模拟电子重点技术随堂练习

1、模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件N型半导体日勺多数载流子是电子，因此它应（）。带负电 B.带正电 C.不带电参照答案：C将PN结加合适勺反向电压，则空间电荷区将（）。变窄 B.变宽 C.不变参照答案：B二极管勺死区电压随环境温度勺升高而（）。增大 B.不变 C.减小参照答案：C4.电路如图所示，设所有二极管均为抱负元件，当输入电压ui=10sin囹tV时，输出电压最大值为5.电路如图所示，D1，D2均为抱负二极管，设U1=10V，ui=40sin3tV,则输出电压uO应为（）。最大值为40V，最小值为0V最大值为40V，最小值为+10V最大值为10V，最小值为一40V最大值为10V，最

2、小值为0V参照答案：D稳压管勺动态电阻rZ是指（）。稳定电压匿与相应电流IZ之比稳压管端电压变化量圈UZ与相应电流变化量囚IZ日勺比值稳压管正向压降与相应正向电流日勺比值 参照答案：B在放大电路中勺晶体管，其电位最高勺一种电极是（）。PNP管勺集电极B.PNP管勺发射极C.NPN管勺发射极D.NPN管勺基极参照答案：B已知放大电路中某晶体管三个极勺电位分别为VE=-1.7V, VB=-1.4V, VC=5V,则该管类型为 （）。A.NPN型错管 B.PNP型错管C.NPN型硅管 D.PNP型硅管参照答案：A第2章基本放大电路如果变化晶体管基极电压勺极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流

3、 （）。A.反向B.近似等于零C.不变 D.增大参照答案：B晶体管处在饱和状态时，集电结和发射结勺偏置状况为（）。发射结反偏，集电结正偏发射结、集电结均反偏发射结、集电结均正偏发射结正偏、集电结反偏参照答案：C晶体管勺电流放大系数回是指（）。工作在饱和区时勺电流放大系数工作在放大区时勺电流放大系数工作在截止区时勺电流放大系数参照答案：B低频小功率晶体管勺输入电阻rbe等于（）。日300。十（1十逢竺MLA I B. I L300Q +C.l参照答案：B某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC,根据图中日勺数据判断该管处在（）。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参照答案：B某场效应管勺漏极特

4、性曲线如图所示，则该场效应管为（）。P沟道耗尽型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道增强型MOS管N沟道耗尽型MOS管参照答案：B已知某场效应管勺漏极特性曲线如图所示，则此管子勺夹断电压阻虽约为（ ）。A.0V B. +2V C. -2V D. 1V参照答案：C）。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V如图示放大电路中接线有错误勺元件是（RL B.RB C.C1 D.C2）。参照答案：B参照答案：C）。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V如图示放大电路中接线有错误勺元件是（RL B.RB C.C1 D.C2

5、）。参照答案：B已知某场效应管日勺漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V,UGS=0V处日勺跨导gm约为（放大电路如图所示，由于RB1,和RB2阻值选获得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真， 对勺勺做法是（）。合适增长RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，合适增长RB2C.合适增长RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，合适减小RB1参照答案：C5mA.，RB参照答案：C5mA.，RB应取（）。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW图示电路，已知晶体管加二即I, I凡二狂可，忽视UBE，如要将集电极电流IC调节到1.参照答案：A）。电路如图所示，若晶体管日勺发射结

6、被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）。6V B.0V C.0.6V D.5.3V参照答案：A）。某固定偏置单管放大电路勺静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q需使（）。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参照答案：C14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载日勺对日勺画法是图2中日勺（）。对放大电路进行动态分析勺重要任务是（）。A.拟定静态工作点Q B.拟定集电结和发射结勺偏置电压C.拟定电压放大倍数囚和输入，输出电阻ri, r0。参照答案：C某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，导致这种失真日勺因素是（）。A.管子勺网

7、值太小B.电路电源电压虫太高C.偏置电阻匾太小D.偏置电阻国太大曲曲参照答案：C如图所示勺放大电路（）。不能稳定静态工作点。能稳定静态工作点，但比无二极管D勺电路效果要差。能稳定静态工作点且效果比无二极管D勺电路更好参照答案：C与共射单管放大电路相比，射极输出器电路日勺特点是（）。入.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高。输入，输出电阻都很高。.输入，输出电阻都很低参照答案：A27场效应管放大电路如下图所示，该电路勺电压放大倍数（）。A.不不小于但近似等于1 B.约几十倍C.为兵参照答案：A某两级阻容耦合共射放大电路，不接第二级时第一级勺电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级

8、电压放大倍数降为50倍，第二级勺电压放大倍数为50倍，则该电路总电压放大倍数为（）。A.5000 倍 B.2500 倍 C.150 倍 D. 1000 倍参照答案：B两级阻容耦合放大电路中，第一级勺输出电阻是第二级勺（）。A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻参照答案：B两级阻容耦合放大电路中，若变化第一级静态基极电流IB1，则（ ）。A.第二级勺基极电流曲随之而变化b.第二级勺静态值（匾，S3，匹）均不变化。第二级勺静态电流圈不变化，但匹要变化参照答案：B直流放大器中日勺级间耦合一般采用（）A.阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合 （d）电感抽头耦合 参照答案：C第3章多级放大电路差分放大

9、电路勺作用是（）放大差模信号，克制共模信号放大共模信号，克制差模信号放大差模信号和共模信号差模信号和共模信号都不放大参照答案：A集成运放输入级一般采用勺电路是（）。A.差分放大电路（b）射极输出电路（c）共基极电路（d）电流串联负反馈电路参照答案：A集成运放勺电压传播特性之中勺线性运营部分勺斜率愈陡，则表达集成运放勺（）。A.闭环放大倍数越大（b）开环放大倍数越大（c）克制漂移勺能力越强（d）对放大倍数没有影响参照答案：B若集成运放勺最大输出电压幅度为UOM，则在 状况下，集成运放勺输出电压为一UOM。同相输入信号电压高于反相输入信号同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈反相输入信号电

10、压高于同相输入信号，并引入负反馈反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环参照答案：D第一空电路勺输入阻抗大，第二空电路勺输入阻抗小。第一空选择为（）A.反相比例 B.同相比例C.基本积分D.基本微分参照答案：B第一空电路勺输入阻抗大，第二空电路勺输入阻抗小。第二空选择为（）A.反相比例 B.同相比例C.基本积分D.基本微分参照答案：A在第一空电路中，电容接在集成运放勺负反馈支路中，而在第二空 电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。第一空选择为（）A.反相比 B.同相比例C.基本积分D.基本微分参照答案：C在第一空电路中，电容接在集成运放勺负反馈支路中，而在第二空 电路中，电容接在输入端，负

11、反馈元件是电阻。第二空选择为（）A.反相比 B.同相比例C.基本积分D.基本微分参照答案：D某一抱负运算放大器开环工作，其所接电源电压为瓯，当输入对地电压囚日时日勺输出电压国为（ ）。A. -2U B. -U C.+2U D.+U参照答案：D抱负运算放大器勺共模克制比为（）。A.零 B.约120dB C.无穷大参照答案：C抱负运算放大器勺开环电压放大倍数国是（）。A.无穷大B.零C.约120dB参照答案：A抱负运算放大器勺开环差模输入电阻rid是（）。A.无穷大 B.零 C.约几百千欧D.约几十欧姆参照答案：A第4章集成运算放大电路电路如下图所示，R1、R2支路引入勺反馈为（）。A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈-I 一 4+ I n * * 参照答案：B在运算放大器电路中，引入深度负反馈勺目勺之一是使运放（）。H作在线性区，减少稳定性X作在非线性区，提高稳定性X作在线性区，提高稳定性参照答案：C放大电路如下图所示，当RF增长时，该电路勺通频带（）。A.变宽B.变窄C.不变rjC?参照答案：B）。比例运算