PCM测试培训全课件

1、PCM 测试培训PCM 测试培训概 述PCM 测试的作用测参数参数有什么作用?建立器件模型制定出片标准监控工艺质量寻找低良原因概 述PCM 测试的作用PCM 设备类型CMOS/BICMOS/E2等低压器件测试设备:4070/4062/450/425;DMOS测试设备:FET3600(兼顾CP测试和中测打点的功能)二极管测试设备:APD01概 述PCM 设备类型概 述三 PCM 测试系统结构控制终端 测 试 仪TESTER探针台PROBER网线概 述开关矩阵和针卡电容仪万用表脉冲发射器三 PCM 测试系统结构 测探针台PROBER网线PCM程序描述4070:语言BASIC程序结构:子程序 主程序

2、 PRINT文件 LIMIT文件 坐标文件TESTSUBS.6TESTS.6printTSTLST/TLbkup.std产品测试程序:CODE名TESTS.6printTSTLST/TLbkup.stdPCM程序描述4070:TESTSUBS.6TESTS.6p450程序描述:语言:C子程序 主程序 标准测试模块 LIMIT FILE 坐标文件产品测试程序:CODE名pgmklfplans.wduPLANSNMOS/PMOS klf.wduPGM cpf/wpf450程序描述:产品测试程序:CODE名pgmklfplan开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(电容仪/脉冲发生

3、仪等)针卡信息针卡上的针间距是否可以与开发产品WAFER上的PAD间距一致;针卡上的针的个数与排列是否与开发产品WAFER上的PAD个数与排列一致测试电压电流要求PCM测试机台是否可以满足4070/4062: 见后页450/425: 200ma/200vFET3600:5A/2000V开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(40704070PCM测试培训全课件450450PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?测试模块坐标测试电学条件参数规范PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?PCM程序开发需要填写的表单?E状态产品的更改路径:Fas920aFab1文

4、件库特别共享PI电性测量课TD程序调试申请报表M/N/P/ER状态的更改使用路径,工作流路径: 什么时候需要写申请:单个产品更改的时候,子程序优化走PCM人员走-PCCBPCM程序开发需要填写的表单? 什么时候需要写申请:单个程序开发完后PCM人员做什么?E状态产品:M/N/P/ER状态产品:EIP系统里会有附件附上.程序开发完后PCM人员做什么?M/N/P/ER状态产品:PCM异常处理流程PCM异常处理流程PCM测试问题分析流程测试问题反馈测试问题思考方向:针卡/机台/操作习惯/程序PCM测试问题分析流程测试问题反馈经典案例分析450 IOFF-弥补设备硬件差异MGLV P+ 测试问题-解决

5、工艺缺陷VTFOX测试问题-TESTKEY设计问题导致PCM问题FAIRCHART 扎偏移-找目标对测试的影响经典案例分析450 IOFF-弥补设备硬件差异450 IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台阶,导致工艺SPC不达标准450 IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台450 IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比4070漏电小的呢?450 IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比407450 IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用了皮安表450 IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用450 IOFF优化程序解决问题45

6、0 IOFF优化程序解决问题LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题，现在以在北京生产的ICET316/314尤为突出分析认为是PCM TEST设计结构不合理导致PCM测试有问题MGLV P+ 测试问题LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题，现在以在北京生PCM测试培训全课件MGLV P+ 测试问题-PCM P+ 测试结构备注：红色：N+；兰色：P+；绿色：ALALSIO2N+NSUB探针结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直接与N+连通，即发生漏电，电阻测量不出。当探针轻扎时，P+是可以测试出来的，与实验吻合，见附录一。MGLV P+ 测试问题-

7、PCM P+ 测试结构备注：红色：MGLV P+ 测试问题PCM N+ 测试结构备注：红色：N+；兰色：P+；绿色：AL结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直接与N+连通，因为所接触的还是N+，不会漏电，这就是N+从没有出现测量不出的原因ALSIO2N+PWELLNSUBMGLV P+ 测试问题PCM N+ 测试结构备注：红色：NMGLV P+ 测试问题结论：因为模块设计问题，导致会有测试不出的问题发生，与PCM工艺无关MGLV P+ 测试问题结论：因为模块设计问题，导致会有测试经过单点扎针测试,发现当高度为310时,测试结果为片子真实值(同一点).针高=3

8、10Default_XRs_pplusratio1768.3111.118642771.3541.127123771.3541.136754772.8761.117655777.441.126056772.8761.127127785.0471.123978774.3971.117659777.441.09917附件一：PCM探针高度实验经过单点扎针测试,发现当高度为310时,测试结果为片子真实值同一片在310高度测试的结果05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES

9、OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT -506.3 -192.2 130.3 2.3E+04 443.7 130.3 UU.Oo 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5

10、 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250发现有的点能测试出,而有些点测不出. 加深为311,则测试结果如下:15.dat_5: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU 500 90015.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U. 500 90017.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 . 500 900认为针的高度对测

11、试结果有很重要的结果,但很难保证测试高度合适17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 710.5 0 0 748.5 0 U.UU. 500 90022.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 705.9 709 0 744 705.9 U.U. 500 90025.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 712 0 724.2 0 0 U.U.U 500 900加深为312,则测试结果如下:不难发现当针

12、高由311变为312时,17片的P+测试不出来同一片在310高度测试的结果05.dat_4:PPLUS STEST UFORCE I如上图所示，PPLUS RES 测试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电流，测另外两端的电压（一共可测出四组值），然后再 电压除电流得出所要测的电阻。具体公式为：Rs = U/I *4.532= rs_ pplusi （i=1，2，3，4） P+附录二：PCM P+/N+范德堡测试方法TEST UFORCE I如上图所示，PPLUS R：PPLUS RES=（rs_pplus1 + rs_pplus2 + rs_pplus3 + rs_pplus4) / 4 即:P

13、PLUS RES 是所测四组值的平均值：IF MAX(rs_pplus1 ； rs_pplus2 ；rs_pplus3 ； rs_pplus4 ) MIN(rs_pplus1 rs_pplus2 ； rs_pplus3 ； rs_pplus4 )X1.5 ， RATIOMAXMIN 则 PPLUS RES=0即：如果所测四组值中的最大值大于最小值的.倍(RATIO1.5)， 那么PPLUS RES 被赋值为 ：PPLUS RES=（rs_pplus1 + rs_p2. 主要涉及产品有SG5306和SG6827(NFOX0.8*20Vtf 测试值都在10.2V左右),比正常 均值低1V以上)10

14、.2V1. 异常起因: 3月产品Owner反映6S05SPSM-ST0100 NFOX 0.8X20 VTF SPC不达标VTFOX测试问题2. 主要涉及产品有SG5306和SG6827(NFOX0.VTFOX测试问题1. SG5306 （SPC异常值产品） NFOX VTF调用Vtfox测试子程序2. SG6827 （SPC异常值产品） NFOX VTF调用Vtfox测试子程序3. HL0548 （SPC正常值产品） NFOX VTF调用Vgsearchn测试子程序分析： SPC TREND CHART异常点涉及的两个产品 SG5306和SG6827，都调用Vtfox测试子程序，且G、D调用

15、同一PAD（第5PAD），S是第7PAD，B是第8PAD。 而其他正常产品（如HL0548）调用Vgsearchn测试子程序， G(6)、D(5)、S(7)，B(8) 。VTFOX测试问题1. SG5306 （SPC异常值产品） VTFOX测试问题1. SG5306_NFOX gds2. SG6827_NFOX gds3. HL0548_NFOX gds分析： 从GDS的实际结构来看，SG5306和SG6827场管与HL0548类似，G、D并未短接。VTFOX测试问题1. SG5306_NFOX gds2. VTFOX测试问题Vgsearchn子程序：程序算法：二分查找法；测试机理是Vd=5V

16、, Vg扫描，S、B接地，Id=1uA时的Vg。用于测试正常结构的场管Vtfox子程序：程序算法：线性查找法；测试机理是G、D同步扫描电压，S、B接地，Id=1uA时的Vg。可测试正常结构的场管或者G、D短接的特殊场管。DGSTDGSTVTFOX测试问题Vgsearchn子程序：DGSTDGSTVTFOX测试问题VTFOX测试问题Vtfox的渊源：针对G、D短接的“特殊”场管 针对这种G、D短接的场管只能使用Vtfox（G、D同步扫描方式）子程序来测试已到PCM的实际产品，并将子程序中调用的G、D都写成第5个PAD，即P（31）。SC0612：典型的G、D短接至第5个PAD实际测试的是场管的单

17、结击穿.Vtfox的渊源：针对G、D短接的“特殊”场管 针对这种G、VTFOX测试问题CE 场管LAYOUT部分老产品维持GD短接的场管新产品使用GD分离的场管PCM编程更改 Vtfox & GD短接PCM新品编程根据工艺相近原则直接COPY同工艺下某产品的测试主程序TESTS.6部分老产品GD分离的正常场管PCM编程Vtfox (GD分离)or Vgsearchn PCM场管程序同工艺下产品场管的测试程序有不同的模板！Issue：1）从什么时间更改的？哪些产品使用了改后的结构？2）哪些老产品维持旧的场管结构？Comment： 产品Owner未收到CE通知，不清楚同工艺 FRAME场管结构更新

18、，故无法通知PCM。 PCM编程人员只收到含Test Key名称及坐标 的Checklist（并不知道其中的场管结构已更改）VTFOX测试问题CE 场管LAYOUT部分老产品新产品PCCS80产品测试扎偏情况CS80产品PCM测试针迹与实际对应pad位置不符，向上偏移大概9个pad的距离，由于该产品比较特殊，片内只有五个插花内有测试图形，因此对测试参数影响较大，扎偏后直接导致部分参数测试失效。CS80产品测试扎偏情况CS80产品PCM测试针迹与实际对应CS80产品测试扎偏原因分析1、设备走位异常：圆片在设备上运行时由于设备硬件故障导致走位异常，移动位置发生偏差，从而导致探针针尖无法扎到正确的测

19、试模块，导致扎偏。2、找目标异常：EG2001探针台的找目标动作是由VISION MODULE来对目标图形进行处理分析的，其原理是将所选定的目标图形进行黑白对比度的分析，将图形信号转变为电信号进而识别出目标图形的过程。在找目标操作时，CCD光强的明暗度、选取的目标图形都会影响找目标效果，若定义的不好，会使设备在进行找目标动作时识别到其他相似图形，进而使测试模块位置发生偏差，导致扎偏。CS80产品测试扎偏原因分析1、设备走位异常：圆片在设备上CS80产品测试扎偏原因确认找目标情况确认：使用假片进行找目标操作，按照作业员定义的目标图形进行操作，发现在同一插花内有一相似图形，当重复进行找目标操作时有可能会误选到该类似图形，两个图形相差大概9个pad的距离，而实际扎偏恰好也是9个pad的距离，两者情况相吻合，因此可以判定是在找目标操作时选取的目标图形不良导致的扎偏。CS