pwm故障波形详细说明、过压过流欠压的判断内存维修重要信号和时序

1、故障波形详细说明、过压过流欠压的判断、内存维修重要信号和时序说明3.3V 电感后端过压保护“一般是反馈电路或滤波电容引起或瞬间达到 4V 左右，万用表测量不到本身有问题”，下图只用了几十 US 就掉到 0V，3V 和 5V 是两兄弟 3V 过压保护了，5V 也过压保护“5V 有正常过”不装 3V 上管时，G 管 G 极波形，有的是 2-20 毫秒，不同不一样“如果这个波形不正常，上管工作也不会正常”注：不安装上管可以上电测量“如果上管安装了就一定安装下管，除非两个都不安装 只安装上管不装下管”注：维修电路时判断是不是正常可以拆除上管测量上管 G 极基电压是不是有 5V 正常波形“CPU 拆 1

2、 路”说明条件满足，如装上上管后，电感后极电压还是出不来，一般是电感后极原因引起“本身问题不大”当上管 G 极输出正常波形后，在一定时间收不到反馈信号就会掉电进入超时保护相位脚断线后，会引起上管 G 极持续导通，会引起和下管通道的时候引起大短路烧 MOS 管或或后级和前级等更换检查相位脚有没有空焊“如QFN”上管 G 极的基电压至少到 4.5 左右-5V 才正常“一般是本身问题”装上上管，G 极自举至少要到 24-25V注：自举电压由于上管没有完全导通，自举电压蓝屏、死机、带不起负载发烫，上下管发烫 烧上管和、连接自阻电容 2-3 欧的电阻“可直连”有问题等”，电感前极就没有 19V“如上管不

3、良、自举电容、电感前端波形，只要峰值可以超过电感后极的电压，电感后端产生 3V 5V 电平是没问题的只是带不起负载 发烫注意：维修掉电的机器，测量电感电压正常时，要测量电感前端自举波形是不是正常 特别进水机、二修机容易出这种问题FB 反馈不正常，电感后端就会欠压保护：下图7 毫秒超时保护FB 反馈不正常引起的过压保护滤波电容不良（引起电感后端过压保护）“比反馈电路引起的过压保护掉电速度快很多” 电容容良不同，引起保护现象不同3V 5V 电感后端，双通道同时对比通道2 有问题，下管导通对地放电，电感后端直线下降通道1 是停止工作，电容在放电，慢慢下降3V 电感后端过流保护波形：一般是电感后极短路

4、引起过流保护“没有动作前不知道后极有问题，工作一下检测后极反馈有异常，负载过重，就会进入保护状态”3V 电感后端过流保护，电感前端的波形是正常的，保护了“如果前端也出来一点点，可能是前端”备注：采用和MOS 集成在一起的供电方式，电感前端很多不是19V，可能把5V 供电转到电感前端再输出提问：怎么分别，过流、过压、欠压1、过压超过了标准电压的波形2、过流，出来一点点电压，就掉了时钟非常的短暂3、欠压，一般是持续一点或很长时间，电压都起不来注：如果后端有点头，无法判断过流或欠压的时候，看前端是不是正常，如果前端正常说明G 极有自举成功也没有问题，重点查后极部分本身没问题有正常工作，电感后级过流保

5、护，后级有短路拉低，电压起不来“这种抓波，触发电平要设的很低 太低电平容易误触发，抓不了波”内存总线：数据总线（双），A 地址总线（单），控制总线（3 种）外加供电线地址总线作用传输 CPU 的地址信息（一般单向传输）“一般器设备采用，通过地址线数据”内存地址线 16 根，数据选通线 16 根（有时也当地址线使用），数据线 64 根ODT(内存控制器的终结电阻(集成在 CPU，当内存发给 CPU 数据没有)，防止信号反射，用于阻抗匹配)早期的内存在内存槽旁有一排的排阻，现在新机器看不到一排的排阻，现在一般集成注：维修时测量到有值，不会无穷大，正常有一个电平 0.XV 就可以了提问如何判断主板有

6、没有过内存：1、取下内存看电流，和装上内存看电流2、使用卡判断“9 个条件 LPC0-LPC3、LPC 时钟 帧周期 LCP 复位 供电 地”二、内存的几个重要信号动作时序基本如下：1、供电：内存主供电 1.5V 、VTT 供电 0.75V、VREF 供电 0.75V、SPD 码片供电 3.3V、SM 总线上拉供电 3.3V，内存控制器 1.5V 供电(5X 6X 以后一般在 CPU 的内存模块测量 )等（供电以）SPD 解释：串行存在检测码片 保存内存的信息、生产厂家、容量、位宽、频率等（损坏或程序问题，桥会认不到内存）2、ODT：内存控制器的终结电阻，用于内存数据总线的阻抗匹配，减少信号反

7、射现象，这个信号在内存插槽 116、120 脚测量，是个 0.7V 左右的电压，当这个信号为低时，内存控制器无驱动信号，将会出现档内存3、SMBUS_CLK/DAT：电脑正常跑码时，系统会通过 SMBUS 总线内存的容量大小、厂家信息、频率、位宽、奇偶校验、对码等信息“SM 总线由 PCH 桥/发出，不是 CPU”注：（板载内存测量不到 SM 总线信号，信息存 BIOS 里，没有SM 总线信息和内存复位，直接往内存存数据）华硕搜索DIMM_SEL 华硕苹果有通病机器，内存某颗内存颗粒容易坏 “换两颗上电试一下，最多换 8 次”4、CKE(时钟开启)：当系统通过SM 总线正常到内存，CKE 开始

8、动作，开启内存槽上两对时钟（不插内存读不到）5、DRAMRST#：以上条件满足后，CPU 内存控制器开始驱动DRAMRST#为低进行初始化动作6、WE#：内存复位后，内存控制器驱动DQS（数据选通）、WE#（写允许）、地址线选择等信号动作，开始在 DQ0-DQ63 数据总线上传输数据（如果上面的内存复位失败，WE#是不工作的，不让你写入数据）注：只要测量到可以读，可以写，基本电路问题不会太大，还有问题换根好的内存条试试超备注：只要在WE#脚测量到有波形，基本判断，内存供电，时钟，复位等工作条件满足（换内存或内存颗粒）如果换了内存还行，只有对内存槽的地址线，数据线，控制线等打阻，看是不是有异常“

9、卡飞线最好找 MINIPCIE 槽或其它相连，飞 EC”针对以上述说，并非空口无凭，下面以实测波形佐证 供电ODTSM 总线CKE#内存复位WE#内存数据波 1、ODT 在SMB 动作之前为高，在 RESET#位低的时候，DDR3 SDRAM 的ODT 一直保持高阻态，除此之外 ODT 还在 RESET#拉高到 CKE 变高这段时间维持了高阻态。在 CKE 之前，ODT 的输入信号可能在一个未定义的状态。在 CKE 拉高之后，ODT 的输入信号不会变化，一直处于 LOW 或者 HIGH 的状态注：先有内存的主供电，接着有 ODT 供电，比SMB_CLK 总线供电要早备注：供电和 ODT 可以直

10、接用万用表测量到2、ODT 在 DRAMRST#“内存复位之前”动作“右上图”注：ODT 供电比 DRAMRST#（复位之前）3、DOT 在 CKE 之前动作4、有效的内存复位“CPU 发出”是在SMBUS 动作之后注：ODT 供电比 CKE 时钟开启要早出来右图 2：注：SM 总线波形“此时在内存信息大概要 7-8 毫秒，有波表示在读，不表示一定过内存”出来后，驱动 DRAMRST#高低高的电平复位注：维修时测量到DRAMRST#只有是无效的，正常要在SM 总线波形后有高低高下是正常复位状态注：5X 以前的机器，内存复位是SM 总线波形出来之后有个上拉动作，SM 总线波形前是低电平（低到高复

11、位）6X 以后的机器是高低高的电平复位，（还有一种是延时复位没有下拉动作，SM 总线波形后，慢慢为高）注：内存上的 8 脚就是SPD 码片，SM 总线数据全部在SPD 码片里，如果码片没有供电或不正常，SM 总线是读不到内存信息5、CKE 在DRAMRST#之前动作（仔细看就能发现）注：CKE 时钟开启信号，在复位 DRAMRST#之前一点点出现6、WE#在 DRAMRST#有效之后动作“WE#没有动作，就没有数据波形”注：只要SM 总线正常到内存后，CPU 内存控制器就会发出DRAMRST#初始化内存，接着 CPU 发出WE#写允许接着 WE#就会有波形，说明内存数据线上有数据传输，当看一堆

12、的波形说明内存工作基本正常（每格 500 毫 V）注：内存没有复位之前，WE#是一个 0.7V 左右的电平，示波器上大概 1 格半，正常写入时可以达到 1.5V一般只要测量到WE#上波形，说明数据线上有数据传输（要用示波器测量，万用表测量，对信号有干扰，还可能会掉电，还可能会引起数据传输错误或档内存，或其怪的各种故障“示波器的表头是不带电，万用表带电”）7、WE#“113 脚”在 SMBUS 动作之后“右图 2” 注：总线之后还有时钟开启和复位初始化，再有WE#8、WE#动作后，DQ 总线才有正常的数据波形“右图”注：DQ 总线上的数据波是不规律的数据波，不是所有数据线上都有波形，小数据可能只用低位数据，大量再全部一般只测量WE#“之前测量SM 总线和内存复位 按时序”，一般WE#有动作，DQ 总线数据波一般跳过不测量注：PCH 桥的有一个DAC 的转换器，明天讲注：测量内存数据线波形有波，SM 总线有三次以上的波形，复位有波，最后 WE#如果可以持续几毫秒一般表示过内存注：二代的内存有复位，三代的内存没有复位，