半导体产业的分析状况

1、树 德 科 技 大 学工业管理系高科技产业业研究-半导导体产业业分析期末作业学生：90011442244 姚姚永纮9011442688 周周英吉9011442866 萧萧智威指导教授：陈永璋璋 教授授一、绪论半导体是电电子产品品的重要要零组件件，因此此一国半半导体产产业之盛盛衰，代代表其电电子产业业兴盛与与否，半半导体产产业强大大者，即即表示其其电子产产品也立立于不败败之地:半导体体产业是是高技术术密集及及高资本本密集的的产业，故故半导体体技术能能力，也也展现了了一个国国家在科科技产业业上之地地位；为为什么美美、日、韩韩、及欧欧洲工业业化国家家各政府府每年均均大幅支支持其国国内半导导体产业业研

2、发，将将其列为为优先发发展产业业?此为其其主要原原因吧!我国电电子产业业在政府府长期支支持及业业者努力力下，已已是我国国第一大大产业，其其赖以持持续成长长之要件件在于国国内半导导体产业业技术国国际竞争争能力，面面对国际际强烈之之竞争环环境，因因此我们们就对此此产业做做深入的的研究与与探讨。二、半导体体产业概概况 半半导体（Semiconductor）经过四十多年的发展，已经成为各种电子信息产品中，不可或缺的核心关键零组件，更与我们的日常生活息息相关。在信息网络、电子商务、行动通讯、生活自动化、无纸文书等高成长的趋势带动下，相关电子产品将会持续蓬勃发展，而这些产品的内部核心半导体，必将扮演更重要

3、的角色。 半半导体自自19447年由由贝尔实实验室开开发出第第一颗晶晶体管后后，为电电子产品品划下了了历史的的新页：电子产产品不再再靠真空空管来作作为核心心，开始始能够朝朝向轻、薄薄、短、小小的新世世纪迈出出了一大大步。而而全球第第一颗集集成电路路（Innteggratted Cirrcuiit; IC）则则在19958年年被美国国德州仪仪器(TTexaas IInsttrummentts；TI)公司开开发成功功，从此此又取代代晶体管管(Trranssisttor)成为半半导体世世界的盟盟主；同同时成为为下游广广大应用用电子产产品的主主要关键键零组件件。来自自. .2-1 半半导体的的定义与与

4、制造流流程 所所谓的半半导体，是是指在某某些情况况下，能能够导通通电流，而而在某些些条件下下，又具具有绝缘缘体效用用的物质质；而至至于所谓谓的ICC，则是是指在一一半导体体基板上上，利用用氧化、蚀蚀刻、扩扩散等方方法，将将众多电电子电路路组成各各式二极极管、晶晶体管等等电子组组件，作作在一微微小面积积上，以以完成某某一特定定逻辑功功能（例例如：AAND、OR、NANND等），进进而达成成预先设设定好的的电路功功能。随随着技术术的进步步，在一一单一芯芯片聚集集佰万颗颗以上晶晶体管的的IC，已已非难事事。一一般而言言，一颗颗IC的完完成，通通常先后后需经过过电路设设计、光光罩制作作、芯片片制造、芯

5、芯片封装装和测试试检查等等步骤，请请参考图图一。IIC的上上市，挟挟其轻、薄薄、短、小小、省电电、多功功能、低低成本等等特长，席席卷大半半的半导导体市场场，成为为半导体体的主流流产品。若若按其制制程技术术来区分分，可大大略分为为Bippolaar和MOSS ( Mettal Oxiide Sillicoon )二大类类。其中中Bippolaar制程程技术发发展较早早，但集集积度较较低且较较耗电，除除少数特特定用途途需较快快工作速速度和耐耐较高电电压的场场合外；MOSS制程的的产品已已攻占了了绝大多多数的应应用市场场。图一ICC制造流流程资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000

6、年9月2-2 半半导体产产业的发发展简史史 119477年第一一颗晶体体管发明明成功，结结束了真真空管的的时代，而而19558年TI开发发出全球球第一颗颗IC成功功，又意意谓宣告告晶体管管的时代代结束，IC的时代正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来，集积度也不断提升。从小型集成电路（SSI），每颗IC包含10颗晶体管的时代；一路发展MSI、LSI、VLSI、ULSI；到现在韩国、日本等半导体大厂已陆续开发出Giga级 DRAM，这也意谓着GSI时代即将开始。表一 半半导体发发展的大大事记年度 里程碑 厂商 时代 1904 发明二极真真空管 Flemiing 真空管 1906 发明三极真真空

7、管 - 1947 发明晶体管管 Bell Labb 晶体管 1951 采用Gallliuum AArseenidde材料料 Siemeens 1953 发表硅太阳阳电池 Bell Labb 1954 发表Zenner二二极管 NS 1956 发表Sillicoon CConttrollledd Reectiifieer Generral Eleectrric 1958 首颗IC开开发完成成 TI SSI (101) 积 体 电 路 1961 第一颗商用用IC上市市 Faircchilld、TI 1963 发表TTLL Loogicc ICC Sylvaaniaa 1963 发表Linnearr

8、 ICC Faircchilld、TI 1964 发表MOSS ICC Generral Miccroeelecctrooniccs MSI (102) 1968 发表CMOOS IIC RCA 1969 ROM上市市 Electtronnic Arrrayss 1970 计算器用单单颗ICC上市 TI 1970 开发1K DRAAM Intell 1971 发表EPRROM Intell 1972 开发Miccropproccesssor Intell LSI (104) 1973 开发EEPPROMM NCR 1975 日本发表发发展VLLSI计计划 MITI/NTTT 1976 开发64

9、KK DRRAM - 1978 发表语音合合成ICC TI LSI (104) 积 体 电 路 1980 台湾新竹科科学园区区设立 台湾 1980 发表DSPP ICC Bell Labb 1981 发表32 bitt Miicrooproocesssorr AT&T 1982 发表IBMM PCC IBM VLSI (106) 1982 正式生产2256KK DRRAM Bell Labb 1984 开发VRAAM TI 1985 1M DRRAM开开发完成成 IBM/AAT&TT 1986 美日签定半半导体贸贸易协议议 DOC、MMITII 1986 4M DRRAM论论文发表表 - 19

10、87 16M DDRAMM论文发发表 NTT 1989 第一颗166M DDRAMM开发成成功 Hitacchi/TI 1991 64M DDRAMM论文发发表 Fujittsu等等 1992 16M FFlassh论文文发表 NEC ULSI (1008) 1993 256M DRAAM论文文发表 Hitacchi/NECC 1993 1G DRRAM论论文发表表 NEC GLSI (1009) 资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000年9月2-3 半半导体的的分类 半半导体产产品可大大致划分分为三大大类：分分离式组组件（DDisccrett）、集集成电路路（ICC）与光光

11、电组件件（Oppticcal）等等，其中中IC就占占了半导导体近九九成的比比重，可可谓半导导体的重重心所在在。 就就目前国国内的发发展状况况，ICC几乎就就等于是是半导体体的代名名词，无无论就厂厂商的知知名度或或是产值值的规模模，ICC都遥遥遥领先其其它的光光电组件件或分离离式组件件。ICC虽然属属于半导导体家族族中的一一员，但但经过四四十余年年的努力力，却也也衍生出出成千成成万种不不同用途途的ICC。为了了便于讨讨论，将将依 MMonoolitthicc ICC其产品品特性可可概分为为四大类类，分别别为微组组件(MMicrrocoompoonennt)IIC、内内存(MMemoory)IC、

12、逻逻辑(LLogiic) IC和和模拟(Anaalogg)ICC，请参参考图二二。 图二半导导体家族族和分类类资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000年9月 22-3-1 微微组件IIC 微微组件IIC包括括微处理理器(MMicrroprroceessoor；MPUU)，微微控制器器 (Miccrocconttrolllerr；MCUU)，微微外围(Miccropperiipheerall；MPRR)和可可程序的的数字讯讯号处理理器(DDigiitall Siignaal PProccesssor；DSPP)四大大族群，如如图三所示示。来自. . 图三微组组件ICC家族成成员

13、 资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000年9月 2-33-2 内存ICC 内内存ICC是IC家族族中另一一主要成成员，依依其断电电后，记记忆内容容消失与与否，又又可分为为挥发性性(Voolattilee)和非非挥发性性(Noonvoolattilee)两大大类外，尚尚有少数数其它类类别ICC，例如如FIFFO(FFirsst IIn FFirsst OOut)内存、双双端口(Duaal PPortt)内存存等。不不过，内内存家族族中仍依依Vollatiile和和Nonnvollatiile两两者为主主，主要要成员前前者有动动态随机机存取内内存(DDynaamicc Raan

14、doom AAcceess Memmoryy；DRAAM)和和静态随随机存取取内存(Staaic Ranndomm Acccesss MMemoory；SRAAM)；后者有有光罩式式只读存存储器(Massk RReadd Onnly Memmoryy；Massk RROM)、可抹抹除式内内存(EErassablle PProggrammmabble Reaad OOnlyy Meemorry；EPRROM)、电气气式可抹抹除内存存(Ellecttriccallly EErassablle PProggrammmabble Reaad OOnlyy Meemorry；EEPPROMM)和快快闪式

15、内内存(FFlassh MMemoory)，请参参考图四四。由于于内存产产品通常常追求高高集积度度，因此此Bippolaar制程程产品在在此领域域份量极极微。图四内存存IC家族族成员 资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000年9月 2-33-3 逻辑ICC 逻逻辑ICC在IC家族族中算是是较早出出现的产产品，尤尤其标准准逻辑IIC(SStanndarrd LLogiic)应应是ICC家族中中年纪最最大的，其其大半只只提供基基本逻辑辑运算，例例如ANND、OR、NANND等，再再由使用用者自行行组合成成本身电电子产品品所需之之电路特特性。此此一领域域最早由由Bippolaar制

16、程程出发，接接着MOOS产品品跟着出出现，其其后结合合两者优优点的BBiCMMOS制制程亦广广受欢迎迎一阵子子。 2-33-4 模拟ICC 模模拟ICC在IC家族族中可以以算是特特异独行行的一员员，Biipollar的的制程在在此领域域占有绝绝对优势势，和前前述各项项产品(Miccroccompponeent、Memmoryy、Loggic)恰恰相相反。 尤其线线性ICC部份几几乎不见见MOSS制程产产品的踪踪影，而而Mixxed-Siggnall的产品品由于内内含数字字的讯号号，所以以会有一一些MOOS制程程的产品品。2-4 与与下游产产业的应应用关联联 IIC是半半导体产产品的主主要成员员

17、，而半半导体则则是整个个电子零零组件中中，主动动组件的的主力，电电子零组组件又是是组成下下游电子子系统产产品的主主要部份份，这些些半导体体、ICC广泛应应用于信信息、通通讯、消消费性和和其它各各式电子子产品，见见参考图图七所示示。图七半导导体的下下游应用用 微微电子技技术最近近二十多多年来进进展神速速，促使使下游应应用产品品，不仅仅能在品品质、性性能方面面有所提提升，而而且得以以不断推推出新的的产品。尤尤其制程程技术进进入到深深次微米米时代，集集积度已已进入UULSII阶段，再再加上数数字讯号号处理技技术的成成熟等因因素，已已使诸多多新近推推出的电电子产品品，不易易用传统统的信息息、通讯讯、消

18、费费性等应应用领域域加以区区分，反反而以33C结合合的产品品型态居居多。例例如：多多媒体(Mulltimmediia)、个个人数字字助理(Perrsonnal Diggitaal AAssiistaant)、Sett-Toop BBox、SONNYss PSS2等产产品，既既有信息息产品的的特质，又又有通讯讯或消费费性产品品的功能能。 一一般外界界仍将半半导体的的应用领领域分成成四大类类，分别别为信息息用、通通讯用、消消费性电电子和其其它等，请请参考图图八。 图八半导导体应用用分类 资料来源：工研院院经资中中心ITTIS计计划，220000年9月三、半导体体产业的的特性及及重要性性3-1 半半

19、导体产产业的特特性 半半导体是是各种电电子产品品必须使使用的关关键性零零组件，此此外，半半导体产产业技术术的发展展也被视视为国家家现代化化的指标标之一，亚亚洲各国国纷纷视视发展半半导体产产业为国国家重大大政策之之一，进进而积极极投入，例例如在 19990 和和 19995 年左右右，就先先后两次次进行了了大规模模的投资资，因此此也掀起起了内存存产品（特特别是DDRAMM）的旋旋风。 半半导体产产品可说说是技术术密集、资资本密集集行业的的典范。由由于制程程技术的的突飞猛猛进，目目前一颗颗IC中，已已经可以以挤下上上亿颗的的晶体管管数量，穆穆尔定律律所谓每每18个月月，相同同面积大大小的芯芯片内，

20、晶晶体管数数量会成成长一倍倍的规则则，正是是这几年年来，IIC产品品集积度度不断提提升的最最佳写照照。 不不过由于于半导体体产品的的开发，必必须集合合无数的的人才、资资金、技技术才能能成功，因因此近年年来，包包括美国国、日本本等先进进国家的的业者，也也都开始始进行跨跨国际的的合作，希希望藉由由广泛的的策略联联盟，来来降低投投资的风风险。半半导体的的单位价价格非常常的高，相相对地，在在营运上上所必须须面临的的风险（例例如产业业景气的的巨幅波波动）也也是非常常高的。在在此情况况下，所所谓高风风险、高高利润，正正是半导导体产业业的经营营特性写写照。3-2 半半导体产产业在整整体经济济上的重重要性 我

21、我国的半半导体产产业经过过多年的的发展，目目前已稍稍有成就就，仅次次于美国国、日本本、韩国国等三国国，居全全球第四四位的 IC 生产大大国，是是我国最最具发展展潜力的的高科技技产业之之一，在在我国整整体产业业结构中中也占有有重要的的比重。 虽虽然国内内集成电电路产业业的萌芽芽，是自自19666年由由外商来来台设立立封装工工厂开始始，但当当时只是是以廉价价的劳力力作为考考量，直直到台湾湾第一家家晶圆厂厂联电在在新竹科科学园区区成立后后，才算算正式进进入集成成电路产产业的新新纪元。当当初在工工研院电电子工业业研究所所从事于于技术的的研究开开发，而而科学园园区则提提供一个个完善的的设厂孕孕育环境境，

22、两者者搭配下下，包括括联电、台台积电、台台湾光罩罩、世界界先进等等公司陆陆续衍生生成立，把把台湾的的半导体体产业带带向了世世界竞争争的舞台台，创造造了今日日硅岛岛的杰杰出成就就。 尤尤其是在在19990年代代开始，国国内多家家半导体体晶圆制制造厂陆陆续成立立，不仅仅带动IIC上下下游产业业，包括括设计、封封装、测测试业产产值起飞飞，而且且相关产产业晶圆圆材料、设设备、化化学品、光光罩等业业别也趁趁势兴起起，因而而奠定了了台湾现现在是全全世界第第四大IIC供应应大国的的杰出地地位。 若若就国民民生产毛毛额 （ G D PP） 的观点点而言，在在 119999 年时时，我国国电子业业占总体体制造业

23、业的比重重（GDDP基础础）为 25.9%，IC则占占电子业业的 119.997%（如如表四所示示）。虽虽然比重重还不算算太高，但但是其影影响力却却非常的的大。举举例来说说，在国国内的证证券集中中市场或或店头市市场，IIC相关关类股的的成交量量与价格格走势，对对于大盘盘都有很很明显、直直接的影影响，台台积电、联联电等公公司的资资本额、市市值，更更是国内内上市上上柜公司司中极为为庞大、最最具影响响力的公公司。来自. .表四 ICC 占 GDDP 的的份量 单位： 年度制造业GGDP电子业制制造业电子子业199527.919.817.6199627.922.518.4199727.823.019.

24、0199827.424.419.3199926.425.920.0资料来源：行政院院主计处处，工研研院经资资中心IITISS计划，220000年9月 此此外，就就国内的的制造业业而言，科科技业已已成为未未来发展展的主力力所在，科科技实力力更是评评估一个个国家竞竞争力强强弱的重重要指标标。而新新竹科学学园区可可说是国国内高科科技产业业的重心心所在，尤尤其对台台湾的集集成电路路产业而而言，几几乎所有有的晶圆圆厂及为为数甚多多的ICC设计业业、测试试业者，均均于科学学园区内内设立有有据点，至至于设在在科学园园区附近近的公司司，也是是多如牛牛毛。因因此，若若要探讨讨IC产业业在台湾湾的重要要性，那那么

25、拿它它来与全全国科技技重心所所在的新新竹科学学园区的的其它高高科技产产业一并并比较，应应该是个个相当好好的指标标。 在在今日的的新竹科科学园区区六大产产业中，单单单集成成电路产产业的营营业额高高达新台台币3,6088元，就就占园区区总产值值6,5509亿亿的555.433%，比比重之大大、贡献献之高，以以上数字字说明一一切（参参考表五五,表六,表七,表八,表九）。而而在园区区六大产产业的总总研发经经费2445亿元元中，集集成电路路产业更更占了其其中的668.773%，在在园区实实收资本本额5,6600亿元中中，集成成电路产产业也占占了711.766%，因因此，若若说台湾湾的产业业应该朝朝向资本

26、本密集、技技术密集集的路线线来发展展，那么么由以上上数据来来看，集集成电路路产业正正可以说说是其中中的典范范了。 表五 科科学园区区历年劳劳动生产产力分析析依产业业类别区区分 单位:新台币币百万元元/人 年产业类别 平均 集成电路 计算机及外外围 通讯光电精密机械 生物技术 1995 6.58 10.9 4.18 3.07 2.39 0.87 7.08 19965.32 8.55 4.39 3.26 2.58 1.11 5.8 19975.3 8.17 5.56 3.98 2.64 1.35 5.84 19985.6 9.62 5.12 3.89 4.83 1.55 6.26 19997.47

27、 12.155 6.11 4.63 4.12 1.57 7.86 资料来源：科学园园区管理理局，220000年9月 表六 科科学园区区历年就就业员工工数之成成长-依教育育程度区区分单位:人 年 教育程度 总计 平圴年龄 博士 硕士 学士 专科 高中 其它 1995 521 4,8377 7,8522 9,6244 16,0112 3,4111 42,2557 30.1 1996 699 6,6999 10,8775 13,8443 18,2339 4,4511 54,8006 30.555 1997 839 8,4888 12,9550 17,4009 21,7880 6,9444 68,41

28、10 30.588 1998 985 10,0333 14,3229 19,1777 23,0229 5,0700 72,6223 31.111 1999 1,0788 13,4994 17,9773 19,6118 25,3110 5,3499 82,8222 31.355 资料料来源：科学园园区管理理局，220000年9月 表七 科科学园区区历年就就业员工工之成长长-依依产业别别区分单位:人 年 产业类别 总计 集成电路 计算机及外外围 通讯 光电 精密机械 生物技术 1995 22,4996 11,1448 4,0711 3,2700 1,0411 231 42,2557 1996 29

29、,5110 14,1887 4,3855 5,3866 1,0700 268 54,8006 1997 37,6881 17,2663 4,8777 6,9944 1,2955 300 68,4110 1998 41,2553 16,6223 5,1700 7,6577 1,5544 366 72,6223 1999 48,2884 16,5229 5,2999 11,1110 1,1655 435 82,8222 资料来源：科学园园区管理理局，220000年9月 表八 科科学园区区营业额额之成长长-依产业业别区分分单位:台币币亿元 年产业类类别总计 成长率 % 集成电路计算机及外外围 通讯光

30、电精密机械生物技术1995 1,4799.500 1,2155.444 170.002 100.229 24.922 2.01 2,9922.188 68.322 1996 1,5700.533 1,2122.377 192.663 175.334 0.27 2.47 3,1811.477 6.36 1997 1,9988.844 1,4099.622 271.332 278.449 34.144 4.04 3,9966.466 25.611 1998 2,3088.299 1,5988.944 264.448 297.66 75.022 5.69 4,5500.022 13.877 1999

31、 3,6088.011 2,0088.966 323.999 513.888 47.955 6.65 6,5099.444 43.1 资料来源：科学园园区管理理局，220000年9月 表九 科科学园区区历年研研究发展展经费之之支出-依产产业类别别区分单位:新台台币百万万元 项目 年 产业类别 总计 集成电路 计算机及外外围 通讯 光电 精密机械 生物技术 研发经费 1988 412 1,1911 276 17 16 16 1,9288 1989 777 1,3755 250 38 84 17 2,5366 1990 1,2944 1,5988 411 38 68 20 3,4299 1991

32、1,4399 2,0588 498 132 60 17 4,2044 1992 1,9500 1,5800 578 178 133 39 4,4588 1993 3,5166 1,6333 698 230 168 48 6,2933 1994 4,6488 2,0277 954 484 154 79 8,3466 1995 7,4288 2,8477 1,2011 785 223 86 12,5770 1996 11,6889 3,7844 1,1100 974 185 82 17,8224 1997 15,9999 4,7633 2,0388 1,4122 172 119 24,5003 1

33、998 21,8881 5,9822 1,6877 1,8822 242 160 31,8334 研发经费 /营业额(%) 1988 6.7 4.5 6.6 3.7 6.1 3.8 5.1 1989 6.7 4 3.7 2.8 19.1 2.4 4.6 1990 9 4.6 3.2 3.5 9.8 3.9 5.4 1991 6.8 6.2 3.8 7.4 11.4 3 6 1992 6.4 4.1 5.7 13.3 10.5 8.4 5.4 1993 6.3 3 5.2 6.5 10.4 16.7 4.9 1994 5.5 2.8 6.6 9.3 6.5 19.1 4.6 1995 5 2.3

34、 7.1 7.8 8.9 42.8 4.2 1996 7.4 3.1 5.8 5.6 6.7 27.5 5.6 1997 8 3.4 8.5 5.2 5.1 30.3 6.2 1998 9.49 3.85 5.52 6.6 3.23 21.5 7.03 资料来源：科学园园区管理理局，220000年9月 3-3 台台湾产业业现状及及整体表表现 根根据台湾湾半导体体协会（TSIA）第三季问卷调查结果，今年第三季我国IC总体产业产值（含设计、制造、封装、测试）为新台币二千二百三十三亿元，较去年同期成长三五七，季成长率则达二一，其中封测厂第三季营运均大幅跃进，总产值也有二成以上成长幅度，是国内各次产业

35、中最佳的。由于市场景气仍持续好转，今年第四季我国IC总体产业产值可达二千五百三十六亿元，季成长率可维持在一四六幅度。 3-3-11 我国国半导体体次产业业成长高高于全球球 根根据TSSIA统统计，因因半导体体市场景景气复苏苏推动，第第三季我我国半导导体业均均有不错错的营运运表现，其其中设计计业产值值为五百百亿元，较较去年同同期成长长三八二；制造业业为一千千三百零零九亿元元，较去去年同期期成长三三六七七；封封装业为为三百一一十五亿亿元，较较去年同同期成长长二七八；测试业业为一百百一十亿亿元，年年成长率率达三六六一。整体体来说，第第三季各各次产业业季成长长率介于于一七至三一一不等等，明显显高于全全

36、球半导导体各次次产业平平均成长长率。 3-3-22 消费费性、计计算机相相关芯片片 推新品品 若分分析各次次产业成成长动力力，第三三季通常常仍是消消费性芯芯片与计计算机相相关芯片片的销售售旺季，加加上主要要厂商在在新产品品上的布布局陆续续推出成成果，例例如DVVD播放放机单芯芯片、数数字相机机芯片、数数字电视视芯片等等，持续续挹注相相关业者者营收；同时国国内LCCD厂出出货量大大增，LLCD驱驱动及控控制芯片片业者也也不错斩斩获；至至于利基基型内存存产品部部份，绘绘图卡用用DDRR的需求求提升，挹挹注国内内存储器器设计业业者营收收。 3-3-33 晶圆圆代工接接单表现现 与上季季持平 在晶圆代

37、工工部份，第第三季台台积电在在信息、通通讯、消消费性等等3C产品品线接单单较第二二季明显显提升，产产能利用用率、晶晶圆出货货片数持持续成长长，营收收季成长长率达一一成。联联电接单单上虽有有联电集集团ICC设计公公司、国国外绘图图芯片等等订单挹挹注，但但通讯产产品线接接单量下下滑，所所以第三三季表现现与第二二季持平平。 在在DRAAM部份份，国内内DRAAM业者者在十二二吋厂产产能及良良率不断断提升，以以及制程程技术进进一步微微缩的推推进之下下，DRRAM产产出颗粒粒持续增增加，此此外，计计算机大大厂对于于景气抱抱持较正正面的看看法，DDRAMM价格获获得推升升，所以以DRAAM厂第第三季营营运

38、均转转亏为盈盈。 在后段段封装测测试市场场部份，在在国际IIC设计计公司、整整合组件件制造厂厂（IDDM）大大举释出出封测委委外代工工订单下下，业者者接单量量大增，产产能利用用率也冲冲上满载载，包括括高阶封封测、DDRAMM封测等等合约价价都顺利利调涨，因因此封测测厂第三三季营运运均大幅幅跃进，总总产值季季成长率率也有二二成以上上成长幅幅度，是是国内各各次产业业中最佳佳的。3-4 我我国ICC产业的的竞争力力:过去我国IIC产业业之所以以能在国国际上占占有一席席之地，一一则是特特有的垂垂直分工工之产业业体系，另另一则是是拥有高高素质的的工程师师。在快快速变迁迁的产业业环境，以以及日益益扩大的的

39、资本设设备支出出需求之之下，我我国独特特之专业业分工体体系，从从设计、制制造、封封装和测测试等上上下游环环节相互互支持下下，应该该具有相相当高的的国际竞竞争力。 一方面是完完整半导导体产业业炼之群群聚效果果显著，尤尤其专业业晶圆代代工制造造业实力力坚强，可可带动上上下游产产业发展展；厂商商营运也也以富弹弹性、相相对成本本优势著著称。另另一方面面，我国国IC产业业在下游游PC产业业之奥援援下，也也使得整整体产业业得以持持续成长长。然而而我们也也必须注注意到，由由于国内内IC产品品同构型型过高，加加上技术术上在模模拟、高高频、系系统等领领域相对对薄弱，这这方面我我国业者者仍应加加强与国国外公司司技

40、转或或合作，以以缩短与与先进国国在技术术上的差差距，并并提高产产品的附附加价值值。 3-5 产产业面临临之问题题与挑战战台湾信息产产业近年年来外移移情况严严重，大大陆急起起直追，其其计算机机硬件产产值已超超越台湾湾，登上上世界第第三宝座座。在IIC制造造业方面面，大陆陆已量产产的晶圆圆厂包括括8吋厂一一座，及及6吋厂、55吋厂数数座，产产能供给给能力远远低于内内需市场场的需求求，因此此进口替替代是其其发展重重点，同同时也藉藉由庞大大的内需需市场来来吸引包包括台湾湾在内的的全球主主要大厂厂进驻，以以内需市市场作为为主要的的谈判筹筹码；在在封装、测测试方面面，目前前大陆尚尚未有专专业的测测试厂（以

41、以隶属于于封装厂厂为主），因因此，短短期内台台湾虽仍仍保有一一定的优优势，但但长期来来看，应应积极发发展附加加价值高高的科技技相关产产业，已已强化台台湾本土土厂商的的优势，达达到根留留台湾，放放眼全世世界的目目标。 四、各主要要国家概概况4-1 日日本ICC产业发发展 日日本半导导体业的的发展始始于19963年年。当年年日本电电气公司司（NEEC）自自美国FFairrchiild公公司取得得plaanarr teechnnoloogy的的授权。日日本政府府要求NNEC将将取得的的技术和和国内其其它厂商商分享。由由此项技技术的引引进，日日本的NNEC、三三菱、京京都电气气等乃开开始进入入半导体体

42、产业。 日日本半导导体业的的起飞在在19770年代代，其主主要的支支撑力量量来自桌桌上型计计算器（calculator）的大幅成长。日本业界原使用双极集成电路（bipolar IC）生产桌上型计算器所须的IC，该项技术德仪居领导地位；但RCA公司所开发的MOS（metal oxide semiconductor）技术为业界提供新选择。虽然双极IC的速度较快，但MOS IC较省电，而且技术复杂的程度较低。NEC率先投入MOS IC的开发，以避开和德仪竞争，并在日本国内市场取得领先地位。 在在19770年代代日本半半导体业业界大量量投入MMOS技技术的开开发及设设备投资资。例如如在19973年年的

43、设备备投资较较19772年增增加655%，而而营业额额亦成长长46%，R&DD的投入入则占记记忆性半半导体（MOS技术的主要用途）的19.7%（包括政府的补助金）（Keith and Wheatley 1991）。但1970年代的发展主要仍以供应国内需求为主，尤其是桌上型计算器的内存需求。除此之外，日本业界也以bipolar的技术开发出音响及电视机使用的线性集成电路（linear IC），并开始运用CMOS（complementary metal oxide semiconductor）于电子表等用途。1976-1979年日本业界在政府支持下投入超大规模集成电路（VLSI）的研发，因而在CMO

44、S的技术上有所突破。 119799年是日日本半导导体业发发展的突突破点，当当年日本本出口的的随机存存取内存存（RAAM）大大幅增加加，主要要是当年年IBMM出人意意表的决决定自市市场购入入16KK的RAMM，过去去IBMM的重要要零件一一向采内内制的策策略。在在此同时时，领导导厂商德德仪在生生产上出出现良率率的问题题，而其其它厂商商如Inntell又对RAAM的生生产减码码，造成成美国国国内市场场供不应应求的现现象，日日本厂商商乃大举举进入美美国市场场。在119799年日本本厂商在在美国116K RAMM市场的的占有率率达到440%，以以NECC、日立立及富士士通为最最主要供供应者；美国厂厂商

45、则仅仅Mosstekk保持市市场占有有率第一一的位置置。 自自19880年代代开始，日日本厂商商以大量量投资、大大量生产产的策略略，在RRAM市市场，尤尤其是DDRAMM市场上上取得绝绝对的优优势地位位。不仅仅在美国国市场、在在欧洲及及亚洲市市场也都都居于领领先地位位。美国国厂商在在日本的的强力竞竞争下，纷纷纷退出出DRAAM的生生产，包包括Faaircchilld、Nattionnal Semmicoonduuctoor、Mottoroola等等均自DDRAMM市场上上撤退。1986年美国政府透过贸易谈判要求日本业界减少对美国半导体的出口，并开放国内市场，使外国半导体在日本市场的占有率达20

46、%。此项美日半导体协议为起步较晚，摇摇欲坠的韩国半导体业开启了一扇大门，使韩国半导体销售大幅成长。 119900年代是是韩国半半导体业业大幅成成长的时时期，119933年韩国国半导体体的龙头头三星首首度取得得全世界界DRAAM生产产量第一一的宝座座，压倒倒日本的的NECC。日本本半导体体虽然面面临韩国国的强烈烈竞争，但但在19995年年之前，成成长仍然然相当良良好。但但19996年后后世界半半导体景景气陷于于低迷，日日本业界界开始出出现大幅幅赤字，引引发了一一波大幅幅度的产产业重整整。许多多主要生生产厂商商如三菱菱、冲电电气决定定退出DDRAMM的生产产；日立立、东芝芝、富士士通均开开始调整整

47、策略，降降低DRRAM生生产的比比重并增增加委外外生产的的比例，这这波调整整风潮造造就了和和台湾半半导体厂厂商密切切合作的的机会（详详第三章章第三节节），也也使得日日本厂商商在全球球DRAAM的市市场占有有率由119800年代中中期的990%下下跌到119999年的255%左右右。19999年年日本各各大半导导体厂虽虽在DRRAM及及其它内内存价格格上涨及及景气回回复下，纷纷纷由亏亏转盈，但但日本前前几年设设备投资资的下滑滑，已影影响到日日本半导导体产业业的竞争争力，日日本业界界为提升升产品的的国际竞竞争力，除除了联合合国内同同业合资资设厂，如如NECC与日立立合资成成立DRRAM制制造厂，也

48、也将未来来生产的的重心转转移到系系统LSSI及闪闪存等其其它非主主流产品品上，以以期取得得市场竞竞争优势势，并降降低公司司财务受受DRAAM价格格大起大大落影响响的程度度。4-2 韩韩国ICC产业发发展的历历程 韩韩国半导导体业的的发展始始于19974年年，在一一位韩裔裔的美国国工程师师Ki-donng KKongg的推动动下，由由一家韩韩国企业业Korrea Enggineeeriing andd Maanuffactturiing Co.与美国国企业IInteegraatedd Ciircuuitss Innterrnattionnal Incc.合资资设立韩韩国半导导体（KKoreea

49、SSemiiconnducctorr），由由韩方及及美方各各持股一一半。嗣嗣后三星星电子公公司于119755年买下下韩方550%的的股权，并并于19978年年买下美美方另550%的的股权，使使韩国半半导体成成为三星星的子公公司并改改名为三星半半导体通通信公司司。三三星半导导体开始始时以生生产电子子表、微微波炉、计计算器等等使用的的IC为主主，并在在19778年开开发出线线型ICC的技术术（Hoong 19997, p.992）。三三星半导导体的出出现是韩韩国半导导体业发发展的里里程碑，因因为自此此开始韩韩国半导导体业的的发展即即以财团团为中心心而展开开。 除除三星之之外，金金星社（Goldst

50、ar）先在1975年成立半导体事业部，其后在1979年设立金星半导体（Goldstar Semiconductor）为独立公司，购并大韩电线电缆（Taehan Electric Wires）于1976年设立的大韩半导体（Taehan Semiconductor），并自日本富士通取得技术授权。另外一家大财团现代，则直到1982年才宣布大举投入半导体产业，在此之前现代完全没有电子业生产的经验。韩国半导体业早期的生产技术主要来自美、日两国。三星电子于1983年在美国硅谷设立子公司Tristar Semiconductor，投资600万美元，招募技术人员从事半导体技术的研发。金星则于1981年派遣大批

51、技术人员到美国的Western Electric及Honeywell移转技术，并于1986年接收韩国电子技术研究所（KIET）的IC实验工厂，并与日本的日立签约，引进1M及4M DRAM的技术，同时为日立代工生产DRAM。现代也于1984年在美国硅谷设立Modern Electrosystems，从事半导体技术的开发。在1982-1986年间，韩国半导体业共与外国企业签署了53项技术移转合约（Hong 1997, p.101），大部份来自美国及日本。例如三星即签署了19项技术引进合约，包括自日本Sharp引进16K SRAM技术，自美国Micron引进64K及256K DRAM技术，自美国SS

52、I引进64K SRAM、64K EPROM、1M DRAM技术等。来自. . 韩韩国半导导体业自自开创开开始即惨惨淡经营营，赤字字累累，在在19885年因因世界半半导体市市场的低低迷，经经营更陷陷入困境境。那时时市场的的主流产产品644K DDRAMM的价格格，由119844年时的的每颗44美元跌跌到19985年年只剩00.8美美元，但但韩国半半导体业业在大财财团的支支持下仍仍然继续续投资。终终于在119866年因为为美日半半导体协协议，日日本半导导体厂商商减产，使使国际半半导体价价格回升升，同时时由于日日本业者者出口的的受限，使使韩国业业者抢占占美国及及日本的的市场，因因而得以以起死回回生。

53、 在在产品的的策略方方面，三三星自119800年代初初期即将将主力产产品设定定为DRRAM，自自Shaarp与与Miccronn等引进进技术后后，大力力投入DDRAMM的开发发，自119844年推出出64KK DRRAM以以来，即即不断投投资以扩扩大产能能，取得得最新的的生产技技术。119855年遭遇遇世界性性半导体体市场的的低迷，1986年因美日半导体协议获得喘息机会，但1987年又景气低迷，三星仍持续投资于256K（于1985年开始量产）及1M DRAM的技术开发，1988年半导体业景气复苏，三星因为设备投资已完成，乃顺利进入1M DRAM的量产；1990年三星开始量产4M DRAM，并取

54、得市场的领先地位。三星选择DRAM为主力产品，是基于下述三项理由（Kim, 1998）：1. 市场规模DRAM市场规模很大，因此发展潜力大。三星曾经考虑SRAM，但因SRAM市场规模小而放弃。2. 日本经验日本半导体业亦以DRAM为主力产品，成功的以后进国追上美国的技术。3. 技术考量相对于微处理器（microprocessor）或特途用途（application-specific）IC而言，DRAM所需的设计技术较为单纯，三星认为在可行的范围之内。其它半导体业者在开始时或有不同考量，但后来都殊途同归。例如现代在开始时选择SRAM为主产品，以回避和日本业者的直接竞争，但后来难以有所突破，乃于1

55、985年转换轨道，改以DRAM为主产品，并以代工生产为主策略。自1986年开始，现代先后为通用器材（General Instrument）的EPROM及德仪（Texas Instruments）的256K DRAM代工，这项代工业务终于使现代自1988年开始转亏为盈。 金金星在开开始时选选择以逻逻辑产品品为主力力，产品品相当分分散，而而且以供供应企业业内的需需求为主主，但此此一策略略亦遭致致失败。金金星看到到三星在在DRAAM方面面的成功功，所以以也自119899年开始始转入DDRAMM的生产产。为了了追赶上上三星，金金星自日日本日立立公司引引进DRRAM技技术，并并且为日日立代工工生产。 韩

56、韩国半导导体厂以以DRAAM为主主力产品品，并在在市场占占有重要要地位。以以19998年为为例，三三星所生生产的DDRAMM在世界界市场的的占有率率为155.4%，居世世界第一一位；现现代的DDRAMM占有率率亦达111.44%，居居世界第第三位，LG的世界市场占有率则为7.9%，居世界第五位。三家韩国半导体厂合计，在DRAM市场的占有率为34.7%，稳居世界领先地位。 119988年韩国国因遭遇遇严重的的金融危危机，各各大财团团在政府府强力的的要求下下，纷纷纷进行大大幅度的的改革与与重整。由由于资金金取得困困难，加加上全球球半导体体市场仍仍不景气气，使得得19998年韩韩国半导导体大厂厂均减

57、缓缓投资的的脚步；但随着着19999年半半导体景景气的复复苏及韩韩国主要要产品DDRAMM价格的的大涨，使使得韩国国半导体体厂均大大赚其钱钱，并大大幅增加加对设备备及研发发的投资资，以三三星为例例，19999年年半导体体的设备备投资高高达188亿美元元，高于于任何一一家日本本半导体体大厂。韩韩国虽然然经过金金融风暴暴的洗礼礼，但幸幸运的是是刚好碰碰到半导导体的景景气复苏苏，让韩韩国厂商商有一喘喘息的机机会，而而设备投投资能力力的增加加已避免免其在国国际竞争争的赛局局中提早早出局。五、台湾的的主要厂厂商来自自.资料搜搜索网 . .5-1公司司概况 台台湾ICC厂商的的信用强强度差异异甚大。最最大

58、的两两家厂商商台积电电与联电电，独占占鳌头，不不论在客客户关系系、生产产管理、产产能以及及制程技技术上均均相当强强健。相相较之下下，部份份较小的的业者则则因仰赖赖统一规规格化的的DRAAM生产产，以及及庞大的的权利金金费用，因因此业务务风险较较高。5-2 台台湾主要要半导体体大厂5-2-11 台积积电 台台积电成成立于民民国19987年年，是世世界最大大的晶圆圆代工厂厂商，同同时也是是台湾半半导体代代工业务务的先锋锋。该公公司目前前拥有两两家6英吋的的晶圆厂厂与3家8英吋的的晶圆厂厂，并且且计划在在未来几几年内积积极的扩扩充产能能。台积积电过去去一向保保持强健健的资产产负债表表与高营营运获利利

59、，但最最近的财财务表现现仍免不不了受到到产业景景气趋缓缓的影响响。台积积电公布布19998年的的净获利利为新台台币1553亿元元，比前前一年的的新台币币1799亿衰退退。19998年年的总销销售收入入为新台台币5002亿元元，比前前一年的的4399亿元高高。5-2-22联电 联联电成立立之初，原原本以生生产计算算机及IIC通讯讯产品为为主，现现已转型型为专精精于晶圆圆代工的的厂商。联联电借着着与主要要的ICC设计公公司建立立合资关关系，以以确保未未来的晶晶圆代工工需求。未未来联电电将增加加三个00.255微米的的8吋晶圆圆厂，使使19999年的的8英吋晶晶圆生产产量应可可加倍成成长。联联电的净

60、净现金部部位相当当强，但但获利却却正在恶恶化。该该公司最最近向下下修正了了19998年的的税前获获利为新新台币442亿元元，较119977年减少少了577%。管管理阶层层认为获获利下降降是由于于全球DDRAMM需求的的不振，以以及单位位产品价价格与外外汇波动动所致。5-2-33 华邦邦电子 华邦电电子成立立于19987年年，属于于华新丽丽华集团团。该公公司的主主力产品品原本是是SRAAM（静静态随机机存取内内存），不不过，为为了追求求长期成成长及产产品多元元化，该该公司也也开始跨跨入DRRAM生生产领域域。在日日本东芝芝的技术术协助下下，华邦邦电子建建造了两两座8英吋的的晶圆厂厂，以生生产64