计算机电路基础讲解课件

1、计算机电路基础讲解计算机电路基础讲解半导体基本知识半导体：定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质材料:常见硅、锗硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密结合在一起。 半导体基本知识半导体：本征半导体本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子不能挣脱共价键而参与导电，因此不导电。随T上升晶体中少数的价电子获得能量。挣脱共价键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。自由电子：负电荷空穴：正电荷不导电自由电子与空穴成对出现/复合本征半导体本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子不能挣脱杂质半导体杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质。导电性能发生变化N型半导体P型半导体

2、杂质半导体杂质半导体：N型半导体/电子型半导体定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑）自由电子（多子）：掺杂+热激发空穴（少子）：热激发N型半导体/电子型半导体定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑） P型半导体/空穴型半导体定义：硅晶体中掺入三价元素（硼、铟）自由电子（少子）：热激发空穴（多子）：掺杂+热激发总结：多子：掺杂（主）+热激发少子：热激发（主） P型半导体/空穴型半导体定义：硅晶体中掺入三价PN结的形成 多子扩散运动形成耗尽层空穴浓度： P区N区；自由电子：P区浓度低扩散，扩散到对方复合，交界区仅剩正负离子形成耗尽层/阻挡层/空间电荷区/内电场EIN。 少子漂移运动 内电场的存在，阻止了

3、多子的扩散，P区的少子电子，N区少子空穴， 内电场作用下向对方移动漂移。总结：PN结中存在：由浓度差引起的多子扩散运动，它使阻挡层变宽；由内电场作用下产生的少子漂移运动，它使阻挡层变窄。当两者强度相当时，达到动态平衡。PN结的形成 多子扩散运动形成耗尽层思考 ：PN结内部存在电场，若将P区与N区端点用导线连接，是否有电流流过？无电流流过在无外电压的条件下，扩散电流=漂移电流，且方向相反，处于平衡状态，所以流过交界面的静态电流为0。思考 ：PN结内部存在电场，若将P区与N区端点用导线连接，是（一） PN结的单向导电性1 加正向电压（正向偏置）P区接电源正极，N区接电源负极。外电场EEXT与内电场

4、EIN方向相反。即削弱了内电场，空间电荷区变窄，有利于多子扩散，不利于少子漂移，使扩散电流大大超过了漂移电流，于是回路形成较大的正向电流IF。EEXT EIN 导通（一） PN结的单向导电性1 加正向电压（正向偏置(一)PN结的单向导电性 2. 加反向电压（反向偏置）P区接电源负极，N区接电源正极。外电场EEXT与内电场EIN方向相同。即加强了内电场，空间电荷区变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移，使漂移电流超过扩散电流，于是回路中形成反向电流IR。因为是少子产生，所以很微弱。PN结截止(一)PN结的单向导电性 2. 加反向电压（反向偏（一） PN结的单向导电性总结：PN结具有单向导电性，当正

5、向偏置时，有较大的正向电流，电阻很小，成导通状态，反向偏置时电流很小（几乎为0）。电阻很大，成截止状态。（一） PN结的单向导电性总结：PN结具有单向导电性，PN结的伏安特性 正向特性（u0）UON：开启/导通电压硅：0.5V 锗：0.1V 反向特性 (u0）半导体二极管 A：阳极/正极 K：阴极/负极二极管的伏安特性与PN结伏安特性一致。 二极管主要参数：1 最大整流电流IF2 反向击穿电压U（RB）3 反向电流IR4 最高工作频率FT 和反向恢复时间tre5、 温度影响半导体二极管 A：阳极/正极 K：阴极/负极限幅电路如图示：假设输入UI为一周期性矩形脉冲，低电压UIL=-5V，高电压U

6、IH=5V。当输入UI为-5V时，二极管D截止，视为“开路”，输出UO=0V。 当输入UI为+5V时，二极管D导通，由于其等效电阻RD相对于负载电阻R的值小得多，故UI基本落在R上，即UO=UI=+5V。限幅电路如图示：假设输入UI为一周期性矩形脉冲，低电压UIL稳压管及其应用工作在反向击穿状态，输出稳定值与普通二极管相反，阴极：高；阳极：低如图：稳压值5.6V，IZ：5mA82mA，分析电路不接RL时 ，IL=0，I1=IZD ，RMIN=(12-5.6)/IZM=78 ，若选R=82 ，I1MAX=(12-5.6)/82=78mA保证IZD5mA ，ILMAX=I1MAX-5=78-5=7

7、3mA， RLMIN=5.6/73=75 ，只要负载电阻RL大于75 ,其上可获得稳定的5.6伏输出电压。 稳压管及其应用工作在反向击穿状态，输出稳定值半导体三极管材料：硅、锗分类：NPN、PNP组成：三极：发射极e、基极b、集电极c 两结：发射结、集电结半导体三极管材料：硅、锗三极管放大原理要求：发射结正偏，集电结反偏发射区向基区发射电子电子在基区中扩散与复合电子被集电极收集三极管放大原理要求：发射结正偏，集电结反偏输出特性曲线截止区：BEUON iB0,iC0放大区：BEUON （硅： 0.5V；锗：0.3V）IC=IB饱和区：BEUON II截止区输出特性曲线截止区：BEUON iB0,

8、iC0截止三极管主要参数共发射极电流放大系数集电极-发射极击穿电压UCEO集电极最大电流ICM最大功率PCM特征频率fT集电极-发射极饱和压降UCES三极管主要参数共发射极电流放大系数例开关电路如图所示.输入信号U1是幅值为5V频率为1KHZ的脉冲电压信号.已知 =125,三极管饱和时UBE=0.7V,UCES=0.25V.试分析电路的工作状态和输出电压的波形 例开关电路如图所示.输入信号U1是幅值为5V频率为1KHZ的三极管的三种接法共射极电路：共基极电路:共集极电路（射极跟随器）三极管的三种接法共射极电路： MOS场效应管压控电流源器件分类：增强型、耗尽型PMOS管、NMOS管特性曲线转移

9、特性曲线输出特性曲线 MOS场效应管压控电流源器件MOS场效应管的主要参数直流参数：开启电压 UTN，UTP输入电阻 rgs交流参数：跨导gm导通电阻Rds极间电容MOS场效应管的主要参数直流参数：例NMOS管构成反相器如图示,其主要参数为UTN=2.0V，gM=1.3MA/V，rDS(ON)=875，电源电压UC=12V。输入脉冲电压源辐值为5V,频率为1KHZ。试分析电路的工作状态及输出电压UO的波形。 (1)uI=0V，uCS=uI(0)UNT 管子导通uDS=UC*rDS(ON)/(rDS(ON)+R1)=0.9V.例NMOS管构成反相器如图示,其主要参数为UTN=2.0V，本章小结开关特性：二极管、三极管、MOS管三种管子的特性曲线与主要参数本章小结开关特性：二极管、三极管、MOS管重点和难点 重点： 、理解PN结的单向导电性。 、理解三极管的电流放大作用及实现电流作用的外部工作条件。理解三极管的输入特性和输出特性以及主要参数。 、掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。 、熟