，光刻胶烘烤（bake）和光刻胶显影（development）等工艺进行精确定义OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性（这些可根据需要修改）主要的小工艺步骤有： mask，illumination，projection，filter，layout，Image，bake，expose和developPage 81.3.1 光学光刻的流程Page 9光学系统曝光（接近式）对于光刻仿真需要定义的有：光源（波长，强度），成像系统（透镜，滤波），掩膜结构，曝光，烘烤

4、，显影依此即可大体确定光刻仿真的流程！1.3.2 MASK的命令及参数命令MASK，导入掩膜，主要参数及说明如下：掩膜也可以由Maskviews编辑得到Layout命令可以描述掩膜特征Page 101.3.3.1 Layout的命令及参数Layout，描述掩膜版图的特征，参数及说明如下：Page 111.3.3.2 Layout的例子Page 12go athenalayoutstructure outfile=mask1.str masktonyplot mask1.strquitlayout lay.clear x.lo=-2 x.hi=2 z.lo=-1 z.hi=1layout lay

5、.clear x.circle=0 z.circle=0 radius=.5layout lay.clear x.circle=0 z.circle=0 radius=.5 ringwidth=.3layout lay.clear x.tri=-0.4 z.tri=-0.5 height=1 width=11.3.4 illumination的命令及例句命令illumination，设定基本的照明参数。主要参数及其说明如下：Page 13illumination i.line x.tilt=0.1 z.tilt=0.1 intensity=1例句:1.3.5 Projection的命令、参数及

6、例句Projection光学投影系统的定义参数只有na(光学投影系统的孔隙数)和flare(成像时出现的耀斑数)Page 14projection na=.5 flare=1例句：1.3.6 Filter的命令、参数及例句Filter定义发射孔(pupil)的类型和光源形状及其滤波特性。主要参数及其说明如下（illum.filter也类似）Page 15pupil.filter in.radius=0.1 out.radius=0.2 phase=0 transmit=0.1illum.filter gaussian radius=0.05 angle=0 gamma=1 sigma=0.3

7、clear.fil例句：1.3.7 Image的命令、参数及例句image(成像)，成像窗口定义Page 16image win.x.lo=-2 win.x.hi=2 win.z.lo=0 win.z.hi=2 dx=0 gap=50例句：1.3.8 Expose的命令、参数及例句Expose（曝光），主要参数及说明如下：Page 17expose dose=200 num.refl=5 all.matsexpose z.cross cross.val=.1 例句：1.3.9 Bake的命令、参数及例句 Bake定义对光阻的后曝光和后坚膜时的烘烤Page 18bake time=25 temp

8、=150 reflowbake time=10 temp=150 reflow dump dump.prefix=bake例句：1.3.10.1 Develep的命令及参数Develop（显影），主要参数及说明如下：Page 191.3.10.2 Develop的例句 Page 20develop kim dump=1 time=30 steps=10develop mack time=30 steps=5 substeps=30rate.develop name.resist=my e1.dill=1 e2.dill=0.5 e3.dil=0.0031.3.11 光刻仿真的完整例子Page

9、21go athenaset lay_left=-0.5 set lay_right=0.5illumination g.line illum.filter clear.fil circle sigma=0.38projection na=.54pupil.filter clear.fil circlelayout lay.clear x.lo=-2 z.lo=-3 x.hi=$lay_left z.hi=3layout x.lo=$lay_right z.lo=-3 x.hi=2 z.hi=3image clear win.x.lo=-1 win.z.lo=-0.5 win.x.hi=1 w

10、in.z.hi=0.5 dx=0.05 one.dstructure outfile=mask.str intensity masktonyplot mask.str光刻掩膜图案曝光区域1.3.11 光刻仿真的完整例子（续）Page 22line x loc=-2 spac=0.05line x loc=0 spac=0.05line x loc=2 spac=0.05line y loc=0 spac=0.05line y loc=2 spac=0.2init silicon orient=100 c.boron=1e15 two.ddeposit nitride thick=0.035 div=5deposit name.resist=AZ1350J thick=.8 divisions=30rate.dev name.resist=AZ1350J i.line c.dill=0.018structure outfile=preoptolith.strtonyplot preoptolith.strexpose dose=240.0 num.refl=10bake time=30 temp=100develop kim time=60 steps=6 sub