存储器系统题库

1、3章积蓄器系统一选择题1计算机工作中只读不写的积蓄器是()。(A)DRAM(B)ROM(C)SRAM(D)EEPROM2下面关于主积蓄器（也称为内存)的表达中，不正确的选项是()。当前正在执行的指令与数据都必定存放在主积蓄器内，否则办理器不能够进行办理积蓄器的读、写操作，一次仅读出或写入一个字节字节是主积蓄器中信息的基本编址单位从程序设计的角度来看，cache（高速缓存）也是主积蓄器3CPU对积蓄器或I/O端口完成一次读/写操作所需的时间称为一个()周期。(A)指令(B)总线(C)时钟(D)读写4存取周期是指()。(A)积蓄器的写入时间(B)积蓄器的读出时间(C)积蓄器进行连续写操作同意的最短

2、时间间隔(D)积蓄器进行连续读/写操作同意的最短时间3间隔5下面的说法中，()是正确的。(A)EPROM是不能够改写的(B)EPROM是可改写的，所以也是一种读写积蓄器(C)EPROM是可改写的，但它不能够作为读写积蓄器(D)EPROM只能改写一次6主存和CPU之间增加高速缓存的目的是()。(A)解决CPU和主存间的速度般配问题(B)扩大主存容量(C)既扩大主存容量，又提高存取速度(D)增强CPU的运算能力7采用虚假积蓄器的目的是()。(A)提高主存速度(B)扩大外存的容量(C)扩大内存的寻址空间(D)提高外存的速度8某数据段位于以70000初步的积蓄区，若该段的长度为64KB，其末地点是()

3、。(A)70FFFH(B)80000H(C)7FFFFH(D)8FFFFH9微机系统中的积蓄器可分为四级，其中积蓄容量最大的是()。内存(B)内部存放器(C)高速缓冲积蓄器(D)外存10下面的说法中，()是正确的。(A)指令周期等于机器周期(B)指令周期大于机器周期(C)指令周期小于机器周期(D)指令周期是机器周期的两倍11计算机的主内存有3K字节，则内存地点存放器需()位就足够。(A)10(B)11(C)12(D)1312若256KB的SRAM拥有8条数据线，那么它拥有()地点线。(A)10(B)18(C)20(D)3213能够直接存取1M字节内存的微办理器，其地点线需()条。(A)8(B)

4、16(C)20(D)2414规格为40968的积蓄芯片4片，组成的积蓄体容量为()。(A)4KB(B)8KB(C)16KB(D)32KB15一个有16字的数据区，其初步地点为70A0：DDF6H，则该数据区末字单元的物理地点为（）。（A）14E96H（B）7E814H（C）7E7F6H（D）7E816H16某微型计算机可直接寻址64M字节的内存空间，其CPU的地点总线最少应有()条。（A）20（B）30（C）16（D）2617关于地点总线为32位的微办理器来说，其直接寻址范围可达（）。A）64MB（B）256MB（C）512MB（D）4GB18平时高速缓存是由快速()组成。(A)SRAM(B)

5、DRAM(C)EEPROM(D)Flash19CPU在执行指令的过程中，每完成一次对积蓄器或I/O端口的接见过程，称为（）。时钟周期(B)总线周期(C)总线读周期(D)总线写周期20某CPU有32条地点线，与之相连的一个I/O芯片的口地点为210H21FH，则该I/O芯片的片选信号最少应由（）条地点线译码后产生。(A)16(B)10(C)4(D)621.采用高速缓存Cache的目的是(B)。(A)提高总线速度（B)提高主存速度（C）使CPU全速运行（D）扩大寻址空间22.货仓的工作方式是(D)。（A）先进先出（B）随机读写（C）只能读出，不能够写入（D）后进先出是指(D)。（A）随机读写积蓄器

6、（B）可编程只读积蓄器（C）只读积蓄器（D）可擦除可编程只读积蓄器24.连续启动两次独立的积蓄器操作之间的最小间隔叫（A）。（A）存取时间（B）读周期（C）写周期（D）存取周期25.对积蓄器接见时，地点线有效和数据线有效的时间关系应该是（C）。（A）数据线较先有效（B）二者同时有效（C）地点线较先有效（D）同时高电平26微机的内存器可用（A）组成。（A）RAM和ROM（B）硬盘（C）软盘（D）光盘27和外积蓄器比较，内积蓄器的特点是（C。（A）容量大、速度快、成本低（B）容量大、速度慢、成本高（C）容量小、速度快、成本高（D）容量小、速度快、成本低28若内存容量为64KB，则接见内存所需地点线

7、(A)条（A）16（B）20（C）18（D）1929若用6264SRAM芯片（8K8位）组成128KB的积蓄器系统，需要（A）片6264芯片。（A）16（B）24（C）32（D）6430若内存容量为64KB，则接见内存所需地点线(A)条。（A）16（B）20（C）18（D）19断电后积蓄的资料会扔掉的积蓄器是(A)（A）RAM（B）ROM（C）CD-ROM（D）硬盘32断电后积蓄的资料会扔掉的积蓄器是(A)。（A）RAM（B）ROM（C）CD-ROM（D）硬盘33.连接到（A）464000H6FFFF地点范围上的积蓄器用（B）8（C）6（D）128K8位芯片组成，该芯片需要()片。二、判断题1

8、静态随机积蓄器中的内容能够永久保存。2总线周期是指CPU执行一条指令所需的时间。3静态随机积蓄器中的内容能够永久保存。4Cache是一种快速的静态RAM，它介于CPU与内存之间。5寻址256M字节内存空间，需28条地点线。6无论采用何种工艺，动向RAM都是利用电容积蓄电荷的原理来保存信息的。19EPROM是指可擦除可编程随机读写积蓄器。36某内存模块的地点范围为80000H0BFFFFH，该模块的容量为256K（）三、填空题1为保证动向RAM中的内容不用逝，需要进行()操作。216K字节的积蓄芯片有()根地点线，用它组成64K空间的积蓄器共需()片，与8位机相连时需地点译码器74LS138最少

9、()片，若要求该地点空间为连续的，则译码器的引脚A应接地点线()，引脚B接地点线()，引脚C接地点线()。3随机积蓄器RAM主要包括()和()两大类。4组成64K*8的积蓄系统，需8K*1的芯片()片。5某积蓄模块的容量为64K，它的初步地点若为20000H，则末地点应为()。6某RAM芯片的积蓄容量是8K8bit，则该芯片引脚中有几根地点线几根数据线如已知某半导体积蓄器芯片SRAM的引脚中有14根地点线和8根数据线，那么其积蓄容量应为（）。7电路结构以下，请给出图中RAM1和RAM2的地点范围。8某RAM芯片的积蓄容量是4K8位，该芯片引脚中有（）根地点线，（）根数据线。9某16位微机系统的

10、地点总线为20位，其积蓄器中RAM的容量为128KB，首地点为80000H，且地点是连续的。问可用的最高地点是()H。10.用2K8的SRAM芯片组成32K16的积蓄器，共需SRAM芯片（）片，产生片选信号的地点最少需要（）位。中地点/数据线分时复用，为保证总线周期内地址牢固，应配置（），为提高总线驱动能力，应配置（）。12、8086和8088的地点总线有（）根，能寻址（）MB的积蓄器空间。13组成32M*8位的积蓄器，需要1M*4位的积蓄芯片共（）片。从偶地点中按字节读时，积蓄器数据进入数据总线的()；从奇地点按字节读时，进入数据总线的()。151KB=_1024_字节，1MB=_1024_

11、KB。16某8086微办理器系统中设计了一个积蓄为128KB的SRAM积蓄器模块，约定该积蓄器模块的初步地点为80000H，则该积蓄器模块的末地点为()。17.设微机的地点总线为16位，其RAM积蓄器容量为32KB，首地点为4000H，且地点是连续的，则可用的最高地点是()。四做图题1、设某计算机要用32K*4的动向RAM积蓄器芯片扩展128K*8的积蓄器。请回答：(1)扩展该积蓄器系统共需要几片RAM芯片(2)每块芯片应该有多少根数据线和多少根地点线(3)试画出积蓄器的组成图，并与CPU连接（设CPU有20根地点线）。(4)依照所画出的连接图，确定其地点空间范围2、将一个8086微机系统再用

12、16K*8的积蓄器芯片，它占的地点为D0000H至D7FFFH，试画出该积蓄器与CPU的接口图。3、用16K*8的SRAM积蓄器芯片组成的64K字节的RAM积蓄器电器，试回答以下问题：(1)试画出积蓄器的组成图，并与CPU连接，要求所组成的积蓄器空间从10000H开始并且是连续的。(2)求各积蓄器的地点范围。一、选择题1(B)2(B)3(B)4(D)5(C)6(A)7(C)8(C)9(D)10(B)11(C)12(B)13(C)14(C)15(B)16(D)17(D)18(A)19(B)20(D)21(B)22(D)23(D)24(A)25(C)26(A)27(C)28(A)29(A)30(A)31(A)32(A)33(A)34(A)35(C)二、判断题1234567