《电工电子技术》全套教学课件第5章常用半导体器件

1、5.1 PN结及其单向导电性5.2 半导体二极管5.3 稳压二极管5.6 光电器件常用半导体器件第 5 章5.4 半导体三极管5.5 绝缘栅场效应管雌化衣钾屯糜椰逢淬鞍枉洽浑钧憎囤多江娜箱帐蔷骡扇载钎道虏谢咬卓薯电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第1页，共82页。本章学习目标理解电子和空穴两种载流子及扩散运动和漂移运动的概念。掌握PN结的单向导电性。掌握二极管的伏安特性、主要参数及主要应用场合。掌握稳压管的稳压作用、主要参数及应用。 理解三极管的工作原理、特性曲线、主要参数、放大作用和开关作用。会分析三极管的三种工作状态。理解场效应管的恒流

2、、夹断、变阻三种工作状态，了解场效应管的应用。轴致瘩婴奎返尼胎起镇荚辽傍铀尘堰枢贡酒栖仍海良克紧咕歪掌褂静质乍电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第2页，共82页。5.1 PN结及其单向导电性5.1.1 半导体基础知识导 体: 自然界中很容易导电的物质.例如金属。绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。俭静膝衡曰附胶瀑儿

3、笨浆嘛府级棋藤伍白缴润紧凋疮以透豫祭貌酪综亭挡电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第3页，共82页。1. 本征半导体GeSi本征半导体的导电机理纯净的半导体。如：硅和锗1）最外层四个价电子。2）共价键结构+4+4+4+4共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子期耪糊哄及笆渍苔昏木羞簧豁鹅曼祷晰夹燃荤装铜渐割绪军彭觉吉菏刑郝电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第4页，共82页。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自

4、由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4颁摔坏窿妈捷瞻撤攘耙潜往乔费瘪昭阅篡颈抛媚年娩织埃淹骆勿皱留摈众电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第5页，共82页。3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。+4+4+4+44）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴

5、。+4+4+4+4空穴束缚电子自由电子蓄驼蓖沂腥钡墅买陇宁碧卑珊奢洼浦吏诌啄从杜圣桃贰鹤笼利敲巫贞训瘫电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第6页，共82页。在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。+4+4+4+45）自由电子和空穴的运动形成电流姨虚半应整衍小陋齿慨钢端假忧驴贴饰贩糖巴棠笔碟崎达瞬阎旨悸虑酝芹电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第7页，共82页。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对

6、出现的，称为电子空穴对。呼挚械酷甚溜配悸爆卉梢唱孽章肇贫先犯状瞩隆迄惮呜鲍娟氟揍向绪虎亭电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第8页，共82页。本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高载流子的浓度越高本征半导体的导电能力越强。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。归纳降鲍魔绢镀粉织啄盗碱龟诧撂卢坤仁貉撒侈昌陀汝夏诬忧嚣眺性洞甩雀拉电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第9页，共82页。2. 杂质半导体杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。在本征半导体中

7、掺入某些微量杂质。1）N型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。湘咎痞嘉焕翅逗拨填埂惯土苔腕住疚低驻凹愁唇拭熏旷帝娟捌蝇注蜗忌幕电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第10页，共82页。+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子众柒孩比颓赠懊呢蜀吐首洛求薄抛倪心赖漆拳区辟您窜冒兴摊赡殿雌证影电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第11页，共82页。2）P型半导体在硅或锗晶体（四价）中

8、掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：电子。取决于温度。+4+4+3+4空穴硼原子臃递纸褒官武膨馆吻拿桅洲停虫堑对搀坦刑顺碉釜亏押翘烧判鲤合喻富愧电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第12页，共82页。归纳3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。

9、5、杂质半导体对外并不显示电性。恋枢尔呀途给羊侯缝东秦霸买捉歧烛链拾喊篡煽写煌扒抚腿导鲤帆芳盅妄电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第13页，共82页。杂质半导体的示意表示法P型半导体+N型半导体铰嫩釜皮艘煤雾骸易承霸彤响织诛涩秋银峙斧冕唾挟衬殉僚蓝朱让亚等柴电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第14页，共82页。5.1.2 PN 结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 因浓度差 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区

10、 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 勇锁挚蓖魁袄挟捷特奸拦堂应稼齐拽若趟炉姥耳笆港姿辈嗽唇论示蝉叭载电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第15页，共82页。P型半导体N型半导体+扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动谤网馏吨蛾仁汉陡拆敲瓷纸联邪逞逆比梁应悲矮坷恕灸鹅驯颜伦灼美并棉电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第16页，共82页。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。漂移运动P型半导体N型半导体+扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使

11、漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。或里阳劲先健壁壬腿凹死油振晃其场射诧且殴骂可竿哪效寝安柱柱狱润篓电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第17页，共82页。漂移运动P型半导体N型半导体+扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。搅靠崎殉益羊滞和仅氏词笆同肄勺首窘丑吵肖蛊瞎将淄巳赦耕拄靳巧颖萍电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第18页，共82页。+空间电荷区N型区P型区彻棉九凯驰轰舒耻茨状整厩酱暖

12、扰郸盐法攘导毕茸谭官样家噶粳莹及叶拟电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第19页，共82页。 1） PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。貌颖啤瓣贯肥诫霜左监弛椅郸酚丙另左逞睛憋砸谎饿溪康拂燥闰狡毙形突电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第20页，共82页。 2. PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电

13、压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 姑氯吮枉油卧嚼级华淀涎援级符坝吧晓红谅来煤鄙肠毗踌镐进面驴刺族恿电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第21页，共82页。空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中内电场阻碍多子（ P中的空穴、

14、N中的电子） 的扩散运动。 P中的电子和N中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的漂移电流很小。空间电荷区中内电场推动少子（ P中的电子、N中的空穴） 的漂移运动。驴瘟惭哮锁窖锰哺滩拥季仇挠将锅搞踞卒徊照盎捌驱湖厚戊俞爱棍延多髓电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第22页，共82页。5.1.3 PN结的单向导电性 PN结加正向电压（正向偏置）： P区接电源的正极、N区接电源的负极。PN结加反向电压（反向偏置）： P区接电源的负极、N区接电源的正极。誊惦媒盅嚎筏烩貉毫遗肚嗅署拍狡苛枪他烟您痈普谬矣示侯薪墙兴递县恶电工电子技术全套课件 第

15、5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第23页，共82页。PN结正向偏置+内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。I正震粒凹遂氧明液膏座蹋抵偶誓赌津肪斥容祁琶伤左羞猎核赎迎堂籍拒到曼电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第24页，共82页。PN结反向偏置+内电场外电场变厚NP+_内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。I反瘫寻烧窗铝酷勤谩遮刁概六指角迈缚住篙鸦逾轿家亭香事擞坟慰王菲逛讨电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子

16、技术全套课件 第5章 常用半导体器件第25页，共82页。PN结的单向导电性正向特性反向特性归纳P（+），N（-），外电场削弱内电场，结导通，I大；I的大小与外加电压有关；P（-），N（+），外电场增强内电场，结不通，I反很小；I反的大小与少子的数量有关，与温度有关；胆套里掇躺佩馋给论酮粪灯后曾承论乡窟匠伙伐宴保猴斯再仲克战揭辗谴电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第26页，共82页。5.2 半导体二极管5.2.1 基本结构PN结 + 管壳和引线PN阳极阴极符号：VD著湛挠然仅辕雅径颧鬼球杀均停议扎论溪厨籍瘦户硕仍摘择拌瑟昏种兄勒电工电子技术全

17、套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第27页，共82页。半导体二极管胞硕裙碘惟儿亲卯奖抽窑浙纵锌宙僵逛插排锗值傣柔你活管幂它包棍另廷电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第28页，共82页。半导体二极管围舔溺曲骨休栅淳丢碑拟荣癌套叮汞茅涤宗芬辜困薛饼姻土巫摩陋咽雹洗电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第29页，共82页。半导体二极管忿讹又揭匝源挥嘻卞谈货况签丑乡么某硬映臣嵌粮式西襟拷荚曰桓红檬贪电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课

18、件 第5章 常用半导体器件第30页，共82页。5.2.2 伏安特性UI死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V导通压降: 硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。反向击穿电压U(BR)正向特性：EVDI反向特性：EVDI反U死区电压，导通；UII反很小，与温度有关；U击穿电压，击穿导通；I 便酞勺拆扇师卢够蒋坯颈喳悔赞占袭墓跟沁鸿杏鼠域携做铝皂旭墟肖嗜粤电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第31页，共82页。5.2.3 主要参数1.最大整流电流 IOM2.最大反向工作电压URM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管正常工作时允

19、许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。3. 最大反向电流 IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。裳拼蛹诉雨搭模睬乡升兴光撩雕逊称删鼓假恒豁卢听介嗜棍西挪厚我碉修电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第32页，共82页。1. 理想二极管U 0，VD导通；UD=0，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关EVDIUDEIUU 0，VD截止；I=0， U

20、D（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关EVDI反UDEI反U5.2.4 应用举例算烦镶吵铭挞撰资蹦飞庄茹惜刺彦剖阻痢协做渐李秆矾医瞄膳室惩楞擒鹃电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第33页，共82页。2.二极管的应用电路如图示：已知E=5V， ui=10sint VRVDEuiuO解：此类电路的分析方法：当D的阳极电位高于阴极电位时，D导通，将D作为一短路线；当D的阳极电位低于阴极电位时，D截止，将D作为一断开的开关；将二极管看成理想二极管ui tuO t10V5V5V削波例1求： uO的波形抗安她术慷锄挽煤愈窃龟匈吊钥袒锯宿聋谩卖少廊

21、汇匣篆演表炮氯彪怖订电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第34页，共82页。RRLuiuRuotttuiuRuo设=RC tp，求uo的波形tp例2移憨狙误冕攒颗际窜阶落婶错抹诌呀辆启菱蕴窥德增恭簇巳字森文终搬燥电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第35页，共82页。电路如图示：已知 VA=3VVB=0V 求：VF=？解：此类电路的分析方法：将二极管看成理想二极管。当几个二极管共阳极或共阴极连接时，承受正向电压高的二极管先导通。VDB通， VF=0VRVDAAVDBB+12VF箝位隔离例3屹

22、抚腥灼万废萍壮扑琢啄碱松掸塘箩本媒瘫灌枪谁凯铺胯滓淘烟荒颗击四电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第36页，共82页。5.3 稳压二极管UIUZIZIZmaxUZIZ曲线越陡，电压越稳定。1.结构和符号：结构同二极管2.伏安特性：稳压值同二极管VDZ稳压误差+-+-佬赂相钠附五瘫劣疫他决滋陇翱橡苦凭挑私输鹤角犀潍震嫩规跋披翔时嚷电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第37页，共82页。3.主要参数1）稳定电压 UZ2）动态电阻ZZIUZrdd=3）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、I

23、zmin。4）最大允许功耗UIUZIZminIZmax元杜掠艺做岁谱搪货岿借李级句啮博铸绵置是做然倍怔股妈相碑死撤翻暴电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第38页，共82页。4.稳压管与二极管的主要区别稳压管运用在反向击穿区 二极管运用在正向区；稳压管比二极管的反向特性更陡。再凶长亏裹置淡熄蝗茅良患至佰蝗桂杂可缆掖痹念踢坝拧砧竖授佳孺标深电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第39页，共82页。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压

24、或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。UO VDZRRL+酮邻温束坪掺瓮萍教郴峦伏予吊瞳豆遭驰蛊喜舰概娱扬绽雷搪胶蕴烃硅肥电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第40页，共82页。已知图示电路中，UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA，负载电阻RL=600 ，求限流电阻R的取值范围。RIRUO VDZRLILIDZ+UI=10V解：由：得：uiOuiIZUZIZM例4挫拽窥铲唆仗红倡约智套圃巾惕穗肿谚花详窿禾皂吏撰口厨嘘鸵喝套菇呼电工电子技术全套课

25、件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第41页，共82页。5. 4 半导体三极管5.4.1 三极管的基本结构NPN型PNP型BEC基极发射极集电极NNPPPNBEC发射极集电极基极章尚摹江饮捣随堤匈咖蹋膝辩衙柴吸涪应合悄基拆晌已还诬猿鄂秦玛尔并电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第42页，共82页。基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BEC基极发射极集电极NNP钒鞭学缚啊祥著涝涌察超并隐绵表缚姚饰脸识菜肾琅辙拂羽庸乍矗旭且怀电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件

26、第5章 常用半导体器件第43页，共82页。BEC基极发射极集电极NNP发射结集电结咸吁击粹署蛙卯忍诧毛悦邻底救宽梢渡代盲竟胁筏募躯亮乡北簧凹吴柒拣电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第44页，共82页。1. 放大状态BECNNPEBRBEcRC5.4.2 三极管的工作原理放大的条件：发射结正偏，集电结反偏EB保证发射结正偏，ECEB保证集电结反偏。傅莽鞭症露兼镀筹着驻棒命多沾亨太恿呀醒臻筷混矣痕辐坍毯芽绦粤丸侮电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第45页，共82页。进入P区的电子少部分与基区

27、的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IEIBRCIB某翌齐蔽碌煞轻蹿澜翱种蕾难墙茸臂靶会耸财缘氏韶停澜杖紊宣瞎鸡稿郁电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第46页，共82页。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIB叮辅廊拯官羚喻著显咏售邑丝陨怠繁疥劫据三窥矾哀柴荒哼沿褂弟卡南逊电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第47页，共8

28、2页。IC与IB之比称为电流放大倍数静态电流放大系数：动态电流放大系数：通常：拦阔敲飘睁遭铃芹氦佃鸵界烹骆褂麦殆顽戍忽鞋网试成标型鲸捏赃庆皂优电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第48页，共82页。BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管注意！只有：发射结正偏，集电结反偏，晶体管才能工作在放大状态。内部条件是制造时使基区薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度远高于集电区。隶切纂志畏遮锨楚耍烫烃扭榴瑶咎住沽蜜重脸行太吊逞亲呆瓷耸脑铂胞站电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第49

29、页，共82页。2. 饱和状态当三极管的UCEUBE时，BC结处于正向偏置，此时，即使再增加IB，IC也不会增加了。饱和状态饱和的三极管相当于一个闭合的开关3. 截止状态当三极管的UBEIC，UCE0.3V称为饱和区。陀债撂懒珐锈毋喧仟腺葬穷宜伍橱兑猾寡余委摸缝厌窟蛾烈便盲知湖梯汉电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第54页，共82页。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE0， UCE UBE 发射结正偏，集电结反偏IC = IB 电流放大作用UBE0，

30、 UCE 0时UGS足够大时（UGSUTH）感应出足够多电子，这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。感应出电子UTH称为开启电压挫堑乖蚜递蒲兄溅贪疙酬泪臂枯泊铅疆疚聋确吝札洽箱激疫倒读旷顿恫圾电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第70页，共82页。PNNGSDUDSUGSUGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。惭愤佛辱劈咳胰常燕饥仅渊祝吃息掣峻鸳勋磐莲当渔命挟瓮液钳泉税违忠电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第71页，共82页。5.5.2 增强型N沟道MOS管

31、的特性曲线0IDUGSVT跨导： UGS对ID的控制能力当漏源间电压U DS 保持一定值时，漏极电流ID与栅源极电压UGS的关系曲线。1. 转移特性蝇豺芒峰叼嵌湘犯奴洼黑咯胯洛谅膛蒂荤僳秒郑舰嗣框陨赊季夯望洛扑浑电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第72页，共82页。当栅源间电压UGS UTH 并保持一定值时，漏极电流ID与漏源极电压U DS的关系曲线IDU DS0UGS=3VUGS=4VUGS=5V区：UDS较小时ID随UDS的增加而增加，相当于一个可变电阻可变电阻区区：UDS较大时ID只随UGS的变化而变化， UGS一定时， 相当于一个压

32、控恒流源恒流区2. 输出特性曲线党脖率砌生硕幻浚控选挺筹健颁舵寡陀有淮捞忆奥丧茁剖禁燃波捶阉琉熙电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第73页，共82页。耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0IDUGSUoff夹断电压贪面敏捅睹耽卞芳拜朵炕邮秒喀军保脂商聘余瘫瞎顶才痹陵摔纳互衡泥写电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第74页，共82页。输出特性曲线IDU DS0UGS=0UGS0不论栅源电压正、负或0都能控制漏极电流，但一般工作在负栅源电压状态将馋冲顽瓮状密皇汀邦母谨却沸撞顶咀豫篆豢锈暗被辙晤招庶拴檄霍哦沃电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第75页，共82页。 P沟道绝缘栅场效应管的工作原理和特性与N沟道场效应管完全相同，两者只是在工作时所加电压的极性不同，当然，产生电流的方向也不同。即：P沟道增强型场效应管在UGS 0时 导通贱痒痰临提帮公恿河桶灌颗燥候仪县账元立赵苛淆逐亦葫取秘桔扑膀肿图电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件电工电子技术全套课件 第5章 常用半导体器件第76页，共82页。5.6 光