半导体三极管R2

1、模拟电子技术基础信息科学与工程学院基础电子教研室五、 稳压二极管及应用稳压管的符号3. 稳压管的稳压条件必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。【】内容回顾1.3.1 晶体管的结构和类型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极bec【】内容回顾1.3 双极型晶体管PNP型注意：NPN型与PNP型三极管符号的区别【】内容回顾NPN型发射极箭头的方向为射极电流的方向1.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件:共射放大电路发射结: 正向偏置晶体管的放大作用:小的基极电流可以控制大的集电极电流集电结: 反向偏置NNP1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发

2、射极电流IE2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC一、晶体管内部载流子的运动IBIC晶体管的电流分配关系共射直流电流放大系数晶体管的电流分配关系共射直流电流放大系数共射交流电流放大系数通常认为：晶体管的电流分配关系IBICIEIBICIE1.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 【】内容回顾1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC一、晶体管内部载流子的运动

3、二、晶体管的电流分配关系1.3.3 晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+- 实验线路mAAVVRBECEBRC1. 输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8导通电压： 硅管(0.7V) UBE0.60.8V,锗管(0.2V) UBE0.10.3V。开启电压：硅管0.5V，锗管0.1V。UCE增大，特性曲线右移；当UCE1V后，曲线基本不变化IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域(截止区) IB=0, IC=ICEO0,UBE0 UCEUBEIC只与IB有关，IC=IB发射结正偏，集电结反偏。IC(mA )1234U

4、CE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域(饱和区) ：UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCES0.3VUCES临界饱和线发射结正偏，集电结正偏。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系： IC=IB , 且 IC = IB 电压关系： （NPN) （PNP）(3) 截止区： UBEIC 电压关系： （NPN) （PNP) UCES 0.3V1.3.4 晶体管的主要参数一、直流参数二、交流参数1. 共射直流电流放大系数2. 共基直流电流放大系数1. 共射交流电流放大系数= =常数 2. 共基交流电流放大系数 = =常数 通常认为： ，三、极

5、限参数1. 最大集电极耗散功率PCM3. 特征频率fT ： 使的数值下降到1的信号频率。2. 最大集电极集电极电流ICM3. 极间反向击穿电压1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响温度升高时， ICBO增大。二、温度对输入特性的影响三、温度对输出特性的影响温度升高时，特性曲线上移温度升高时， 特性曲线左移0.7V4V00.7V0.3V0 0 4V00.7V0 4V【例1 】判断以下三极管的工作状态。放大饱和截止倒置【例2】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。解题思路(1)三极管处于放大状态(2)确定基极和发射极(3)确定三极管为硅管还是锗管(4)确定为何种类型作业：P70 1.9【例2】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。硅管硅管硅管锗