2014年ti杯电子设计竞赛推荐芯片电源类ina

1、INA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012QFNPackageSC70Package电压输出、高侧或者低侧测量，双向零漂移系列电流分流器查询样品: INA210, INA211, INA212, INA213, INA214特性应用范围宽共模范围：-0.3V 至 26V偏移电压：35V（最大值，INA210）（启用 10mV 满量程的分流器压降）精度:笔记本电脑移动电信类设备电源管理 电池充电器焊接设备1% 增益误差（温度范围内的最大值）0.5V/C 偏移漂移（最大值）10ppm/C 增益漂移

2、（最大值）说明INA210，INA211，INA212，INA213，和 INA214 是增益选择：INA210：200V/V INA211: 500V/V INA212: 1000V/V INA213: 50V/VINA214: 100V/V电压输出电流并联器，此器能够感测共模电压上 -0.3V 至 + 26V 的压降，与电源电压无关。 提供五个固定增益：50V/V，100V/V，200V/V，500V/V，或 1000V/V。零漂移架构的低偏移使得在整个分流上能够感测的最大压降低至 10mV 满量程。这些器件由一个 +2.7V 至 +26V 的单电源供电，汲取一个 100A 的最大电源电流

3、。 所有版本温度范围为额定扩展温度范围（-40C 至 +125C），并采用 SC70封装。 INA210，INA213，INA214 还采用薄型 QFN封装。静态电流：100A（最大值）SC70 封装：所有型号薄型 QFN 封装：INA210，INA213，INA214RSSupplyTLoadReference VoltageINA21xOutputOUTREFR1R3INGND+2.7V to +26VIN+V+R2R4CBYPASSSC700.01Fto 0.1FPlease be awaret an important notice concerning availability, s

4、tandard warranty, and use in critical applications ofTexas Instruments semiconductor products and diers thereto appears atof this data sheet.All trademarks are the property of their respective owners.PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications pe

5、r the terms of the Texas Instruments standard warranty. Production pro sing does not ne sarily include testing of all parameters. 20082012, Texas Instruments IncorporatedEnglish Data Sheet: S437PRODUCTGAINR and R34R and R12INA210 INA211 INA212 INA213 INA2142005001000501005k 2k 1k 20k10k1M1M1M1M1MINA

6、210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012这些装置包含有限的内置 ESD 保护。或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极静电损伤。封装/订购信息(1)(1) 要获得的封装和订货信息，请参阅本数据表末尾的封装选项附录，或者的。最大绝对额定值(1)在自然通风温度范围内运得，除非另有说明。(1)超过这些额定值的应力有可能造成损坏。 长时间处于最大绝对额定情况下会降低设备的可靠性。 这些只是应力额定值，在这些值或者任何超过那些所标明的条件下的功能运行并未注明。VIN+和 V

7、IN-分别为 +IN 和 -IN 引脚上的电压。如果那个引脚上的电流被限定在 5mA，则任何引脚上输入电压都可能超过所显示的电压值。(2)(3)2 20082012, Texas Instruments IncorporatedINA210，INA211， INA212，INA213，INA214电源电压+26V模拟输入，VIN+，VIN-(2)差分 (VIN+)-(V N)-26 至 +26V共模 (3)接地 (GND) -0.3 至 +26VREF 输入GND-0.3 至 (V+)+0.3V输出(3)GND-0.3 至 (V+)+0.3V进入任一引脚的输入电流(3)5mA工作温度-55 至

8、 +150C温度-65 至 +150C结温+150CESD 额定值（版本 A）：模型 (HBM)4000V充电设备模型 (CDM)1000V机器模型 (MM)200VESD 额定值（版本 B）：模型 (HBM)1500V充电设备模型 (CDM)1000V机器模型 (MM)100V产品增益封装封装 指示符封装标记INA210A200V/VSC70-6DCKCET200V/V薄型 QFN-10RSWRSWINA210B200V/VSC70-6DCKSED200V/V薄型 QFN-10RSWSHQINA211A500V/VSC70-6DCKCEUINA211B500V/VSC70-6DCKSECIN

9、A212A1000V/VSC70-6DCKCEVINA212B1000V/VSC70-6DCKSECINA213A50V/VSC70-6DCKCFT50V/V薄型 QFN-10RSWKPJINA213B50V/VSC70-6DCKSEF50V/V薄型 QFN-10RSWSHTINA214A100V/VSC70-6DCKCFV100V/V薄型 QFN-10RSWRSWINA214B100V/VSC70-6DCKRSW100V/V薄型 QFN-10RSWRSWINA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 20

10、12电气特性黑体字应用在额定温度范围上的限值，TA=-40C 至 +125C。在 TA=+25C 时，VSENSE=VIN +-VIN-。INA210，INA213，和 INA214：VS=+5V，VIN+=12V，并且 VREF=VS/2，除非另外说明。 INA211 和 INA212：VS=+12V，VIN+=12V，并且 VREF=VS/2，除非另外说明。RTI = 以输入为基准。请见典型特性曲线，输出电压摆幅与输出电流间的关系(图 10)。3 20082012, Texas Instruments Incorporated参数条件INA210，INA211， INA212，INA213

11、，INA214最小值典型值最大值输入共模输入电流VCM共模抑制共模抑制比(CMRR)INA210，INA211，INA212，INA 214INA213偏移电压，RTI(1)VOSINA210，INA211，INA212 INA213INA214与温度间的关系dVOS/dT与电源间的关系电源抑制(PSR)输入偏置电流IB输入偏移电流IOS版本 A版本 BVIN+=0V 至 +26V，VSENSE=0mVVSENSE=0mVVS=+2.7V 至 +18V，VIN+=+18V， VSENSE=0mVVSENSE=0mV VSENSE=0mV-0.3-0.1105100151401200.55510

12、.10.1280.02262635100600.51035V VdB dBV V V V/CV/VA A输出增益，INA210GINA211 INA212 INA213 INA214增益误差与温度间的关系非线性误差最大电容负载VSENSE=-5mV 至 5mVVSENSE=-5mV 至 5mV无持续振荡2005001000501000.0230.011110V/V V/V V/V V/V V/V%ppm/ C%nF电压输出(2)到 V+ 电源轨的摆幅到 GND 的摆幅相对于 GND，RL=10k(V+)-0.05 (VGND)+0.005(V+)-0.2 (VGND)+0.05V V频率响应带

13、宽GBW转换率SRCLOAD=10pF140.4kHz V/s噪声，RTI(1)电压噪声密度25nV/Hz电源运行电压范围VS静态电流IQ在温度范围内VSENSE=0mV+2.765+26100115VAA温度范围额定温度运行温度热阻JASC70薄型 QFN-40-5525080+125+150CCC/WC/WINA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012引脚配置DCK 封装SC70-6（顶视图）REF16OUTGND25INV+34IN+RSW 封装薄型 QFN-10（顶视图）NC(1)V+R

14、EFINGNDINOUTIN+NC(1)IN+(1) NC 代表没有连接。 引脚可悬空或连接到 V- 和 V+ 之间的任何电压。4 20082012, Texas Instruments Incorporated76859410123INA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012典型特性TA=+25C，VS= +5V，VIN+= 12V，以及 VREF= VS/2 时 INA210 典型特性，除非另有说明。输入偏移电压生产分配偏移电压与温度间的关系1008060402002040608010050

15、250255075100125150Temperature (C)Offset Voltage (V)图 1.图 2.共模抑制生产分配共模抑制比 与温度间的关系5432101234550250255075100125150Temperature (C)Common Mode Rejection Ratio (V/V)图 3.图 4.增益误差生产分配增益误差与温度间的关系1.050250255075100125150Temperature (C)Gain Error (%)图 5.图 6.5 20082012, Texas Instrume

16、nts IncorporatedPopulationPopulationPopulation1 00 90 80 70 60 50 40 30 20 100 10 20 30 40 50 60 70 80 91 05 04 54 03 53 02 52 01 51 00 500 51 03530252015105 051015202504 55 03035CMRR (V/V)Offset Voltage (V)Gain Error (%) 20 Typicaits Shown INA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVIS

17、ED AUGUST 2012典型特性 (接下页)TA=+25C，VS= +5V，VIN+= 12V，以及 VREF= VS/2 时 INA210 典型特性，除非另有说明。增益与频率间的关系电源抑制比 与频率间的关系70160INA212INA21160504030INA213INA214INA2102060VVCM = 0VVDIF = Shorted VREF = 2.5V1040VCM = 0VVDIF = 15mVPP Sine020100101001k10k Frequency (Hz)图 7.100k1M10M1101001k10k100kFrequency (Hz)图 8.输出电压

18、摆幅与输出电流间的关系与频率间关系的排印错误V+ (V+) 0.5(V+) 1(V+) 1.5(V+) 2(V+) 2.5(V+) 3VS = 5V to 26VVS = 2.7Vto 26VV = 2.7VSGND + 3GND + 2.5GND + 2GND + 1.5GND + 1GND + 0.5GNDVS = +5VVCM = 1V Sine VDIF = Shorted VREF = 2.5VTA = 40C TA = +25C TA = +125CVS = 2.7V to 26V101001k10k100k1M051015Outp2025303540Frequency (Hz)图

19、 9.urrent (mA)图 10.电源电压 = +5V 时，输入偏置电流与共模电压间的关系电源电压 = 0V（关断）时， 输入偏置电流与共模电压间的关系305025IB+, IB-, VREF = 0VandIB-, VREF = 2 5V40IB+, IB , VREF = 0V203020IB+, IB , VREF = 2.5V10IB+, VREF = 2.5V01015202530051015202530Common Mode Voltage (V)图 11.Common-Mode Voltage (V)图 12.6 20082012, Texas Instruments Inc

20、orporated|CMRR| (dB)Gain (dB)nput Bias Current (A)Output Voltage Swing (V)PSRR (dB)Input Bias Current (A)INA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012典型特性 (接下页)TA=+25C，VS= +5V，VIN+= 12V，以及 VREF= VS/2 时 INA210 典型特性，除非另有说明。输入偏置电流与温度的关系静态电流 与温度的关系35100908070605040302010030252

21、01510505025025507510012515050250255075100125150Temperature (C)图 13.Temperature (C)图 14.0.1Hz 至 10Hz 电压噪声（以输入为 准）输入基准电压噪声与频率间的关系100INA212INA213INA214INA210INA21110VS = 2.5V VREF = 0VVIN , VIN+ = 0V1101001k Frequency (Hz)图 15.10k100kTime (1s/div)图 16.阶跃响应（10mVPP输入阶跃）共模电压瞬态响应Time (50s/div)图 18.Time (10

22、0s/div)图 17.7 20082012, Texas Instruments IncorporatedOutput Voltage (40mV/div)nput-Reffered Voltage Noise (nV/z)nput Bias Current (A)nput Voltage (5mV/diV)Output Voltage (0 5V/diV)Quiescent Current (A)Common-Mode Voltage (1V/div)Referred-to- nput Voltage Noise (200nV/div)Common Voltage Step0VOutput

23、 Voltage0V2VPP Output Signal10mVPP Input SignalVS= 2.5VVCM VDIF= 0V= 0VVREF = 0VINA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012典型特性 (接下页)TA=+25C，VS= +5V，VIN+= 12V，以及 VREF= VS/2 时 INA210 典型特性，除非另有说明。反相差分输入过载非反相差分输入过载Noninverting Input OverloadOutput0V0VVS = 5V, VCM = 12V, VR

24、EF = 2.5VTime (250s/div)图 19.Time (250s/div)图 20.启动响应断电恢复Supply VoltageSupply VoltageOutput VoltageOutput Voltage0VVS = 5V, 1kHz Step with VDIFF = 0V, VREF = 2.5VVS = 5V, 1kHz Step with VDIFF = 0V, VREF = 2.5V0VTime (100s/div)图 21.Time (100s/div)图 22.8 20082012, Texas Instruments Incorporated1V/div2

25、V/div1V/div2V/divInverting Input OverloadOutputVS = 5V, VCM = 12V, VREF = 2.5VINA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012应用信息基本连接图 23显示了 INA210-INA214 的基本连接。 输入引脚，+IN 和 -IN，应该被连接到尽可能靠近分流电阻器的位置以大大减少任何与分流电阻串联的电阻。RSSupplyTLoadReference VoltageINA21xOutputOUTREFR1R3INGND+2.7

26、V to +26VIN+V+R2R4CBYPASS0.01Fto 0.1F图 23. 典型应用需要电源旁路电容器来实现稳定性。 具有嘈杂或者高阻抗电源的应用也许需要额外耦合电容器来抑制电源噪声。将旁路电容器连接到接近器件引脚的位置。在 RSW 封装上，为每个输入提供了两个引脚。 这些引脚应该接在一起（即，将 IN+ 接到 IN+，将 IN- 接到 IN-）。电源INA210-INA214 的输入电路能够准确地测量超过其自身电源电压，V+，的电压。 例如，V+ 电源可以为 5V，而负载电源电压可以高至 +26V。 然而，OUT（输出）端子的输出电压范围受到电源引脚上电压的限制。 请注意，无论器件

27、加电与否，INA210-INA214 的输入引脚能够耐受整个 -0.3V 至 +26V 的电压。选择 RSINA210-INA214 的零漂移偏移性能提供了几个优势。 最常出现的就是，低偏移特性可实现整个分流上的更低满量降。 例如，非零漂移电流分流器通常需要一个 100mV 的满量程范围。在大约 10mV 的满量程范围上，INA210-INA214 系列提供等效精度。 由于很多额外的优势，这个精度将分流耗散减少了一个数量级。或者，对于那些必须在一个宽动态范围上测量电流的应用可利用测量的低偏移。 最常见的就是，这些应用能够使用更低增益 INA213 或者 INA214 来适应量程高端上更大分路压

28、降。 例如，一个运行在 3.3V 电源上的 INA213能够轻易地处理一个 60mV 的满量程分路压降，而偏移值只有 100V。9 20082012, Texas Instruments IncorporatedINA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012单向运行单向运行使得 INA210-INA214 能够测量从一个方向流经一个阻性分路的电流。 单向运转最常见的情况是通过将 REF 引脚接地来将输出设定在接地上。 在极低输入上需要尽可能高的精度的单向应用中，将 REF 引脚偏置到一个高于 5

29、0mV 的便利值上来将器件输出摆幅置于针对零输出的线性范围内。单极输出偏置不常出现的情况是通过将 REF 引脚连接到电源来偏置输出；在这个情况下，针对零输入的静态电流在静态电源上。 这个配置只对负值电流做出响应（器件输入上的被反相的电压极性）。双向运转双向运行使得 INA210-INA214 系列能够测量在两个方向上流经阻性分路的电流。 在这个情况下，可在基准输入所允许的限值内的任一位置设定输出（即，0V 到 V+ 之间）。 通常，它在两个方向上被设定为等值半量程。 然而，在一些情况下，当双向电流不对称时，它被设定为半量程之外的电压值。通过将电压应用到基准输入上，可设定静态输出电压。 在零差分

30、输入条件下，输出假定此电压与被应用到基准输入上的电压一直。输入滤波一个明显且直观的过滤位置是在器件输出上。 然而，这个位置抵消了缓冲器低输出阻抗的优点。 其它仅有的过滤选择是在器件输入引脚的位置。 然而这个位置需要考虑引脚上的滤波器。电阻的 30 容差。图 24显示了一个放置在输入V+VCMRS 10kRVOUTRSTCFRS 10kVREFRLoad图 24.在输入引脚上的滤波器但是，外部的串联电阻的增加，使得在测量中产生了一个额外的误差，因此，如果可能的话，这些串联电阻值应保持在 10 或更小，以便减少对精度的影响。 当一个差分电压被应用在输入引脚之间时，图 24中出现在输入引脚上的偏置网

31、络产生了一个不匹配的输入偏置电流。 如果额外的外部串联滤波电阻器被添加到电路中，偏置电流中的不匹配会导致整个滤波电阻器的电压下降。 此不匹配产生了一个从分流电阻器中生成的电压中减去的差分误差电压。 该误差在器件输入引脚处引起了一个与整个分流电阻器的电压不同的电压。 如果没有额外的串联电阻，输入偏置电流的不匹配对器件操作的影响就比较小。 这些由外部滤波电阻器加至测量的误差量可以使用公式 2计算出，其中的增益误差因子是用公式 1来计算的。与在分流电阻器中的电压有关的出现在器件引脚处的差分电压中的变化量基于外部串联电阻值和输入电阻，R3和 R4（或 如图 24所示的 R）。 当把相关输出电压与分流电

32、阻器上的电压相比较时，分流电压达到器件输入引脚的衰减作为一个增益误差出现。 可以计算一个因子，以便确定由外部串联电阻的添加而导入的增益误差。 在公式 1中给出了用来计算从分流电压到器件引脚上电压的预计偏差的方程式：10 20082012, Texas Instruments IncorporatedBiasINA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012(1250 R )Gain Error Factor =(1250 RS) + (1250 R NT) + (RS R NT)其中：R是输入电阻器（

33、R3 和 R4），而RS是外部串联电阻。由于因子方程式的调整包括器件单独器件的增益误差因子。(1)输入电阻，这个因子随每个增益版本而不同，如表 1所示。 表 2中显示了每个表 1. 输入电阻表 2. 器件增益误差因子可从外部串联电阻的添加预期的增益补差可以以公式 2为基础来计算：Gain Error (%) = 100 (100 Gain Error Factor)(2)例如，使用一个 INA212 和表 2中相应的增益误差方程式，一个 10 的串联电阻产生了 0.982 的增益误差因子。然后使用公式 2计算相应的增益误差，只是由于外部 10 串联电阻，只产生约 1.77 的增益误差。 对于一

34、个具有相同 10 串联电阻的 INA213，也仅仅是由于这些外部电阻，导致 0.991 的增益误差因子和 0.84 的增益误差。11 20082012, Texas Instruments Incorporated产品简化的增益误差因子INA210 1000RS + 1000INA21110,000(13 RS) + 10,000INA2125000(9 RS) + 5000INA21320,000(17 RS) + 20,000INA21410,000(9 RS) + 10,000产品增益R (k)INA2102005INA2115002INA21210001INA2135020INA214

35、10010INA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012关闭 INA210-INA214 系列虽然 INA210-INA214 系列没有关断引脚，但其低功耗允许从一个逻辑栅极输出或一个可以打开和关闭 INA210- INA214 电源静态电流的晶体管开关加电。然而，在电流分流应用中。也关心有多少电流汲取自关闭情况下的分流电路。 评估这个电流消耗需要考虑图 25中显示的 INA210-INA214 在关断模式下的简化电路原理图。RSSupplyTLoadINA21xOutputREFOUT1MR3

36、INGNDShutdown ControlIN+V+RR24CBYPASSNOTE: 1M paths from st inputs to reference and INA21x outputs.图 25. 用于关闭带有接地 准的 INA210-INA214 的基本电路请注意，INA210-INA214 的每个引脚到 OUT 引脚和 REF 引脚通常有稍微大于 1M 的阻抗（来自 1M 反馈和 5k 输入电阻的组合）。 流过这些引脚的电流数量取决于各自的最终连接。 例如，如果 REF 引脚被接地，计算分路与接地之间 1M 阻抗的效应就很简单。 然而，如果在INA214Ax 被关闭的同时对基准

37、或者运算放大器供电，这个计算就很直接；然而，除了假定到接地为 1M，还要假定到基准电压为 1M。 如果基准或者运算放大器也被关闭，就需要对关闭条件下的基准或者运算放大器输出阻抗有所了解。 例如，如果基准源在无源时运行为一个开电 路，那么流经 1M 路径的电流很少或者没有。至于到输出引脚的 1M 路径，一个被禁用的 INA210-INA214 的输出级确实组成了一个良好的接地路径；因此，这个电流与一个加在 1M 电阻器上的分流共模电压完全成比例。作为一个最后的注释，当器件被加电时，有一个额外的、接近恒定的、并且完全匹配的 25A，此电流在分流共模电压为 3V 或者更高时流入每个输入。 在 2V

38、共模电压之下，唯一的电流效应是由 1M 电阻器造成的。12 20082012, Texas Instruments IncorporatedPRODUCTR and R34INA210 INA211 INA212 INA213 INA2145k 2k 1k 20k10kReference VoltageINA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012REF 输入阻抗效应当与任一差分放大器一起工作时，INA210-INA214 系列共模抑制比受到出现在 REF 引脚上的阻抗的影响。 当 REF 引脚被

39、直接连接至大多数基准或者电源时，这个担心时没有必要的。 当使用来自电源或者一个基准电压的阻性分频器时，REF 引脚应该被一个运算放大器缓冲。在可对 INA210-INA214 输出进行差分感测的系统中，例如，通过一个差分输入模数转换器 (ADC) 或者通过使用两个分离的 ADC 输入，REF 引脚上的外部阻抗效应可被消除。图 26描述了一个通过将 REF 引脚用作基准来从 INA210-INA214 获得输出的方法。RSLoadSupplyTADCINA21xOutputREFOUTR1R3INGND+2.7V to +26VIN+V+R2R4CBYPASS0.01Fto 0.1F图 26.感

40、测 INA210-INA214 来消除 REF 输入上的阻抗效应13 20082012, Texas Instruments IncorporatedINA210, INA211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012使用共模瞬变高于 26V 的 INA210借助于少量的额外电路，INA210-INA214 系列可用于瞬变高于 26V 的电路中，例如车载应用。 只使用二极管或者类型瞬态吸收器（有时是指瞬变电压抑制器 ）-任何其它类型的瞬态吸收器有一个无法接受的延迟时间。从添加一对图 27中所示的电阻器作为二极管的工作

41、阻抗开始。 需要将这些电阻器的值保持在尽可能小，大多数情况下大约为 10。 可使用会对增益产生影响的更大的电阻值，在输入滤波部分对这个影响进行了。 由于这个电路只限制短期瞬态，一个 10 电阻器连同可找到的最低额定功率的传统二极管可以满足很多应用的要求。 这个组合使用最少的电路板空间。 这些二极管可在小至小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-523 或者小外形尺寸二极管封装 (SOD)-523 的封装中找到。RSSupplyTLoadRPROTECT10RPROTECT10OutputINA21xREFOUTR31MGNDINV+IN+Shutdown Control1MR4CBYPASS图 27

42、.二极管的 INA210-INA214 瞬态保护使14 20082012, Texas Instruments IncorporatedReference VoltageINA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012如果低功耗二极管不具有足够的瞬态吸收能力而必须使用一个更高功耗的瞬变电压抑制器的话，那么最有效封装解决方案是在器件输入之间使用一个单瞬变电压抑制器和背靠背二极管。 最有效利用空间的解决方案是在一个单 SOT-523 或者 SOD-523 封装内的双串联二极管。 这个方法显示在图 28中

43、。 在所示的示例中，带有所有保护组件的 INA210-INA214 所需的电路板面积少于一个小外形尺寸 (SO)-8 封装的面积，并且只稍微大于一个微型小外形尺寸 (MSOP)-8 封装的面积。RSSupplyTLoadRPROTECT10RPROTECT10OutputINA21xREFOUTR31MGNDINV+IN+Shutdown Control1MR4CBYPASS图 28.使用一个单变电压抑制器和输入钳制的 INA210-INA214 瞬变保护15 20082012, Texas Instruments IncorporatedReference VoltageINA210, IN

44、A211 INA212, INA213 INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012改善瞬态耐用性涉及大输入瞬态的应用，在器件输入引脚上每微秒出现的过多 dV/dt 大于 2kV 时，可能会导致 A 版本器件上的内部 ESD 结构受到损坏。 当这个瞬变出现在输入端时，ESD 结构接地的锁存会导致这个潜在损害。 在有效电流在大多数电流感测应用中可用时，流经输入瞬态触发、接地短路 ESD 结构的电流会快速引起对的损坏。 为了避免锁存条件，可以通过外部滤波来衰减到达输入之前的瞬态信号。 必须确保外部串联输入电阻不显著影响增益误差的精度。 为了达到精度要求，这

45、些电阻值应尽可能应保持在 10 以下。 鉴于铁氧体磁珠固有的低直流电阻值，故建议在此过滤器中使用铁氧体磁珠。 建议在直流时铁氧体磁珠电阻小于 10，在 100MHz 至 200MHz 时建议电阻超过 600。 针对这个滤波器，建议的电阻器值在0.01F 和 0.1F 之间以确保在高频区域由足够的衰 减。 图 29中展示了这个保护方案。StReference VoltageLoadSupplyDeviceOUTREFOutputINGNDMMZ1608B601CV+IN+2.7V to +26V0.01Fto 0.1F0.01Fto 0.1F图 29. 瞬态保护为了最大限度地降低用来保护器件在应

46、用中可能会出现较大瞬态信号而增加的这些外部元件的成本，版本 B 器件现在可以提供全新的对这个锁存条件不敏感的 ESD 结构。 版本 B 器件不能承受这些锁存条件的损坏，所以它们没有版本 A 器件所具有的对瞬态的灵敏度，这就使得使版本 B 器件更适合于这些应用程序。16 20082012, Texas Instruments Incorporated+1MR31MR4INA210, INA211 INA212, INA213INA214ZHCS908C MAY 2008 REVISED AUGUST 2012修订历史请注意：前一修订版的页码可能与当前版本的页码不同。Changes from Re

47、viB (June 2009) to ReviCPageChanged 封装/订货表是用来显示版本 A 和 B2Added 将Added 将版本 B ESD 额定值添加至最大绝对额定值表2版本 B 行添加至电气特性表中的输入，共模输入范围参数3更正了共模抑制比图 96更新了图 126Changed 输入滤波部分10Added 改善瞬态耐用性部分16Changes from ReviA (June 2008) to ReviBPageAdded RSW 封装至器件111334555799Added 四方扁平无引线 (QFN) 封装添加至特性列表 更新首页图形 Added 脚注 3 添加到电气特性

48、表 Added 将 QFN 封装信息添加到电气特性表温度范围的部分 Added RSW 封装引脚分配图 Changed 图 2反映运行温度范围 Changed 图 4反映运行温度范围 Changed 图 6反映运行温度范围 Changed 图 13来反映运行温度范围 Added 将 RSW 说明添加至 基本连接部分 Changed 选择 RS部分中的最后一句中的将 60V 改为 100V Changes from Original (May 2008) to ReviAPageAdded 将 RSW 订购信息添加至封装/订购信息表2Changed 将 INA211 和 INA212 的可用性添

49、加至封装/订购信息表中的目前提供项目中2Deleted 将电气特性表的第一个脚注3Changed 图 75Changed 图 14来反映运行温度范围7Changed 图 15717 20082012, Texas Instruments IncorporatedPACKAGE OPTION ADDENDUM5-Jun-2014PACKAGING INFORMATIONAddendumOrderable DeviPackage TypePinsEco PlanMSL Peak TempDevice Marking(2)(3)(4/5)SlesINA210AIDCKRSC706Green (RoH

50、SLevel-2-260C-1 YEARCET& no Sb/Br)INA210AIDCKRG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCET& no Sb/Br)INA210AIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCET& no Sb/Br)INA210AIDCKTG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCET& no Sb/Br)INA210AIRSWRUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMKNJ& no Sb/Br)INA210AIRSWTUQFN10

51、Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIM(KNJ NSJ)& no Sb/Br)INA210BIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSED& no Sb/Br)INA210BIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSED& no Sb/Br)INA210BIRSWRUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMSHQ& no Sb/Br)INA210BIRSWTUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMSHQ& no Sb/Br)INA211A

52、IDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEU& no Sb/Br)INA211AIDCKRG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEU& no Sb/Br)INA211AIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEU& no Sb/Br)INA211AIDCKTG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEU& no Sb/Br)INA211BIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEE& no Sb/B

53、r)INA211BIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEE& no Sb/Br)INA212AIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEV& no Sb/Br)Op Temp (C)-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 t

54、o 125Lead/Ball Finish(6)CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAUCU NIPDAUPackage Qty300030002502503000250300025030002503000300025025030002503000Package DrawingDCK DCK DCK DCK RSW RS

55、W DCK DCK RSW RSW DCK DCK DCK DCK DCK DCKDCKus(1)ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVEACTIVEPACKAGE OPTION ADDENDUM5-Jun-2014AddendumOrderable DeviPackage TypePinsEco PlanMSL Peak TempDevice Marking(2)(3)(4/5)SlesINA212AIDCKRG

56、4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEV& no Sb/Br)INA212AIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEV& no Sb/Br)INA212AIDCKTG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCEV& no Sb/Br)INA212BIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEC& no Sb/Br)INA212BIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEC& no Sb/Br)INA2

57、13AIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFT& no Sb/Br)INA213AIDCKRG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFT& no Sb/Br)INA213AIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFT& no Sb/Br)INA213AIDCKTG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFT& no Sb/Br)INA213AIRSWRUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMKPJ& no S

58、b/Br)INA213AIRSWTUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMKPJ& no Sb/Br)INA213BIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEF& no Sb/Br)INA213BIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARSEF& no Sb/Br)INA213BIRSWRUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMSHT& no Sb/Br)INA213BIRSWTUQFN10Green (RoHSLevel-1-260C-UNLIMSHT&

59、 no Sb/Br)INA214AIDCKRSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFV& no Sb/Br)INA214AIDCKRG4SC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFV& no Sb/Br)INA214AIDCKTSC706Green (RoHSLevel-2-260C-1 YEARCFV& no Sb/Br)Op Temp (C)-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40

60、to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125-40 to 125Lead/Ball Finish(6)CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAUCU NIPDAUPackage Qty300025