一维纳米材料基本性质、制备方法和表征

1、一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征内 容 提 要3.1 一维纳米材料的基本性质3.2 一维纳米材料的生长机制3.3 一维纳米材料的制备方法3.4 一维纳米材料的微结构表征3.5 典型一维纳米材料制备示例一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料的性质光学性质磁性质电性质场发射效应一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 贵金属粒子尺寸小于电子自由程时,会在紫外 -可见谱中出现强的吸收.这种吸收是由于自由电子在粒子表面振荡产生的,称之为表面等离子吸收. 紫外 可见光的强烈吸收会使纳米粒子对光电磁波有强烈的作用,因此,溶液中的金属纳米粒子会呈现明亮的颜色.3

2、.1.1 光学性质紫外-可见吸收特性一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 金属纳米线的光学性质依赖于纳米线的长度和直径.在紫外可见光谱中会看到两个吸收带,一个为纵向等离子吸收带,一个是横向等离子吸收带.并且,长径比越大,纵向吸收带红移越大一维纳米材料基本性质、制备方法和表征不同长径比的金纳米棒紫外 可见吸收谱长径比分别为(、(、(、(、(一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 由于一维贵金属纳米材料在紫外-可见吸收谱中有强烈的吸收,因此,可以用来增强其它线性和非线性过程,如荧光、表面增强拉曼散射等. 最大吸收峰与环境的介电常数有关,如表面吸附的分子,从这个方面考虑,可以用作传感器.应 用一维纳米

3、材料基本性质、制备方法和表征 当材料制成纳米线后,可在一定波长光的激发下发光. 呈现光致发光特性. 本体23 在室温下并不发光, 纳米线23 光致发光谱在470有一个 较强的宽峰. 本体金 荧光发射是极微弱的, 金纳米棒 荧光谱分析表明:随着纳米棒长 度的增加,最大发射波长线性增加;光致发光行为一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 纳米线当直径相同时，随着长度增加，一维方向的量子限域作用逐渐减小,荧光峰逐渐红移, 量子产率减小.因此,可以通过调节纳米线的直径和长度来达到调节纳米线的荧光发射波长和量子产率的目的.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 在硅基底上制备高密度、垂直排列的六棱柱纳米线阵

4、列. 纳米线的一端是平滑的六边形平面,可用作激光器的发射腔. 在,自由激子通过碰撞重组产生发射; 在,离子化氧空位的电子和光照产生的空穴激发重组产生绿光发射. 直径在20150,长度达到10以上的纳米线在385处可观察到线宽小于的超紫外激光发射行为,能够形成激光谐振器.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征图8在室温条件下测定的纳米线光致发射谱()纳米线阵列3个不同位置的发射谱;()纳米线阵列在不同强度的激发能量下的发射谱一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 纳米线的荧光响应随着氩离子激光器发射光的偏振不同而变化 纳米线 纳米线的荧光响应随着氩离子激光器发射光的偏振不同而变化平行偏振激光的荧光强

5、度是垂直偏振激发光的2050倍.荧光偏振行为一维纳米材料基本性质、制备方法和表征纳米线的光致发光特性与单条20纳米线平行()和垂直()的偏振光激发时的光致发光照片图中的标尺为3,插图是光致发光强度随激发光的偏振角度而变化的曲线14. 图中图象表明纳米线的轴向发射强度是均匀的.平行和垂直纳米线的强度呈现极大的偏振各向异性.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征磁性质 外磁场垂直于纳米线的饱和度场()大大低于磁场平行纳米线的饱和度场().因此,通过调整纳米线的直径、长度以及纳米线的间距可以控制矫顽(磁)力和饱和度场,为提高储存媒介的存储密度提供了依据.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征电性质半导体

6、纳米线电导的高低与半导体掺杂有直接关系，热处理使金属催化剂快速扩散到纳米线的本体,能够在半导体内实现有效掺杂.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征纳米线 (催化成长的纳米线)和 在制备后不经过任何处理,其(电流) (电位)曲线均体现了绝缘体特性. 若经过一定时间的热处理(实现有效掺杂),则电流增加了104一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 对于掺杂的纳米线, 为型半导体. 对于掺杂的纳米线, 为型半导体.半导体纳米线的半导体类型(或型)可通过金属有效掺杂进行调控一维纳米材料基本性质、制备方法和表征3.2 一维纳米材料的生长机制气相 液相 固相()生长溶液 液体 固体()生长气体 固体()生长

7、卷曲生长一维纳米材料基本性质、制备方法和表征气相 液相 固相()生长 以液态金属团簇催化剂作为气相反应物的活性点,将所要制备的一维纳米材料的材料源加热形成蒸气,待蒸气扩散到液态金属团簇催化剂表面,形成过饱和团簇后,在催化剂表面生长形成一维纳米结构. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 在VLS过程中，晶须首先在固体衬底上形成液滴，该熔体与衬底间形成一个液固界面，气态原子因熔体表面的吸附作用而沉积在液滴中，当熔体达到过饱和态时，晶体开始从熔体中析出，随着气态原子不断吸附到熔体中，熔体的过饱和过程持续出现，致使晶须逐步形成。VLS法如没有催化剂颗粒，一般不能生长出晶须。一维纳米材料基本性质、制备

8、方法和表征生长方式虽然可以在平衡条件下控制金属催化剂液滴的大小,但是所得到的液态金属团簇的直径一般均大于几十个纳米,因此所制备的纳米线直径一般都比较大.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 激光烧蚀目标靶,产生、蒸气(),并迅速浓缩成富硅的液态纳米团簇();当纳米团簇中相达到过饱和后,团簇表面就会有相沉积、结晶()形成纳米线().当气流载着纳米线离开热炉,反应停止,得到所需纳米线.实 例纳米线的成长机理示意图一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 用气相转移法与法相结合可以制备直径小于30,几百微米长的单晶纳米线.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征图3-1说明了运用催化剂生长纳米线的过程。很显

9、然催化剂的尺寸将在很大程度上控制所生长晶须的尺寸。一维纳米材料基本性质、制备方法和表征实验证明这种生长机制可以用来制备大量的单质、二元化合物甚至更复杂的单晶，而且该方法生长的单晶基本上无位错，生长速度快。通过控制催化剂的尺寸可以制备出大量的准一维纳米材料。如Fe、Au催化合成了半导体纳米线Si；Ga催化合成SiO2。一维纳米材料基本性质、制备方法和表征SEM images of the SiO2 nanowires grown on a silicon wafer: (a) low-magnification SEM image of the as-grown products, showin

10、g carrotshaped （胡罗卜形）rods (CSRs) growing in-groups on the silicon wafer; (b) high magnification SEM image of the boxed area in (a), showing several tens of CSRs forming a sisal-like （剑麻） structure. Note that each CSR has a liquid Ga ball at its tip.实 例一维纳米材料基本性质、制备方法和表征SEM images of the inner struct

11、ure of the CSRs: (a) an individual CSR used as an example to show the dissection （剖面）along direction either perpendicular (1-1, 2-2) or parallel (3-3) to its long axis;(b) SEM image of a dissected （切开的） CSR at its tip region, showing a large quantity of nanowires growing out from the lower hemispher

12、e surface of a Ga ball; (c) High magnification SEM image from boxed area in (b) with the oxide layer composed of Ga, Si, and O; (d) cross section of a CSR viewed along the 1-1 direction, showing a tubular structure whose wall is composed of closely packed and highly aligned nanowires where the two e

13、nds of the nanowires respectively construct the tubes inner and outer walls; 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征(e) cross section of a CSR viewed along the 2-2 direction, displaying an angle of 45 between the growth direction of the nanowires and the axis of the tube; (f, g) two cross sections viewed along the 3-3 d

14、irection, displaying two kinds of inner structures of the CSRs. The image in (f) shows a continuous central hole with stairlike （阶梯状） structure; the image in (g) shows discontinuous upside down bell-like （倒置的铃） cavities. The white arrows in (a), (b), and (d)-(g) show the growth direction of the CSRs

15、. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征TEM images of the SiO2 nanowires: (a) bundle of SiO2 nanowires grown on silicon wafer, showing amorphous (upper right inset) and very thin nanowires with average diameter of 20 nm (lower left inset); (b) SiO2 nanowires grown on alumina substrate, showing paired amorphous (inset)

16、and straight nanowires with average diameter of 60 nm. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征Figure 7. Proposed growth model for CSRs with stair like inner structures. (a) The decomposition of GaN powders produces a vapor of Ga that rapidly condenses into liquid Ga clusters. These Ga clusters then deposit onto the surf

17、ace of the silicon wafer and grow into small Ga balls as the upcoming Ga clusters are absorbed from the vapor.(b) The hot liquid Ga ball etches （蚀刻） the silicon wafer to form Ga-Si alloy. The Si in the Ga-Si alloy evaporates into the gas to create a dense vapor of Si species around the silicon wafer

18、 region. At this stage, the vapor consists of Ga, O, and Si, and thus, the Ga ball can also absorb Si species from the vapor. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征(c) When the concentrations of Si and O in the Ga ball are high enough, the Si and O will react to form many SiO2 nanoparticles on the surface of the lower

19、hemisphere of the Ga ball. These particles act as the nucleation sites, initiating the growth of the first batch (batch I) of the SiO2 nanowires. The Ga ball is then pushed away from the silicon wafer by the growing SiO2 nanowires. From this stage, the Ga ball can only absorb Si species from the vap

20、or. As this first batch of nanowires proceeds to grow, a second batch (batch II) of nanowires simultaneously nucleates and grows at nearly the same rate and direction above the first. As growth continues, the newly formed nanowires begin to exert a force on the batch below. Note that split growth pr

21、oceeds during the entire nanowire growth process. (d) When the force is great enough, the second batch of nanowires will lift the Ga ball upward, thereby detaching the first batch of nanowires from the Ga ball and halting their growth. A third batch (batch III) of nanowires then nucleates and grows

22、above the second. (e) The process of growth and detachment allows the formation of a tubular structure with regular stairlike inner wall. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征fishbone-like, gourdlike（葫芦形状）, spindle-like（纺锤形）, badminton-like （羽毛球形）, and octopus-like（章鱼形）Figure 1. Schematic diagram of the position and c

23、orresponding temperature range of the five deposition zones inside the reaction chamber. The representative morphologies of the products in these zones are shown. 一维纳米材料基本性质、制备方法和表征实 例一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征固液固生长机制() 法和法很相似,二者的主要差别在于法纳米线成长的液态团簇来源于溶液相,

24、而法则来自蒸气相. 尽管该方法比较有前景,但是,在制备过程中要求催化剂的熔点低于溶剂的沸点,因而限制了其广泛应用.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征SLS生长机制制备多种纳米结构SiO21实验部分图1为制备纳米结构的SiO2水平管式炉的结构示意图.石英管的内径为50 mm,长度为500 mm.炉子存在2个控温区,其中A为高温区,B为低温区,气体从左端通入.实 例一维纳米材料基本性质、制备方法和表征实验过程将1 g左右分析纯的Bi(NO3)3粉末置于陶瓷舟中,把舟放入单端开口的刚玉管(20 mm300mm)封闭端.用RF溅射方法在清洁Si片上镀一层Au膜,Au膜厚度分别为10、20、30 nm

25、.把Au/Si衬底置于刚玉管的开口端.然后,将此小石英管置于管式炉的石英管中,使放Bi(NO3)3粉末的陶瓷舟位于A处,衬底位于B处,且A、B间相距约25 cm(如图1所示).在加热之前,先抽真空10 min,再通入高纯氩气10 min;最后在氩气的保护下加热高温区至1 200,低温区至800;保温1-2 h.反应结束后关闭氩气,系统自然降温.冷却后,取出陶瓷舟.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征海藻状、灯笼状、彗星状一维纳米材料基本性质、制备方法和表征图2(a)是腔体气压100 torr,Ar2流量45 sccm时获得产物的SEM照片.可以看出,Si衬底表面沉积了大量致密的海藻状纳米晶须.

26、纳米晶须的尺寸随长度的增加而逐渐变小,单根晶须的直径约80-200 nm,长度约几微米.图2(b)是腔体气压200 torr,Ar2流量45 sccm时产物的SEM照片.可以看出,在Si衬底上生成大量的灯笼状纳米结构,仔细观察发现在灯笼顶端有一个结.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征图2(c)是腔体气压200torr,Ar2流量80 sccm时获得产物的SEM照片.在Si衬底上生成彗星状纳米结构,其前端也存在一个结.SiO2纤维的长度约10 mm,其直径随着长度的增加而逐渐变小,靠近结的最粗端直径约160-200nm,尾部的最细直径约80 nm.图2(d)、(e)是腔体气压200 torr,

27、Ar2流量45 sccm时产物的SEM照片,采用的Si衬底上Au膜厚度不同.可以看出,当Au膜厚度为30 nm时Si衬底上生成了红细胞状的SiO2纳米结构,呈有凹陷的圆饼状,边缘较厚,而中间较薄,如图2(d)所示.而当Au膜厚度为20 nm,Si衬底上生成了指环状的SiO2纳米结构,外圈环状直径约140 nm,如图2(e)所示.图2(f)为产物的EDS结果,可以看出产物由Si和O元素组成,且Si和O的原子比约为12.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征SiO2纳米结构形成过程如图3所示.首先,原料在高温区分解,生成Bi2O3和NO2(1),随后生成的Bi2O3被氩气(Ar2)输运到低温区,气相

28、Bi2O3凝结在Si衬底上,生成液态Bi2O3(2).此时,Bi2O3首先降低了Au的熔融温度使其形成Au液滴;其后与Si衬底表层发生反应,形成SiO2(3),同时生成气态单质Bi随氩气排出腔体.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征一维纳米材料基本性质、制备方法和表征由于低气压和低气体流量会导致管内的Bi2O3含量较高,则Si表面的氧化层就较厚,即SiO2含量较丰富,所以形成的晶核就应该较多.由于这个原因,(a)生成的纳米晶须最多.(c)生成的纳米晶须最少.(b)介于两者之间.当Au膜厚度较厚时(),生成的Au液滴直径较大,由于Au液滴的延展,逐渐形成中间的

29、凹陷,最终形成指环状.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征这里需要提到的是,为什么(d)、(e)样品没有形成纳米晶须呢?我们认为较大的Au液滴覆盖在Si衬底上,阻碍了Bi2O3和Si衬底发生反应.导致只生成很少的SiO2,不能使晶核达到过饱和的状态,故不能生成纳米晶须.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征这些奇特形貌的SiO2纳米结构不能用传统的VLS机制解释,另外,并不像大部分CVD法生成纳米结构SiO2需要气相硅作反应物.我们认为它的生长应该是SLS机制.在纳米结构的生长初期,Au液滴和SiO2形成共熔液滴,由于在SiO2-Au共熔液滴中SiO2相对较高的溶解度,使衬底中更多的SiO2扩散

30、到共熔液滴中,当越来越多的SiO2聚集时,液滴中的SiO2将分离形成很多个晶核,当晶核浓度逐渐达到过饱和时就生成SiO2纳米晶须.每个SiO2-Au共熔液滴上会有很多晶核形成,故形成有一个结的纳米结构.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 所谓气体-固体生长法就是将一种或几种反应物,在高温区通过加热形成蒸气,然后用惰性气流运送到反应器低温区或者通过快速降温使蒸气沉积下来,生长成为一维纳米结构材料的制备方法. 气体固体生长(VS)一维纳米材料基本性质、制备方法和表征这种方法又可以细分为: 固体粉末物理蒸发法:物质的物理蒸发和再沉积过程,属于物理过程; 化学气相沉积法(或化学气相转移法):在形成蒸气后发生了化学变化,所形成的一维纳米材料与前驱体反应物化学组成不同,一般在通入惰性气体的同时,还通入另一种气体参与反应.一维纳米材料基本性质、制备方法和表征 尽管这种制备方法所需温度较高,不同反应物需要根据其熔点来选择蒸发温度,但是由此