海思芯片HTOL老化测试技术规范

1、HTOL测试技术规范拟制：克鲁鲁尔审核：批准：日期：2019-10-30历史版本记录版本时间起草/修改人内容描述审核人批准人V1.02019-10-30克鲁鲁尔首次发布适用范围:该测试它以电压、温度拉偏方式，加速的方式模拟芯片的运行状况，用于芯片寿命和长期上电运行的可靠性评估。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HTOL老化测试需求。简介：HTOL(HighTemperatureOperatingLife)测试是芯片电路可靠性的一项关键性的基础测试，它用应力加速的方式模拟芯片的长期运行，以此评估芯片寿命和长期上电运行的可靠性，通常称为老化测试。本规范介绍DFT和EVB两种模式的HTOL测试方法，

2、HTOL可靠性测试工程师需要依据实际情况选择合适的模式完成HTOL测试。引用文件：下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。序号参考标准说明1JESD22-A108DHTOL标准2JESD47I可靠性总体标准3JESD74A半导体早期失效计算方法标准1.测试流程HTOL测试概要HTOL主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性，需要项目SE、封装工程师、可靠性工程师、硬件工程师、FT测试工程师

3、共同参与，主要工作包括：HTOL向量、HTOL测试方案、HTOL环境调试、HTOL测试流程执行、测试结果分析、失效定位等。HTOL可以用两种方式进行测试：DFT测试模式和EVB测试模式。DFT和EVB模式对比DFT(DesignForTestability)测试模式：集成度较高的IC一般有DFT设计，其HTOL模式一般在DFT测试模式下进行，以扫描链、内建BIST、内部环回、JTAG,实现内部逻辑的翻转、读写、自测试和IO的翻转等，其数字逻辑、memory、IP、IO的以串行方式运行。EVB(EvaluationBoard)功能模式：即正常应用模式，HTOL也可以在该模式下更符合实际应用场景，

4、该模式下芯片各模块一般按照真实的应用场景并行运行。DFT模式HTOLEVB模式HTOL说明晶体管覆盖率高低1、DFT模式天生具备极高晶体管覆盖率2、EVB功能模式对晶体管覆盖率难以掌控电路覆盖率高中1、DFT方式可以确保所有电路IP都有覆盖2、取决于实际电路，不一定覆盖所有电路覆盖方式Stuck-At/BIST/LoopbackFunction1、DFT:测试专用，不同于实际功能模式2、EVB:跑实际业务场景电路运行方式串行为主并行为主1、DFT:各模块依次运行，动态时间短、静态时间长2、EVB:各模块并行，与实际工作场景吻合功耗功耗不均匀，差异大均匀1、DFT：memory功耗偏高，IP功耗

5、偏低，Pattern切换时电流跳变大，容易烧片2、EVB：功耗相对恒定硬件实现简单复杂1、DFT：对外围电路及单板时序要求低，容易实现多芯片并行老化2、EVB：硬件实现复杂，难以多芯片并行老化环境搭建简单复杂1、DFT：硬件简单，搭建方便，调试较简单2、EVB：只能单个单板依次搭建和调试过程监控难简单1、DFT：受限于老化机台，难以实现过程实时监控2、EVB：可实时监控并保存数据总结：基于DFT的HTOL方案：容易实现多批次、大样本量及持续监控，适合Process相关的可靠性问题激发；EVB的HTOL方案：难以实现大批量测试，适合应用场景相关的设计类可靠性问题激发；基于DFT的HTOL方案依赖

6、专用的测试平台，一般在专业测试公司进行。EVB方案不依赖测试平台，可在实验室温箱进行；应该选择符合实际需求的HTOL测试方法，二者结合，相互补充；1.3HTOL测试流程DFT模式工程师FT测试工程师可靠性工程师EVB功能模式电压一般按1.1X电压设置，但可以设置更高的电压，说明如下：推荐设置为“MaximumOperatingVoltage”电压，一般超出正常电压5%10%左右，该电压在Datasheet中有详细规定。如果该电压下芯片结温达不到要求，则需要提高电压以满足老化加速条件，但是不能超过AbsoluteMaximumRatedVoltage，否则会对器件产生破坏性损伤。这两个电压芯片D

7、atasheet一般都会给出，以TI的TMS320F28035为例：5.4RecommendedOperatingConditionsMIHNM/MAXUNITDwE宇图函voilage.I/O.吊*%2.973.3363VDevicewo的vdlagteCPU.Vg(WhenintemVREGisdi物b但dand18Vissuppi沧国审neij1.71LBkK5V温度最低结温Tj要求125,且结温不得高于150o然而，对于没有集成内部温度传感器的IC,结温无法直接测量，需要用公式推算：T=T+0 xPicjc其中：Tj:结温，JunctionTemperature；Tc:壳温，CaseT

8、emperature,即芯片封装外壳温度，调试过程中可用传感器实时监测；%:PN结-外壳的热阻，表征材料的导热性，芯片Datasheet会给出；P:芯片总功耗；温度调试方法为，环境温度升到125C,测试芯片在该条件下的总功耗。然后由于结温有范围(125,150),可通过x尸反推特定结温下要求的壳温，通过升高或降Cjjc低环境温度，将壳温调节到特定值。最终的环境温度大概率不是125C,且功耗P相对于125c条件下会有些细微变化，但一般认为变化较小可忽略不计。样本量参考JESD47I标准，样本量按照LTPD抽样规则，要求如下：要求样本量为3Lots/77units,即三个批次(批次间隔时间三15天

9、)每批次77个样本。实际测试中，一般会用TT芯片做第一、第三批次的测试，第二批用corner芯片。参考海思的方法，消费类芯片一般为3Lots/45units(0Fail)(LTPD=5),网络类芯片一般为3Lots/77units(0Fail)(LTPD=3)o抽样检验的样本量的取样原则按下表所示:67809410711*15335270346086703隈温胃7901234363犯O.134567faiblcASampleSizefornMaliniurn%DefetShe刊川911(oiifidlenceAfcep忸neeNumberLTPDLTPDLTPDLTPDLTPDLTPDLTPD

10、C1075321.51022324576IM1562301365577129例25939925376106177266355532EXAMPLE:UsinggenericdnlaforHTOLwithairDquircnicTitof0nycctsfirom230i)amplc5.If700sannpksofgenericdauiarcavailable,themaximumnuimbeiroffailures,thatwillmretthequrdifi阳tiontestrequircniCTilis3faoluircsfrorntheLTPD=Icol.rmn.45units(0Fail)

11、对照上表可以找到对应为LTPD=5,AcceptanceNumber=0。抽样检验上的解释为：若该批次抽样45units且检验无失效，则该批次失效率不超过LTPD=5(5%)的置信度在90%以上，消费方高概率接收该批次产品。同理可推77units(0Fail)的含义是：若该批次抽样77units且检验无失效，则该批次失效率不超过LTPD=3(3%)的置信度在90%以上，消费方高概率接收该批次产品。不同的老化的电压、温度、老化时间的组合对应的早期失效率不一样，因此电压、温度、老化时间需要综合计算，以便抽样测试的结果能满足早期失效率要求(详细细节参考JESD74A说明)，对CMOS工艺，经验证单个

12、晶体管在1.4x电压、140c范围内不会改变失效模式，不会出现HardFail。温度加速因子:(1)其中:E为激活能，由实验条件决定;ak为普朗克常量；T为正常使用条件下的结温(单位：K)；uT为加速条件下的结温(单位：K)；a电压加速因子:A=explyxF-V/（2）Vau其中：y为电压加速指数，由实验条件决定；V为加速条件下的电压；aV为正常使用条件下的电压；u总加速因子：A=AxA（3）TV正常使用条件下等效使用时间：t=Axt（4）ua其中，t是加速条件下的试验时间。a早期失效率ELFR（inFIT）：ELFR(inFIT)=109x入=109x%2(2xAxNxt)(5)、,(%C

13、L,2r+2)a早期失效率ELFR(inppmpertELF)：ELFR(inppm)=109x入xtx10-3ELF=109x%2（%CL,2r+2）（2xAxNxtaJ10-3其中：九为指数分布的失效率；%2为卡方分布；N为样本量；CL是置信度；r是失效样本量，2r+2是卡方分布的自由度；tELF是定义的早期时间；加速模型中，E和y为关键参数，不同工艺、失效模式下不尽相同，需要慎重使用，a否则可能影响对失效的判断。对于一般的HTOL试验的Aging失效模式等效计算，E和y可a参考Foundry提供的数据。下文未特殊说明时，则默认E=0.7eV、y=1V-1。a举例说明如何计算一定条件下老化

14、试验的早期失效率和等效使用时间：测试条件如下：ParametersExpressionValueUnitActivationEnergyEa0.7eVVoltageAccelerationExponent1V-1oltzmannsonstantk8.62E-05eV/KStressVoltageVa1.98VStressTemperatureTa125NormalOperatingVoltageVu1.8VNormalOperatingTemperatureTu55TestDurationt1000hourSampleSizeN77unitTemperatureAccelerationFact

15、orAT=expEa/k*1/Tu1/Ta77.94VoltageAccelerationFactorA=exp*VaVuVi1.20AccelerationFactora=at*av93.31SpecifiedEarlyLifePeriodt-LF12monthTotalRejectsr0unit下面三个表给出：分别固定电压、温度、测试时间三个条件中的两个，计算不同电压、温度、测试时间下对应的等效使用年限。电压1.1x1.2x1.3x等效使用年（温度=125,测试时间=1000h）10.6512.7515.27ppm(year,CL-60%)1118934780温度125130135等效使用

16、年（电压=1.1x,测试时间=1000h）10.6513.7217.57ppm(year，CL-60%)1118868678测试时间168h500h1000h等效使用年（电压=1.1x,温度=125）1.795.3310.65ppm(year，CL-60%)665022351118计算表如下：高温操作寿命HTOL及早期EFR计算公HTOL测试注意事项试验流程的注意事项确定老化模块的关键参数：HTOL试验过程中，会在几个时间点进行ATE测试，来确定芯片是否完好。在ATE测试过程中，我们会记录各个模块的关键参数，如logic和Memory电路的最高工作频率FMAX和最低工作电压VDDMIN，用于分

17、析该参数在老化过程中的变化。老化向量需用的管脚列表：该列表包括3部分：1）老化向量的管脚，如：信号管脚，电源管脚。2）电源管脚。3）其他闲置的管脚：这些管脚必须配置成固定电平，并同时在管脚列表中说明。老化向量回仿：ATE转化后的老化向量，可能需要返回前端进行仿真，确认老化向量的转换是否正确。老化板调试：将老化向量通过老化测试机台接入老化板并驱动芯片工作，测试芯片的输出管脚并抓取波形，如果确认波形正确后，老化板调试才能结束并开始HTOL测试，记录的管脚和波形。EVB功能模式下同样需要运行程序确认各部分工作正常。高温功耗测试：HTOL测试的时候，芯片的结温不能高于150，因此需要通过芯片在试验条件

18、下测试准确壳温和功耗，计算芯片的结温。在HTOL测试前，将芯片至于高温条件下（125），测试其功耗。芯片壳温测试：将芯片至于老化设备中将温度升到125，模拟试验的条件下，用温度计测试芯片表面温度。HTOL测试环境温度确定:将测试到的壳温和功耗，计算芯片的结温，确定其是否满足结温高于125且低于150的要求。如果在范围外则需要调整环境温度。芯片高温工作确认：根据确定的测试环境温度，将测试机台至于其温度下，将老化板和芯片放入其中，通过引线到机台外面并用示波器抓取其波形。如果波形和室温下的波形相同，确认老化向量可以在高温下运行。0、168、500、1000小时ATE测试：在室温下将老化试验的芯片标号并进行ATE测试，记录每个芯片的关键参数，并保存datalog。EVB功能模式的老化同样需要测试并记录关键参数。3.2DFT模式下，测试机台需求1）输入通道数：老化机台的输入通道数为96个，包括时钟信号。2）最高工作频率：5M3）向量存储深度：128K,向量可以通过loop减少存储的深度。DFT模式下，老化向量覆盖模块需求：HTOL测试成员参考但不限于以下因素来确定老化向量覆盖的模块：1）IP/IO和工艺存在的风险：如使用未经过验证的IP或者IO等。2）