理工科专业毕业开题报告

1、4华南理工大学本科毕业设计（论文）开题报告论文题目 AMOLED 像素驱动电路设计班级姓名学号指导教师 填表日期 3 月 PAGE PAGE 7说明1、 毕业设计的开题报告是保证毕业设计质量的一个重要环节，为规范毕业设计的开题报告，特印发此表。2、 学生应在开题报告前，通过调研和资料搜集，主动与指导教师讨论，在指导教师的指导下，完成开题报告。3、 此表一式三份，一份交学院装入毕业设计（论文）档案袋，一份交指导教师，一份学生自存。4、 开题报告需经各系或论文指导小组讨论、学院教学指导委员会审查合格后，方可正式进入下一步毕业设计（论文）阶段。姓名开题时间学制四 年专业指导教师 *教授论文题目： A

2、MOLED 像素驱动电路设计开题报告内容 项目研究的背景和意义有机发光显示器(OLEDs)(LCD) 相比,OLEDs20%30%)成本低、温度适应性好、响应速度快等优点12 PDA、数码相机等小屏显OLEDsLCD 显示屏3 。OLEDOLED（PassiveMatrixOLED, PMOLED）OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)。PMOLEDTFT-LCDAMOLED TFT 电路驱动,不存在交叉串扰问题,亮度、寿命以及分辨率等都较 PMOLED 有大幅提高 45 。由于显示器未来发展趋势是向着高精细画质应用，PMOLED 驱动方式已无法满足要AMOLEDAMOLE

3、D致力于基于薄膜晶体管（TFT）的 AMOLED 显示器像素驱动电路的研究与实现。 工作任务分析AMOLED 的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)，二者实现量产的优势最大5 。a-Si TFT LTPS TFT 相比具有a-Si TFT 大得多，而且驱动电压和信号电压都比较大，这些不利因素会OLED 的寿命缩短6a-Si TFT 技术存在着过高的光敏感性问题7。TFT 具有较高的载流子迁移率，相比于非晶硅工艺，其特征尺寸可以OLED OLEDOLED4和9AMOLED LTPSTFT但在低色阶区电流写入不足5 OLEDOLED8 。另

4、外,电流镜设计中一LTPSTFT（阈值电压、迁移率等相同，对于目前的OLED控制方便，外围驱动芯片设计容易、成本低。通过像素驱动电路的设计可补偿 LTPS TFT OLEDTFTLTPSTFT 制备工艺提高迁移率的均匀性。AMOLED含两个薄膜晶体管(TFT)和一个存储电容（2T1C 电路，其中一个开关(switching) TFT ，一个驱动（driving）TFT。当扫描线(scan line)开启时，外TFT容(CsTFTOLEDCsTFTOLEDTFT-LCDOLEDTFTOLED多文献616OLEDOLEDEDAHspice，AMOLEDTFT补偿。 国内外研究现状2T1C2T1C究

5、吸引了不少研究单位610 6AMOLEDPoly-Si TFT2T1C分析, 总结出驱动电路的合理工作参量, 并详细分析它们的变化对驱动电路的影响, 为Sanford10 OLED2T1C2TFTTFT1998R.Dawson 首TFT2T1C 等12 提出了一种基于氢化非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT）可补偿阈值漂6T1C12中所设计的像素驱动电路随着工作时间的变OLED7%2T1C28%，仿真和实验都表明这种 6T1C 电路能够维持相当的电流稳定性，从而保持面板发光亮度的基本不变。C.L.Lin13 Poly-Si TFT5T1C 像素电路采用Poly-SiTFTOLED12, 文献

6、13少了一个晶体管从而提高了像素的开口率。文献1415TFTLTPSTFT提高了像素点的发光均匀程度。文献11-15TFT，导致控制线路复杂，降低了像素点的开口率，基于此文献16TFTTFT2T1C11-16皆是基于电压编程模式。文献9提出了一种基于电流编程的 4T1C 电路，仿真和实验同时证明该电路能够补偿低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）27C60C4T1COLED1.5%，2T1COLED37% 毕业设计项目实施计划及进度第 1-2 周：阅读相关文献资料及撰写毕业设计开题报告。3-42T1CHspiceAIM-spice5-613OLEDTFT7-8结构。9-1213-14第 15

7、 周：毕业答辩。 参考文献M.第一章.司玉娟, 冯凯, 郎六琪, 刘式墉. 一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计J.2005,(02)：257-261OLEDOLED 驱动特性研究J.2005,(02)：140-144AM-OLEDJ. 2008,(06)：667-670陈金鑫，黄孝文.OLEDM.北京：清华大学出版社，2007.九章.OLEDTFTJ.2002,23(05)：518-522AM-OLEDJ.2004,(12)：49-51A. Nathan, G. R. Chaji, and S. J. Ashtiani, “Driving schemes for a-Si

8、and LTPS AMOLED displays,” J. Display Technol., vol. 1, no. 2, pp. 267277, Dec.2005.J. H. , W. J. , B. K. , H. S. , Y. M. Ha M. K. new poly-Si TFT current-mirror pixel for active matrix organic light emitting diode, IEEE Electron Device Lett., vol. 27, pp. 8302006.J. L. Sanford and F. R. Libsch, “Vt

9、 compensation performance of voltage data AMOLED pixel circuits,” in Proc. IDRC, 2003, pp.3840.Z. S. J. Ipri, C.N. King, P.J.Green, R.T. Flegal, S. Pearson, W.A. Barrow, E.Dickey,K. S. S. F. J. and Lu,“Design of an Improved Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LED Display,” SID, Internation

10、alSymposium Proceedings, 1998, pg.11.J. H. Lee, J. H. Kim, and M. K. Han, “A new a-Si:H TFT pixel circuit compensatingthethresholdvoltageshiftofa-Si:HTFTandOLEDforactivematrix OLED,” IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 12, pp.897899, Dec.2005.C. L. Lin and Y. C. Chen, “A novel LTPS-TFT pixel ci

11、rcuit compensating forTFTthreshold-voltageshiftandOLEDdegradationforAMOLED，”IEEEElectron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp. 129131,Feb.2007.H.Y.Lu,P.T.Liu,T.C.Chang,S.Chi. “Enhancementofbrightnessuniformityanewvoltage-modulatedpixeldesignforAMOLEDdisplays.”IEEE ElectronDevice Letters. 2006,27(9):743-745.B.T.Chen,Y.H.Tai,Y.J.Kuo,C.C.TsaiandH.C.Cheng,“Newpixelcircuits for Solid-StateElectron 50 (2) (2006), pp.272275Chih-LungLin,Tsung-TingTsai,“ANovelVoltageDrivingMethodUsing3-TFT Pixel Circuit for