晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第1页
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_第2页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、 IC Inspection Electron IC Packaging）IC ceramicplastic以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die /die bond（ bondmold/trim/formplatinginspection）(1) die saw）die0.2 (2) die /die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy传输设备送至弹匣（magazine(3) 焊线（ ）IC Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit后整个集成电路的周围会向外

2、拉出脚架（Pin(4) 封胶（）(5) trim/form）dejunk (6) 印字（）及电镀（plating）(7) inspection）(8) Initial Test）(1) ）(2) die visual）(3) die attach）(4) lead strength）(5) stabilization bake）(6) cycle）(7) acceleration）(8) leak test）(9) burn-in） post-burn-in electrical testB. CVD CVD 外延片编批擦片前处理一次氧化 ） 一次光刻 涂覆 预淀积后处理 R R 检查单结测试

3、前处理 P 液） 检查前处理发射区氧化 检查（扩散（ CVD 检查（toxR）前处理 氢气处理三次光刻 检查追扩散双结测试前处理铝蒸发 检查前处理氮气合金氮气烘焙 ts 前处理一次氧化 tox 基区干氧氧化 基区扩散 Xj Xj、 R 检查单结测试前处理发射区干氧氧化 tox） R CVD tox 前处理铝蒸发 氮气烘焙正向测试五次光刻 编批擦片前处理一次氧化 tox）一次光刻 基区干氧氧化 Xj、 涂覆 预淀积后处理检查（基区氧化与扩散 检查（Xj、 R）二次光刻 前处理发射区氧化前处理发射区再扩散前处理 理前处理 退火三次光刻 tAl ts）ts）前处理五次光刻 ts 外延片编批擦片前处理一次氧化 N+光刻 干氧氧化 检查P+注入前处理N+扩散P+ 1 （LTO 2前处理LPCVD P+扩散特性光刻电容测试是否再加扩电容测试. 三次光刻 检查前处理铝蒸发 tAl 理 氢气合金氮气烘焙大片测试中测电容测试粘片减薄 P+N 外延片编批擦片前处理一次氧化 检查P+光刻 干氧氧化 检查前处理P+特性光刻扩散测试（反向测试）前处理是否要P+追扩三次光刻 处理铝蒸发 检查（tAl）四次光刻 P+编批擦片前处理一次氧化 检查（toxP+光刻 P+扩

人人文库> 全部分类> 办公材料 > 办公文档

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论