半导体材料(纯题目)

1、半导体材料码字较快,题目有问题自行修改一、绪论1、如何区分半导体、金属和绝缘体2、半导体材料的五大特征，每个特征的基本含义负电阻温度系数：随着温度的升高,电阻值下降。光电导效应：指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象.整流效应：某些硫化物的电导3、半导体有哪些主要的分类方式二、半导体材料基本特性1、本征半导体、P型、N型半导体2、PN 结、阻挡层、空间电荷区、耗尽层Pn 结：通过扩散作用，将 p 型和 n 型半导体制作在一块半导体基片上，交界面产生的空间电荷区就是pn 结空间电荷区：在pn结中，由于电子的扩散运动和内电厂导致的漂移运动，使pn结中间部位产生的一个很薄的电荷区3、价带、导

2、带、禁带、允带、满带4、多子、少子5、直接跃迁与间接跃迁直接跃迁：价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不变化 间接跃迁：价带的（完整 word 版）半导体材料（纯题目） 电子跃迁到导带时，不仅要求电子能量改变，准动量也要变化6、电导率、迁移率7、霍尔效应8、与光作用的形式三、元素半导体1、作为半导体，列举硅的两个主要应用领域2、硅和锗（zhe）是直接带隙还是间接带隙3、如何得到 N 型和 P 型的硅4、根据结晶特点，硅可以分为哪几类5、最常用的高纯化学提纯方法是什么,及其工艺流程6、硅物理提纯的原理是什么。（其中涉及的各种概念,如结晶驱动力、分凝系数、固溶体、正常固溶）7、

3、多晶硅如何制备8、单晶硅生长方法有哪些,其中最主流的方法是什么9、与硅相比,锗主要有哪些特点10、锗的应用四、化合物半导体1、111一 V族化合物中，被研究最多的是什么GaAs GaP2、宽带隙半导体主要有哪几种化合物ZnO Sic GaN AlN3、砷化镓晶体结构、物理特性、优势及应用闪锌矿结构，熔点1238度 密度5.32g/cm3，工作效率和速度快 具有更宽的温度特性 具有良好的抗辐 射能力, 应用：发光二极管无线通讯4、ZnO, SiC, GaN单晶生长中各自难度是什么ZnO熔点高，有强烈的极性析晶特性，高温易挥发。SiC没有熔点，在1800度升华为气态，C在Si熔体 的溶解度非常小。

4、GaN熔点高达2700度，但在1000度会分解用提拉法和熔盐法很难生长。5、ZnO半导体最重要的特性是什么能带隙和激子束缚能较大，带边发射在紫外区，非常适合作为白光LED的激发光源材料6、ZnO的生长方法有哪些助熔剂法 水热法 气相传输法坩埚下降法7、SiC和GaN各自的特性，举例说明其应用SiC禁带宽度大，高临界电厂，高热导率，高电子迁移速度，抗辐射，热稳性定好 应用：高频率功率器件, 大功率器件，高温器件 GaN 高频特性，高温特性，电子漂移饱和速度高介电常数小，热导性好，耐酸耐碱难 腐蚀 应用：GaN基蓝光LED GaN基蓝光LD，紫外探测器8、SiC和GaN各采用什么方法生长SiC： PVT法GaN：氢化物气相外延法，高压溶液法，液相助熔剂法五、太阳能电池制备工艺简介1、太阳能电池的工作原理是什么晶片收光后，pn结中N型半导体的空穴往P型移动，而P型中的电子往N型区移动，从而形成从N型区到 P 型区的电流，从而形成电势差，形成了电流2、太阳能电池的基本制备工艺流程去除损伤层，表面绒面化，发射区扩散，边缘结刻蚀，PECVD沉积SiN,丝网印刷正背面电极浆料，共烧形成金属接触,电池片测试3、画出单晶硅太阳能电池结构示意图4、为什么要进行表面绒化处理绒面具有