芯片产业链概述

1、芯片产业链介绍第1页目 录1234芯片原材料介绍5芯片制造背景介绍芯片设计芯片封测6投资分析第2页 集成电路定义 集成电路是将电阻、电容、二极管、三极管经过半导体工艺或薄、厚膜工艺制作在同一硅片上，并按某种电路形式互连起来，制成含有一定功效电路。集成电路特点 同分立元器件相比，集成电路含有体积小，重量轻，功耗低，性能好，可靠性高，成本低等特点，是当前电子产品和设备小型、便携式所必需。 集成电路泛指全部电子元器件，是在硅板上集合各种电子元器件实现某种特定功效电路模块。它是 电子设备中最主要部分，负担着运算和存放功效。一、背景介绍1.1 半导体集成电路概念第3页 芯片种类繁多，品种各异，可按不一样

2、方式进行分类。1.2.1 按照制造工艺分类 芯片按其制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路和混合集成电路。用平面工艺（氧化、光刻、扩散、外延）在半导体晶片上制成集成电路称为半导体集成电路，也称为单片集成电路。用薄膜工艺（真空蒸发、溅射）将电阻、电容等无源元件及相互连线制作在同一块绝缘衬底上，再焊接上晶体管管芯，使其含有一定功效电路，称为薄膜集成电路。用厚膜工艺（丝网印刷、烧结）将电阻、电容等无源元件及相互连线制作在同一块绝缘衬底上，再焊接上晶体管管芯，使其含有一定功效电路，称为厚膜集成电路。1.2 集成电路分类在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件二极

3、管、三极管等有源器件，使之组成一个整体，这便是混合集成电路。一、背景介绍第4页1.2.2 按照有源器件分类 芯片按有源器件可分为双极型集成电路、MOS型集成电路和双极-MOS（BIMOS）型集成电路等双极型集成电路是在半导体基片（硅或锗材料）上，利用双极型晶体管组成集成电路，其内部工作时由空穴和自由电子两种载流子进行导电。MOS型集成电路只有空穴或自由电子一个载流子导电。它又可分为NMOS型集成电路、PMOS型集成电路和CMOS型集成电路三种。双极型-MOS型集成电路（BIMOS）是双极型晶体管和MOS电路混合组成集成电路。普通前者作为输出级，后者作为输入级。双极型电路驱动能力强，但功耗较大，

4、MOS电路则相反，双极型-MOS型集成电路兼有二者优点。一、背景介绍第5页1.2.3 按照集成度分类 芯片按其集成度可分为小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路和极大规模集成电路。规模小规模中规模大规模超大规模特大规模巨大规模理论集成度*1010010100010310510510610610916109商业集成度101010001032104210551055105108代表作品门电路触发器计数器加法器8位微处理器16位、32位微处理器图像处理器SOC高档处理器*注：1.集成电路单个电路芯片集成元件数一、背景介绍第6页1.2.4 按照应用领域分类 芯片按照应用领域可

5、分为军用具、民用具（又称商用）和工业用具三大类。因为军用具主要用在军事、航空、航天等领域，使用环境恶劣，装置密度高，对集成电路可靠性要求极高，对价格要求不太苛求。因为民用具主要用在人们日常生活中，使用条件很好，只要能够满足一定性能指标要求即可。但对价格要求较高，最大程度地追求高性能价格比。这是产品能否占领市场主要条件之一。工业用具介于二者之间。一、背景介绍第7页1.2.5 按照功效分类 芯片按功效分类以下：半导体集成电路数字电路模拟电路接口电路特殊电路TTL电路HTL电路ECL电路CMOS电路存放器微型机电路运算放大器稳压器音响电路电视电路非线性电路电平转换器电压比较器线驱动接收器外围驱动器通

6、信电路机电仪电路消费类电路传感器一、背景介绍第8页一块芯片诞生大致会经历以下几个步骤：原材料设计-晶圆制造-封装-测试。所以芯片关键产业链按可分为以下几块：1. 原材料2. 设计（Fabless）*3. 制造（Foundry）4. 封装5. 测试*注：以美国为首北约签署瓦森纳协议限定高科技（包含芯片）出口中国。一芯片ADC为例，合约中要求精度大于14bit（失真率1/16384）、100M不允许出口中国。1.3 芯片产业链概述一、背景介绍第9页目 录1234芯片原材料介绍5芯片制造背景介绍芯片设计芯片封测6投资分析第10页11芯片制造工艺介绍：二、芯片原材料介绍硅提纯切割晶圆影印蚀刻重复分层封

7、装屡次测试掩膜版光刻胶、高纯化学试剂、靶材、化合物半导体电子气体、抛光材料第11页12晶圆（硅晶片） 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用硅晶片，因为其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功效之IC产品。晶圆原始材料是硅。晶圆制造过程 硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆制造能够归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。硅提炼及提纯沙石原料温度：，有C源存在电弧熔炉高温作用C+SiO2（砂石中）化学反应C与O结合，剩下Si纯度98%纯硅冶金级硅粉碎冶金级硅进行氯化反应气态HCI投入液态硅烷蒸馏、化学还原99.99

8、9999999%多晶硅电子级硅深入提纯二、芯片原材料介绍单晶硅生长、晶圆成型中国半导体制造用硅材料销售收入（亿元）第12页13掩膜版 在半导体制造整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆（wafer）制造中间一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接关键部分，是流程中造价最高一部分，也是限制最小线宽瓶颈之一。 掩膜版 二、芯片原材料介绍掩膜版制作流程 第13页14光刻胶 光刻胶是光刻工艺关键材料，又称光致抗蚀剂，它是一个对光敏感有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中溶解度会发生改变。 光刻胶分类1、依据光刻胶按照怎样响应紫外光特征能够分为两类正胶：曝光前对显影液不可溶，而曝

9、光后变成了可溶，能得到与掩膜版遮光区相同图形负胶：曝光前对显影液可溶，而曝光后变成了不可溶，能得到与掩膜版遮光区不一样图形 我国光刻胶销售收入（亿元） 2、依据光刻胶能形成图形最小光刻尺寸来分传统光刻胶（正胶和负胶） 适合用于紫外光（UV），I线365nm、H线405nm和G线436nm，关键尺寸在0.35um及其以上。化学放大光刻胶 适合用于深紫外光（DUV），KrF准分子激光248nm和ArF准分子激光193nm。二、芯片原材料介绍第14页15高纯化学试剂 超净高纯试剂在国际上称为工艺化学品，是集成电路和超大规模集成电路制作过程中关键性基础化工材料之一。高纯化学试剂用途用于硅圆片工艺加工过

10、程中硅片清洗。 硅圆片在进行工艺加工过程中，经常会被不一样杂志所玷污，因为各种玷污可引发IC芯片产率下降50%左右，为了取得高质量、高产率集成电路芯片，必须去除硅圆片表面各类沾染物。用于芯片制造中涂胶前湿法清洗和光刻过程中湿法蚀刻及最终去胶。高纯化学试剂产品酸类产品 硝酸、盐酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、过氧化氢、冰乙酸等碱类产品 氢氧化铵、氟化铵、氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、胆碱等 腐蚀剂产品 我国高纯试剂企业销售收入（亿元） 氟化铵腐蚀液（BOE）、铝腐蚀液（PES）、硅腐蚀液（MAE）、混合酸（3F）、混合酸（4F）、铬腐蚀液、钼腐蚀液、镍银腐蚀液、钛腐蚀液、酸性剥离液等有机溶剂产品 甲醇、乙

11、醇、异丙醇、丙酮、戊酮等其它产品 去毛剂、漂洗液、剥离液、光刻胶配套试剂、正胶显影液、负胶显影液、高纯清洗剂等。二、芯片原材料介绍第15页16电子气体 电子气体是发展集成电路、光电子、微电子，尤其是超大规模集成电路、液晶显示器件、半导体发光器件和半导体材料制造过程中不可缺乏基础性支撑源材料，它被称为电子工业“血液”和“粮食”，它纯度和洁净度直接影响到光电子、微电子元器件质量、集成度、特定技术指标和成品率，并从根本上制约着电路和器件准确性和准确性。电子气体分类按纯度等级分： 纯电子气体、高纯电子气体、半导体特殊材料气体按规模等级和使用场所分： 电子级、LSI（大规模集成电路）级、VLSI（超大规

12、模集成电路）级、ULSI（特大规模集成电路）级 按纯度分 按规模等级分 我国电子气体企业销售收入（亿元）二、芯片原材料介绍第16页17抛光材料 化学机械抛光工艺是一个平坦化处理过程，旋转工件以一定压力压在随工作台一起旋转抛光垫上，由磨粒和化学氧化剂等配成抛光液在晶片与抛光垫间流动，在工件表面产生化学反应，生成易于去除氧化表面，再经过机械作用将氧化表面去除。最终，去除产物被流动抛光液带走，露出新表面，若干次循环去除后最终取得均匀平坦化晶圆表面。 抛光过程 抛光材料细分市场份额 抛光材料分类 我国抛光材料企业销售收入（亿元）二、芯片原材料介绍材料类型优点备注抛光垫硬质比很好地确保表面平整度包含各种

13、粗布垫、纤维织物垫、聚乙烯垫等-软质可取得加工变质层和表面粗糙度都很小抛光表面包含聚氨酯垫、细毛毡垫、各种绒毛布垫等抛光液酸性含有可溶性好、酸性范围内氧化剂较多、抛光效率高等优点惯用于抛光金属材料，比如铜、钨、铝、钛等-碱性含有腐蚀性小、选择性高等优点惯用于抛光非金属材料，比如硅、氧化物及光阻材料等第17页18靶材 镀膜靶材是经过磁控溅射、多弧离子镀或其它类型镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功效薄膜溅射源。 靶材 靶材分类 我国溅射靶材企业销售收入（亿元）二、芯片原材料介绍分类方法应用实例应用领域半导体膜、介质膜、光学膜、玻璃镀膜材质金属靶材（AI、Sn、Zn、Ti、Ni、Cr、Z

14、r、Ir、Ag、Au、Pt、Hf、Nb、Cu、W、Mo、To等）合金靶材（金铟、不锈钢、铜锡、镍铬、钛铝、钛锆、钛金、金银、金镍、金靶、钨钼等）磁性靶材（纯铁、坡莫合金等）氧化物靶材（氧化铟锡、陶瓷等）靶材形状板状、管状、线装、棒状第18页19化合物半导体 由两种或两种以上元素材料以确定原子配比形成化合物，并含有确定禁带宽度和能带结构等半导体性质称为化合物半导体材料。砷化镓一个主要半导体材料。属III-V族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.6510-10m，熔点1237，禁带宽度1.4电子伏。用砷化镓制成半导体器件含有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。磷化铟性状：

15、沥青光泽深灰色晶体熔点：1070。闪锌矿结构，常温下带宽1.35eV。溶解性：极微溶于无机酸磷化镓人工合成化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体一个由n从族元素镓（Ga）与vA族元素磷（P）人工合成m-V族化合物半导体材料氮化镓一个含有较大禁带宽度半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管优良材料，也是蓝色光发光器件中一个含有主要应用价值半导体碲镉汞是由II-VI族化合物碲化镉和碲化汞组成三元固溶体半导体二、芯片原材料介绍第19页目 录1234芯片原材料介绍5芯片制造背景介绍芯片设计芯片封测6投资分析第20页 一款芯片设计开发，首先确定产品应用需求，之后进入系统开发和原型验证阶段。系

16、统开发和原型验证经过后，就进入芯片版图设计实现阶段，就是数字后端、与模拟版图拼接。芯片版图经过各种仿真验证后就能够生成GDS文件，发给代工厂进行加工。3.1 芯片设计流程三、芯片设计第21页芯片硬件设计包含：1功效设计阶段2设计描述和行为级验证3逻辑综合4门级验证5布局和布线3.2 芯片硬件设计三、芯片设计第22页 半导体软件主要应用在Fabless IC设计流程中，设计完产品规格后，要硬体描述语言将电路描写出来，然后将合成完程式码再放入EDA tool，进行电路布局与绕线，该服务软件几乎均使用同一家软件（Cadence设计企业），当前几乎垄断状态。3.3 芯片设计软件三、芯片设计第23页 物

17、联网、汽车电子、虚拟现实等新兴领域应用需求市场拉动设计业快速成长。我国集成电路设计业销售规模到达1518.5亿元。 从产品领域分布来看，设计业主要产品分布在通信（物联网、可穿戴设备、汽车电子等）、消费电子和多媒体三大领域，占据了78%市场份额。海思、展讯、中兴微电子三家企业销售总额到达445亿元，占该领域64.6%。八大领域中，模拟、功率、导航芯片额营收业出现下降，主要是汽车电子领域高端芯片仍被国外垄断，国内设计企业赢利能力不强。3.4 芯片设计行业现实状况三、芯片设计第24页Fabless就是IC设计企业，没有自己加工厂和封测厂，IC产品生产只能依靠专门制造商和封装测试厂商世界集成电路前10

18、大设计企业营业收入排名以下表所表示：排名企业名称国家/地域营业收入（百万美元）1高通美国152842博通新加坡141663联发科中国台湾89224英伟达美国45855超微美国41836华为海思中国大陆39787迈威尔美国14028赛灵思美国23009紫光展锐中国大陆191210联咏科技中国台湾14833.5 芯片设计企业现实状况三、芯片设计*注1：欧洲NXP半导体企业在互联汽车、汽车电子方面表现最为突出，.10.28被高通收购。 2：当前国外芯片设计技术处于领先地位，并对中国高端技术实施严格封。第25页目 录1234芯片原材料介绍5芯片制造背景介绍芯片设计芯片封测6投资分析第26页4.1.1

19、晶圆制造过程 四、芯片制造- CZ法直拉单晶炉结构- 切片工艺示意- 圆边工艺示意-4.1 晶圆制造第27页4.1.2 晶圆制造厂现实状况-年排名厂家国籍营收（亿$）备注1信越（Shin-Etsu）日本21.652Sumco日本19.653Siltronic德国10.434SunEdison美国7.785LG Silitron韩国7.076环球晶圆台湾7.31收购美国SunEdison居第三7Soitec法国2.658合晶台湾1.68研究数据显示硅晶圆市场基本被日韩厂商垄断，五大供货商全球市占率到达了92%，其中信越半导体市占率27%，胜高科技（SUMCO）市占率26%，环球晶圆收购美国Sun

20、Edison后占率17%，Silitronic（德国）市占率13%，LG市占率9%。 四、芯片制造第28页4.1.3 晶圆制造过程主要设备- 直拉单晶炉国内设备厂性质业务范围年产值凯克斯浙大机电与KAYEX合资IC及光伏设备-上虞晶盛技术同上IC及光伏设备10.9亿西安理工校办工厂-京运通西安理工技术，民企光伏设备18.13亿华盛天龙西安理工技术，民企光伏设备1.5亿京仪世纪西安理工技术，国企晶体生长及加工，暖通设备-上海汉虹中日合资晶体生长及加工设备-西安华德晶体设备西理、PVA TePlaAG合资工程设备-北方华创国企半导体、真空装备、锂电池，精密元件。16.22亿宁晋阳光晶体设备中奥合资

21、光伏设备-国外设备厂性质业务范围PVA TePla AG德国工程设备及半导体设备KAYEX美国世界五百强SPX子企业，电子和太阳能直拉单晶炉设备供给商。Ferrotec日本半导体设备，电子元器件，家电产品。（上海，杭州分企业）- CZ法直拉单晶炉- 四、芯片制造第29页4.1.4 晶圆制造过程主要设备-内圆切片机/切片研磨一体机国内设备厂性质业务范围年产值中电科四十五所科研所电子器件工艺设备技术、整机研发和制造。-浙江晶盛技术与浙大同源IC及光伏设备10.9亿京运通西安理工技术，民企光伏设备（西门子控制系统）18.13亿华盛天龙西安理工技术，民企光伏设备1.5亿京仪世纪西安理工技术，国企晶体生

22、长及加工，暖通设备-上海汉虹中日合资晶体生长及加工设备-西安华德晶体设备西理、PVA TePlaAG合资工程设备-国外设备厂国别业务范围瑞士M&B瑞士-日本TOKYO日本-日立日本汽车、家电、半导体综合企业-单晶硅切方滚磨机-半导体单晶硅截断机- 四、芯片制造第30页4.1.5 晶圆制造过程主要设备-外延设备气相外延（VPE）将含有外延元素的气态或液态前驱物的蒸汽在衬底表面上，通过热分解与化学反应生成薄膜的过程。液相外延（LPE）由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。固相外延（SPE）指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。分子束外延（MBE）是

23、一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。国外企业国内企业法国 Riber沈阳中科仪器美国 Veeco北京汇德信科技芬兰DCA Instruments绍兴匡泰仪器设备美国SVTAssociates沈阳科友真空技术美国NBM中微半导体设备德国Omicron德国MBE-Komponenten英国Oxford Applied Research 四、芯片制造第31页4.2.1 集成电路制造基础工艺IC制造基础工艺增层（Layering）光刻 (Patterning)掺杂 (Doping)热处理 (Heat Treatments) 增层：在晶圆表面形成薄膜加

24、工工艺。集成电路制造企业使用四种最基本工艺方法经过大量工艺次序和工艺改变制造出特定芯片。这些基本工艺方法是增层、光刻、掺杂、热处理。 光刻：经过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜特定部分除去工艺。掺杂：将特定量杂质经过薄膜开口引入晶圆表层工艺制程。热处理：简单地将晶圆加热和冷却来到达特定结果制程。4.2 集成电路（IC） 制造 四、芯片制造第32页4.2.2 集成电路制造过程增层工艺设备- 氧化炉 氧化炉为半导体材料进行氧化处理，提供要求氧化气氛，实现半导体预期设计氧化处理过程，是半导体加工过程不可缺乏一个步骤。国内设备厂性质业务范围年产值北方华创国企刻蚀、气相沉淀，清洗设备16.22亿青岛福润德民

25、企半导体专用设备，列车设备-中电科四十八所国企微电子，半导体，光伏，窑炉。小规模青岛旭光仪表民企控制、真空、热工技术小规模中电科四十五所国企电子器件工艺设备技术、整机研发和制造。-国外设备厂性质业务范围Thermco Systems企业英国扩散炉、LPCVD、氧化炉、退火炉、合金化炉。Centrotherm Thermal Solutions GmbH Co.KG 企业德国半导体器件，电子元件 ，电子电气设备 ，化学药品和化装品 。 四、芯片制造第33页4.2.3 集成电路制造过程增层工艺设备-低压化学气相淀积系统（LPCVD）国内设备厂性质业务范围年产值北方华创国企半导体、真空装备、锂电池，

26、精密元件。16.22亿中电科四十八所研究所国家微级电子、太阳能电池、光电材料、电力电子、磁性材料专用设备研发及生产专业机构。小规模中电科四十五所研究所国内专门从事电子元器件关键工艺设备技术、设备整机系统以及设备应用工艺研究开发和生产制造国家重点科研生产单位。-国外设备厂性质业务范围semco 韩国从事消费性电子、半导体制造、面板、家电等业务，三星子企业。日立日本半导体，家电，汽车等行业综合企业。Applied Materials美国应用材料企业是当前世界上最大半导体设备厂家，业务范围广泛，包含半导体，平板，及太阳能相关设备。 四、芯片制造第34页4.2.4 集成电路制造光刻工艺设备-光刻机国内

27、设备厂性质业务范围备注中电科四十八所研究所国家微级电子、太阳能电池、光电材料、电力电子、磁性材料专用设备研发及生产专业机构。-中电科四十五所研究所国内专门从事电子元器件关键工艺设备技术、设备整机系统以及设备应用工艺研究开发和生产制造国家重点科研生产单位。-上海微电子装备国企SMEE主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备开发、设计、制造、销售及技术服务。低端光刻机国外设备厂性质业务范围ASML企业荷兰ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务，他产品是当前应用最为广泛高端光刻机型。Lam Research美国薄膜沉积、等离子刻蚀、光刻、晶片清洗等前道工艺方案及设备。营业收入80亿美元。

28、尼康企业日本光学产品，光刻机。Canon企业日本光学产品，光刻机。ABM企业美国主要经营光罩对准曝光机（光刻机），单独曝光系统,光强仪/探针。光刻机系统极为复杂，是当前国内与国外差距最大集成电路设备。 四、芯片制造第35页4.2.5 集成电路制造光刻工艺设备-反应离子刻蚀系统（RIE）国内设备厂性质业务范围年产值中电科四十八所研究所国家微级电子、太阳能电池、光电材料、电力电子、磁性材料专用设备研发及生产专业机构。-北方华创国企半导体、真空装备、锂电池，精密元件。16.22亿中微半导体设备合资一家面向全球微观加工高端设备企业，为半导体行业及其它高科技领域服务。，主营业务为半导体刻蚀系统。17亿人

29、民币左右国外设备厂性质业务范围Evatech日本主营清洗机，显影机，刻蚀机，OLED用蒸镀设备，OLED玻璃基板等。NANO-MASTER美国主要包含薄膜工艺沉积和刻蚀设备，兆声清洗刻蚀系统,光学涂覆系统、空间器件测试系统等。JuSung韩国半导体设备、显示器、光伏电池、照明设备SAMCO日本半导体制造设备，包含沉积、刻蚀，清洗设备。集成电路刻蚀设备与国外差距相对较小，一些国产设备含有一定竞争力。 四、芯片制造第36页4.2.6 集成电路制造掺杂工艺设备-离子注入机国内设备厂性质业务范围年产值北京中科信（中电科四十八所）国企国家微级电子、太阳能电池、光电材料、电力电子、磁性材料专用设备研发及生

30、产专业机构。-国外设备厂性质业务范围应用材料，收购Varian美国收购后壮大了离子注入机市场份额，应用材料企业是当前世界上最大半导体设备厂家，业务范围广泛，包含半导体，平板，及太阳能相关设备。AXCELIS美国该企业主要产品为高能离子注入机。AIBT美国该企业主要产品低能离子注入机。离子注入机是当代集成电路制造中极为昂贵和复杂机器之一，其工作原理结合了加速器物理、真空系统、机械传送和系统控制等技术。当前国内极少单位有能力研发，与国外差距巨大。 四、芯片制造第37页目 录1234芯片原材料介绍5芯片制造背景介绍芯片设计芯片封测6投资分析第38页395.1.1 封装工艺过程芯片封装前段操作后段操作

31、硅片减薄芯片切割硅片贴装芯片互连塑料封装去飞边毛刺切筋成形上焊锡打码 五、芯片封测5.1 芯片封装第39页405.1.2 芯片封装厂现实状况-排名厂家国籍/地域营收（亿$）市场占比（%）1日月光（ASE）台湾48.7125.12安靠（Amker）美国38.9420.13长电科技（JCET）中国大陆28.9914.94矽品（SPIL）台湾26.4113.65力成（Powertech）台湾15.017.76联合科技（UTAC）新加坡8.754.57天水华天（Huatian）中国大陆8.234.28通富微电（TFAMD）中国大陆6.883.59京元电子（KYEC）台湾6.243.210南茂科技（Ch

32、ipMos）台湾5.833.0前十大企业累计193.99100 五、芯片封测第40页5.1.3 封装设备引线键合机国内设备厂性质业务范围年产值中国电科央企覆盖电子信息全领域，为各种平台提供各类关键元器件企业集团尚进自动化民企专注半导体封装设备和精密自动化装备高科技企业广东华中科技大学工业技术研究院校办企业数控装备、电子制造、信息技术、材料模具等顺昱自动化民企研发生产全自动超声波粗铝丝压焊机、铝带键合机、超声波金丝球焊机、超声波铝丝压焊机等半导体封装设备国外设备厂性质业务范围PALOMAR美国半导体设备开发与研究，服务于军工及高科技领域高端封装设备供给。F&K德国提供从单机到完整全自动生产线任何

33、封装问题处理方案。全自动引线键合机 五、芯片封测第41页42国内设备厂性质业务范围年产值煌牌企业民营工业机器人集成、SMT自动设备、元利盛台企电子实装与封装整合技术翌贝拓企业民营Led贴片机及自动化设备处理方案北京博瑞精电民营SMT整体流程设备ASM香港半导体封装及电子产品生产全部工艺步骤提供技术和处理方案设备制造商国外设备厂性质业务范围雅马哈日本半导体电子产品、音效产品、乐器等大型集团JUKI日本SMT贴片机及工业缝纫机西门子德国电气化、自动化和数字化产品三星韩国多元化集团日立日本家用电器、电脑产品、半导体、产业机械等产品环球仪器美国电路板装配设备供给商高速贴片机5.1.3 封装设备贴片机 五、芯片封测第42页43国内设备厂性质业务范围年产值ASM香港半导体封装及电子产品