BJ2939分立器件综合参数测试仪

1、BJ2939分立器件综合参数测试仪使用说明书 北京无线电仪器厂PAGE PAGE 42BJ2939 分立器件综合参数测试仪使用说明书北京无线电仪器 录第一章 概述 11.1 BJ2939分立器件综合参数测试仪简介 11.2系统具有的主要技术特征 11.3系统结构框图 2第二章 测试仪主要技术指标 32.1各个源及表的技术指标 32.2可测试器件种类 52.3测试参数汇总 62.4基本配置 62.5选用配置 7第三章 测试仪控制面板介绍 83.1键盘 83.2指示灯103.3测试键103.4蜂鸣器103.5复位键103.6串口接口113.7电源插口113.8电源开关1

2、13.9测试插座与测试盒11第四章 测试仪测试界面说明 134.1开机界面 134.2测试界面 134.2.1测试界面操作说明 134.2.2“选择器件”按钮操作说明 154.2.3“保存器件”按钮操作说明 154.2.4“选择测试结果”按钮操作说明 164.2.5“保存测试结果”按钮操作说明 16第五章 器件测试操作方法及注意事项175.1 晶体管（Transistor） 175.1.1晶体管测试界面 175.1.2晶体管测试参数及测试条件 175.1.3晶体管测试参数定义 195.1.4晶体管参数测试 195.2二极管（Diode） 225.2.1二极管测试界面 225.2.2二极管测试参

3、数及测试条件 225.2.3二极管测试参数定 235.2.4二极管参数测试 235.3稳压二极管（Zener Diode） 245.3.1稳压二极管测试界面 245.3.2稳压二极管测试参数及测试条件 245.3.3稳压二极管测试参数定义 255.3.4稳压二极管参数测试 255.4结型场效应管（JFet）265.4.1结型场效应管测试界面 265.4.2结型场效应管测试参数及测试条件 265.4.3结型场效应管测试参数定义及测试条件说明 285.4.4结型场效应管参数测试 285.5 MOS场效应管（MOSFet） 295.5.1 MOS场效应管测试界面 295.5.2 MOS场效应管测试参

4、数及测试条件 295.5.3 MOS场效应管测试参数定义及测试条件说明 305.5.4 MOS场效应管参数测试 315.6可控硅（晶闸管）（Thyristor） 325.6.1可控硅测试界面 325.6.2可控硅测试参数及测试条件 325.6.3可控硅测试参数定义及测试条件说明 335.6.4可控硅参数测试 335.7光电耦合器（OptoCoupler） 355.7.1光电耦合器测试界面 355.7.2光电耦合器测试参数及测试条件 355.7.3光电耦合器测试参数定义及测试条件说明 365.7.4光电耦合器参数测试 37第六章 存储器管理 39技术服务 41第一章 概 述1.1 BJ2939分

5、立器件综合参数测试仪简介:BJ2939是我公司推出的一种高端半导体分立器件测试系统。该系统充分吸收国外先进测试系统的特点，采用了先进的嵌入式计算机技术和优化结构技术、12位并行A/D和D/A技术、多级开尔文反馈技术、小信号精密测试技术以及阵列开关结构技术。在系统设计、选材、工艺、制作、调试、校验等诸多方面与国内现有同类系统相比均有较大突破，从而大大提高了系统的技术性能和可靠性，保证了该系统各项技术性能指标处于国际先进、国内领先的地位。其特点是：侧重于中小功率器件、测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。系统软件功能

6、全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。系统采用方便易学的窗口菜单界面，在液晶窗口中，按照相应的要求输入被测器件的测试条件，测试人员即可轻松快捷地控制系统，完成器件测试。操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。系统和测试夹具均采用多级开尔文结构，自动补偿系统内部产生的任何压降，保证各种情况下测试结果的精度和准确性。1.2 系统具有的主要技术特征：采用脉冲法测试参数、脉宽可为300S，符合国军标的规定采用嵌入式计算机控制，实现脱机运行；12位并行D/A、A/D设计，测试速度快、精度高；采用多级开尔文

7、技术，系统稳定性高，测试结果准确；采用三级保护技术，系统可靠，对被测器件无损伤；晶体三极管自动NPN和PNP 判别能力，防止选错类型；二极管极性自动判别选择，用户测试二极管不必注意极性；完整的自检/自校准能力；测试系统需要的其它多种数据后处理能力；1.3 系统结构框图：图1.1 系统结构框图第二章 测试仪主要技术指标2.1 各个源及表的技术指标2.1.1 高压电源电压量程电流范围分辨率(Dgt)电压加压精度20V1199V010mA0.293V1SetDgt2.1.2 主极电压源2.1.2.1加压档位电压量程电流范围分辨率(Dgt)加压精度1(0-4.99V)10A2.44mV1%SetDgt

8、2(5-9.99V)10A4.88mV1%SetDgt3(10-19.9V)10A9.76mV1%SetDgt2.1.2.2测流档位测流量程测流电压范围分辨率(Dgt)测流精度1(1-10uA)5V9.76nA1%Rdg2Dgt2(10uA-100uA)5V97.6nA1%RdgDgt3(100uA-1mA)5V976nA1%RdgDgt4(1mA-10mA)5V9.76uA1%RdgDgt5(10mA-100mA)5V97.6uA1%RdgDgt6(100mA-1A)5V976uA1%RdgDgt7(1A-10A)5V9.76mA1%RdgDgt2.1.3 主极电流源档位加流量程电压范围分辨

9、率(Dgt)测流精度1(1-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt7(1A-10A)20V4.88mA2%SetDgt2.1.4 控制极电压源档位电压量程电流范围分辨率(Dgt)加压精度1(0-4.99V)1A2.44mV1%SetDgt2(5-9.99V)1A4.88mV1%SetDgt3(10

10、-19.9V)1A9.76mV1%SetDgt2.1.5 控制极电流源档位加流量程电压范围分辨率(Dgt)测流精度1(1uA-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt2.1.6 微电流电流表档位测流量程电压范围分辨率(Dgt)测流精度11nA-100nA10V48.8pA1%Rdg1nA2100nA

11、-1uA10V0.488nA1%Rdg4Dgt31uA-100uA10V48.8nA1%RdgDgt4100uA-10mA10V4.88uA1%RdgDgt2.1.7 电压表一电压量程分辨率(Dgt)读取电压精度10V4.88mV1%RdgDgt2.1.8 电压表二电压量程分辨率(Dgt)读取电压精度10V4.88mV1%RdgDgt注：Rdg 指实际真实值；Set 指实际设置值；Dgt 指分辨率（精度后面的数）；在后面器件指标当中包含有上述符号的意义与上面表述相同，不再陈述；2.2 可测试器件种类BJ2939系统测试功能强大，可测试七类中、小功率的半导体分立器件：1 二极管Diode2 稳压

12、（齐纳）二极管Zener3 晶体管Transistor（NPN型/PNP型）4 可控硅整流器（普通晶闸管）SCR5 MOS场效应管Power MOSFET（N-沟/P-沟）6 结型场效应管J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）7 光电耦合器OPTO-COUPLER上述所列类别包括各中、小功率半导体分立器件及其组成的阵列、组合、表贴器件。测试方法符合国家行业总规范、相应的国家标准、国家军用器件测试标准。2.3测试参数汇总：2.3.1 晶体管参数： ICEO 、ICES 、ICBO 、IEBO 、VCE(sat）、VBE(sat) 、VBE(VBE(on)、hFE 、V(BR)EBO 、V

13、(BR)CEO 、V(BR)CBO；2.3.2 二极管参数： VF 、IR 、V(BR) ；2.3.3 稳压二极管参数： VF 、IR 、VZ ；2.3.4结型场效应管参数:VGS(off) 、 gfs 、Yfs 、RDS(on) 、VDS(on) 、IGSS 、IDSS 、V(BR)GSS 、V(BR)GDO；2.3.5 MOS场效应管参数:IDSS 、IGSSF 、IGSSR 、V(BR)DSS 、V(BR)GSS 、VGS(th) 、RDS(on) 、VDS(on) 、ID(on) 、gfs；2.3.6 可控硅参数: IGT 、VGT 、IH 、IL 、VTM；2.3.7 光电耦合器参数

14、: VF 、IR 、VCE(sat) 、CTR 、hFE 、V(BR)ECO 、V(BR)EBO 、ICEO 、ICBO 、V(BR)CEO、V(BR)CBO；2.4基本配置BJ2939分立器件综合参数测试仪 1台常用测试夹具 5个测试夹线 1套2.5选用配置主控PC机(可选) 1台其它测试夹具（可选）第三章 测试仪控制面板介绍3.1 键盘3.1.1 键盘如图3.1所示：图3.1 测试仪键盘（1） 按键数量为20个；（2） 按键类型：数字与字符共用按键： 9个；数字“0”与字符“-”共用按键：1个；方向键： 4个；上下翻页键： 2个；清除与返回键：1个；确认键：1个；“TAB”键：1个；小数点

15、键：1个；3.1.2 键盘使用说明：（1） 数字按键：数字按键共有10个，分别为数字09，向编辑框中输入数字（编辑框处于编辑状态时，这些按键有效）；（2） 字母按键：字母按键与数字按键的19共用，只有向器件类型名称编辑框内输入器件型号时这些字母按键才有效，使用方法举例：当器件名称编辑框处于编辑状态时，按下数字1按键，此时输入字符1，当再次按下数字1按键时，输入字符A，依次分别为字符B、C，四个字符循环输入；当某一位置的字符输入完成后，用左右方向键移动到其它位置，再输入字符，直到输入完成后，按“Enter”按键则器件型号输入完成；（3） .按键：此按键与符号共用，用来向数据编辑框中输入小数点符号

16、或者向器件型号编辑框内输入符号（编辑框处于编辑状态时，此按键有效）；（4） 方向按键：方向键用来控制界面上的编辑框、选择框及按钮之间的移动（编辑框处于编辑状态时，这些方向键无效），当向器件型号编辑框内输入型号时，左右方向键用来移动输入字符的位置；（5） 翻页按键：右侧上方两个按键“Page Up”和“Page Down”用来控制界面的上下翻页；（在编辑框处于编辑状态时，这两个按键无效；有的界面没有上下翻页时，这两个按键也无效）；（6） “TAB”按键：此按键与方向按键类似，不同的是这个按键只向前移动（编辑框处于编辑状态时，此按键无效）；（7） “Return CLR”按键：这个按键有两个作用；

17、一是在向编辑框内输入字符或者数字时，此按键用来清除输入的字符或者数字（编辑框处于编辑状态）；另一个是当处于某一个界面时，按下此键可向上返回，直到返回开机主界面（编辑框处于非编辑状态）；（8） “Enter”按键：此按键是确定键，功能比较多，分别用于对编辑框、选择框及按钮的确定操作；一是当要向编辑框中输入字符时请先按下此键，使编辑框处于可编辑状态，当编辑完成后再一次按下此键，表明字符或者数据输入完成；二是用来选择相应的选择框，例如测试选择框当按下此键时，选择框内会显示一个“”，表明处于选择状态，再按一次则“”消失，表明没有选择；三是用来对单位按键进行单位变化，例如当光标正移动到一个单位按钮时，按

18、下此键，则单位会发生变化；3.2 指示灯本机在前面板上共有四个指示灯：1：通过指示灯，绿色，当测试完结果全部正确时此灯亮；2：失效指示灯，红色，当测试完结果有错误时此灯亮；3：高压指示灯，红色，当测试电压大于30V时此灯亮，以警示测试人员，不要在此时触碰测试插座；4：测试指示灯，橙色，当测试时此灯亮，表示在测试器件，此时不要关闭电源，不要插拨测试器件及测试插座；3.3 测试键本机在前面板上有一个测试键，此键与测试指示灯共用，当测试时请按此键，在测试过程中请不要再按下此键。3.4 蜂鸣器本机内置一个蜂鸣器，当开机及出现故障时蜂鸣器会发出响声。3.5 复位键在本机背面有一个黑色的复位键，当机器由于

19、一些故障或者其它原因出现死机等问题的时候，请按下此复位键，使测试仪重新复位。警告：当正在进行测试的时候，请不要按下此复位键；3.6 串口接口在本机背面有二个RS232串口接口，分别为一个公口的一个母口，内部对应相同的接口；作用：用来与上位机连接调试、校准及数据传输；3.7 电源插口在本机背面有一个电源线插口，内置过载保护；3.8 电源开关在本机背面有一个电源开关，用来接通电源；注意：当关掉电源后请不要立即开启电源，等待30秒后再开启电源；3.9 测试插座与测试盒3.9.1测试插座如图3.2所示图3.2 测试插座示意图3.9.2 测试插座共有六个插孔，与各类器件引脚对照如表3.1所示CBE其它两

20、孔GND晶体管集电极(C)基极(B)发射极(E)空屏敝地二极管一端空另一端空屏敝地稳压二极管正向空反向空屏敝地结型场效应管漏极(D)门极(G)源极(S)空屏敝地MOS场效应管漏极(D)门极(G)源极(S)空屏敝地可控硅阳极（A）门极(G)阴极(K)空屏敝地光电耦合器集电极(C)基极(B)发射极(E)输入端屏敝地表3.1 各类器件引脚与测试插座插孔对照表注：“空”代表在相应器件测试时，没有用到该测试插孔；“GND”为屏敝地；3.9.3 测试盒3.9.3.1 本仪器基本配置中共有四个测试盒；3.9.3.2 测试盒用途测试盒一专用于光电耦合器测试；测试盒二专用于二极管和稳压二极管的测试；测试盒三专用

21、于封装类似TO-220的晶体管、J-FET、MOSFET及可控硅的测试；测试盒四专用于封装类似TO-3的晶体管、J-FET、MOSFET及可控硅的测试；3.9.3.3 测试盒插入测试插座的时候，不用考虑方向；3.9.4 测试夹子线当有的被测器件形状比较特殊或者比较大，无法使用上述四个测试盒时，请用夹子线按照表3.1进行连接测试；第四章 测试仪测试界面说明4.1 开机界面开机以后，显示图4.1所示的开机界面，此时“晶体管”按钮默认处于选择状态，此时可以通过方向键来选择相应的按钮，当选中需要使用的按钮后，再按键盘中的“Enter ”键，则进入相应的测试界面或者管理界面。图4.1 开机界面4.2 测

22、试界面如图4.2所示（以晶体管测试界面为例）4.2.1测试界面操作说明（1）界面中白色长条框为编辑框，可向其中输入字符（测试结果列的编辑框均不可编辑，光标也无法移到）；（2）界面当中白色小方框为选择框，用来选择测试条件和器件类型；（3）上方区域用来确定器件型号与类型，下方区域分为四列，分别用来设置器件测试条件、选择测试参数、设置器件测试结果的最大值最小值、显示测试结果；（4）上方区域的四个绿色按钮用来打开相应的界面，分别为“选择器件”、“保存器件”、“查看测试结果”及“保存测试结果”界面；图4.2 测试界面（5）下方区域的小绿色按钮用来改变相应测试条件及结果范围的单位，若单位是电压的，则在“V

23、”、“mV”、“uV”之间转换，根据电压范围不同，其中一些电压单位可能没有；若单位是电流的，则在“A”、“mA”、“uA”之间转换，根据电流范围不同，其中一些电流单位可能没有；（6）下方有向下蓝色箭头的表明有下一页内容，可以用下翻页键来翻页；同理，下方有蓝色向上箭头的表明有上一页内容，可以用上翻页键来翻页；（7） 当打开晶体管测试界面时显示图4.2，此时显示最后一次测试时的晶体管数据，若器件库中没有晶体管数据，则此时名称框内显示为空、测试条件和测试结果都显示为0（其它类型器件与此相同）；（8） 晶体管型号编辑框，用来输入和显示器件型号，打开此界面时默认光标在此位置，此时按下“Enter”键，即

24、可输入器件名称（其它类型器件匀与此相同）；（9） “NPN”与“PNP”用来选择晶体管类型，默认为“NPN”的，通过上下方向键和“Enter”按键可以改变；（其它种类器件有的有型号选择，但功能不同，请参照相应种类器件的说明；有的无此类型选择功能，则不用考虑）（10） “选择器件”按钮用来选择已经存储在机器内的晶体管型号数据；（11） “保存器件”按钮用来保存正在显示的晶体管型号数据；（12） “查看测试结果”按钮用来显示已经测试完成的晶体管测试结果数据；（13） “保存测试结果”按钮用来保存刚测试完成的晶体管测试结果数据；4.2.2“选择器件”按钮操作说明（其它种类器件操作与此相同)：图4.3

25、 “选择器件”界面4.2.2.1 若器件库中没有晶体管数据，则按下此按钮后无任何反应；4.2.2.2 若器件库中有晶体管数据，则按下此按钮后会显示如图4.3，此时默认处于最后调用晶体管的位置，移动方向键来选择相应型号的晶体管，当移动到相应型号晶体管位置时，按下“Enter”键，则把此型号晶体管的数据调入到当前晶体管测试界面；若按下“Return ”键，则返回到测试界面，不进行任何操作；若此时按下“.”键，则删除选择型号的晶体管数据；4.2.2.3 在此界面的上方会显示出晶体管的总数，总页数及当前页码，若页码大于1时，可以通过上下翻页键翻页查看；4.2.3“保存器件”按钮操作说明（其它种类器件操

26、作与此相同)：4.2.3.1 当按下“保存器件”按钮后，当前晶体管测试界面的数据会保存到存储器中；4.2.3.2 若晶体管数据库已经有此型号的数据，此时会发出警告，是否覆盖此前的数据，这时用户根据情况自己选择；4.2.3.3 晶体管数据库中可以存放1110个不同型号的晶体管数据，超过时不能保存成功，请按照4.2.2.2说明删除多余的数据或者在“存储器管理”当中删除所有数据；4.2.4“查看测试结果”按钮操作说明（其它种类器件操作与此相同)：4.2.4.1 若存储器中没有晶体管测试结果数据，则按下此按钮后无任何反应；4.2.4.2 若存储器中有晶体管测试结果数据，则按下此按钮后会显示如图4.3，

27、此时默认处于最后调用晶体管的位置，移动方向键来选择相应型号的晶体管，当移动到相应型号晶体管位置时，按下“Enter”键，则把此型号晶体管的测试结果数据调入到当前晶体管测试界面；若按下“Return ”键，则返回到测试界面，不进行任何操作；若此时按下“.”键，则删除选择型号的晶体管测试结果数据；4.2.4.3 在此界面的上方会显示出晶体管的测试结果的总数，总页数及当前页码，若页码大于1时，可以通过上下翻页键翻页查看；4.2.5“保存测试结果”按钮操作说明（其它种类器件操作与此相同)：4.2.5.1 当按下“保存测试结果”按钮后，当前晶体管测试界面的测试结果会保存到存储器中；4.2.5.2 晶体管

28、数据库中可以存放4900个晶体管测试结果数据，超过此数时不能保存成功，请按照4.2.4.2的说明删除多余的测试结果数据或者在“存储器管理”当中删除所有测试结果数据；4.2.5.3 为了使用方便、灵活请不要保存过多的测试结果数据，造成操作不便；对于过时的测试结果数据请及时删除；第五章 器件测试操作方法及注意事项5.1 晶体管（Transistor）5.1.1 晶体管测试界面5.1 晶体管测试界面上5.2 晶体管测试界面下5.1.2 晶体管测试参数及测试条件晶体管共有11个测试参数，如表5.1所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围ICEOICESICBOVCEVCEVCB0.1V-11

29、99V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIEBOVEB0.10V-19.99V10uA-100uA100uA-1mA1mA-10mA10mA-100mA2%Rdg100nA2%Rdg1uA2%Rdg10uA2%Rdg100uAVCE(sat）VBE(sat)IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1AVBE(VBE(on)VCE0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-10AhFEVCE0.10V-19.99V199

30、9992%Rdg1(取整)IC10uA-10AV(BR)EBOIB10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)CEO V(BR)CBOIC10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.1 晶体管测试参数表注1:表中测试条件范围、测试范围及测试精度均为绝对值，向测试界面编辑框中输入数据时，不需要考虑正负，器件测试数据的正负均由所选择的器件种类及器件类型由CPU处理器决定（以下所有种类器件测试均与此相同，不再陈述）；注2:表中测试条件施加范围即是向界面数据编辑框内输入数据时的范围，输入数据时不要超出表中范围（以下所有种类器件测试

31、均与此相同，不再陈述）；注3：晶体管的维持电压参数VCEO(sus) 和VCER(sus) 两个参数不能测试，请不要把这两个参数误认为是击穿电压；5.1.3 晶体管测试参数定义 ICEO 基极开路时集电极-发射极截止电流； ICES 基极发射极短路时集电极-发射极截止电流； ICBO 发射极开路时集电极-基极截止电流； IEBO 集电极开路时发射极-基极截止电流； VCE(sat) 集电极-发射极饱合压降； VBE(sat) 基极-发射极饱合压降； VBE(VBE(on) 基极-发射极直流（开启）电压； hFE 正向电流传输比（放大倍数）； V(BR)EBO 发射极-基极击穿电压； V(BR)

32、CEO 集电极-发射极击穿电压； V(BR)CBO 集电极-发基极击穿电压；5.1.4 晶体管参数测试5.1.4.1 界面参数介绍界面当中的每一个参数占用一行或者两行，从左至右依次为测试条件、参数测试选择框、测试结果的范围（有的只有最小值，有的只有最大值，有的两都皆有）以及测试结果（其它器件测试界面布局与此相同）；5.1.4.2 饱合压降参数左侧的两个测试条件Ic和Ib为饱合压降的测试条件，对于这两个测试参数，因为条件相同，所以放在了一起；5.1.4.3 Vbe开启电压参数的测试条件有两个，分别在其左侧的Vce和左侧下方的Ic（其它类型器件有两个条件的测试参数布局与此相同）；5.1.4.4 在

33、测试之前请先选择相应的测试器件，或者输入相应的测试条件；5.1.4.5 晶体管的极性判别功能：测试之前请先选择晶体管的类型，默认为NPN型；晶体管的测试有极性判别功能，能够检测出器件是NPN型，还是PNP型，当插错时，测试不会进行；当极性判别出错时会出现下图提示信息：5.3 晶体管极性判别错误提示信息此时可能出现的问题：1：界面当中晶体管极性设置与被测晶体管极性不一致；2：测试插座中的晶体管没有插紧；3：测试插座中的晶体管没有插对位置；4：被测晶体管已经损坏，无法测试；此时单击“Enter”按键并检查后再重新测试；5.1.4.6 选择测试参数；若没有选择测试参数，则只会进行极性判别而不进行测试

34、；5.1.4.7 按开始测试键开始测试，注意：1：测试时间随着器件不同时间也会不相同； 2：测试期间请勿再按测试键；3：测试期间若高压指示灯亮，请不要触碰测试盒及被测器件；4：测试期间不要按下复位键；5：测试期间不要随意停电或者关机；6：测试期间若出现不正常的响声，或者有异常的气味，请立即关机停电；7：测试期间若出现死机现象，请按复位键重新复位；8：其它器件测试注意事项与此相同，不再陈述；5.1.4.8 测试结果返回到测试界面的结果列表当中；若没有填写测试结果范围，则测试结果没有正确与否的分别，若有测试结果范围，则测试结果超出测试结果范围后，则认为错误，显示为红色；（其它类型器件与此相同，不再

35、陈述）5.1.4.9 测试结果保存，请参照4.2.5章节；5.2 二极管（Diode）5.2.1 二极管测试界面5.4 二极管测试界面5.2.2 二极管测试参数及测试条件二极管共有3个测试参数，如表5.2所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围IRVR1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)IR10uA 10mA1V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.3V5.2 二极管测

36、试参数表5.2.3 二极管测试参数定义 VF正向直流电压； IR 反向直流电流； V(BR) 击穿电压；5.2.4 二极管参数测试5.2.4.1 极性判别二极管具有方向自动判别功能，能够自动识别二极管的正向和反向；当判别出错后会出现下图所示的提示信息：5.5 二极管方向判别错误提示信息此时可能出现的问题：1：测试插座中的二极管没有插紧；2：被测二极管已经损坏，无法测试；此时单击“Enter”按键并检查后再重新测试；5.2.4.2 测试测试过程与晶体管相同，不再陈述。5.3 稳压二极管（Zener Diode）5.3.1 稳压二极管测试界面5.6 稳压二极管测试界面5.3.2 稳压二极管测试参数

37、及测试条件稳压二极管共有3个测试参数，如表5.3所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围IRVR0.10V-200V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVVZIZT10uA 10A0.10V-20V2%Rdg10mV10uA 10mA20V-100V2%Rdg0.3V5.3 稳压二极管测试参数表5.3.4 稳压二极管测试参数定义 VF正向直流电压； IR 反向直流电流； VZ 齐纳电压；5.3.4 稳压二极管参数测试

38、注意：1.稳压二极管的稳压值Vz的测试分为两个档位，当Vz超20V的时候，测试电流小于10mA，若给出的测试条件大于10mA，且稳压值大于20V，则不能测试；2.稳压二极管无正反向判别功能，不要插反，其它与二极管相同，不再陈述。5.4 结型场效应管（JFet）5.4.1 结型场效应管测试界面5.7 结型场效应管测试界面上5.8 结型场效应管测试界面下5.4.2 结型场效应管测试参数及测试条件结型场效应管共有9个测试参数，如表5.4所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围VGS(off)VDS0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVID10uA-10AgfsV

39、DS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSID10uA-10AYfsVDS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSRDS(on)ID10uA-10A10m-100K2%Rdg0.1mVDS(on)ID10uA-10A0.10V-19.99V1%Rdg10mVIGSSVGS0.10V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIDSSVDS0.10V-20V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-10

40、0uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uA10mA-100mA2%Rdg20uA20V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAV(BR)GSSIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5VV(BR)GDOIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.4 结型场效应管测试参数表5.4.3 结型场效应管测试参数定义及测试条件说明 VGS(off) 栅-源截止电压，测试条件

41、：VDS ，ID为规定值； gfs 正向传输跨导，测试条件：VDS ，ID为规定值； Yfs 正向传输导纳，测试条件：VDS为规定值，VGS=0； RDS(on) 漏-源通态电阻，测试条件：ID为规定值，VGS=0； VDS(on) 漏-源通态电压，测试条件：ID为规定值，VGS=0； IGSS 漏-源短路时的栅极截止电流，测试条件：VGS为规定值，VDS=0； IDSS 栅-源短路时的漏极电流，测试条件：VDS为规定值，VGS=0； V(BR)GSS 漏-源短路时的栅源击穿电压，测试条件：IG为规定值，VDS=0； V(BR)GDO 漏极开路时的栅-源击穿电压，测试条件：IG为规定值；5.4

42、.4 结型场效应管参数测试gfs和Yfs两个参数，在同一个结型场效管器件手册当中一般不会同时存在，选择手册当中有的参数进行测试；注意：结型场效应无极性判别功能，安装时不要插反，其它与晶体管相同，不再陈述。5.5 MOS场效应管（MOSFet）5.5.1 MOS场效应管测试界面5.9 MOS场效应管测试界面上5.10 MOS场效应管测试界面下5.5.2 MOS场效应管测试参数及测试条件MOS场效应管共有10个测试参数，如表5.5所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围IDSSVDS 与表5.4中相同参数的范围、精度相同IGSSFVGS 与表5.4中IGSS参数的范围、精度相同IGSSR

43、VSG 与表5.4中IGSS参数的范围、精度相同V(BR)DSSID 与表5.4中V(BR)GSS参数的范围、精度相同V(BR)GSSIG 与表5.4中相同参数的范围、精度相同VGS(th)ID10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVRDS(on)VGS0.10V-19.99V与表5.4中相同参数的范围、精度相同ID10uA-10AVDS(on)VGS0.10V-19.99V与表5.4中相同参数的范围、精度相同ID10uA-10AID(on)VGS0.10V-19.99V10uA-10A2%Rdg2Dgt(Dgt 参考2.1.3)VDS0.10V-19.99VgfsVDS 与

44、表5.4中相同参数的范围、精度相同ID5.5 MOS场效应管测试参数表5.5.3 MOS场效应管测试参数定义及测试条件说明 IDSS 栅-源短路时的漏极电流，测试条件：VDS为规定值，VGS =0； IGSSF 漏-源短路时，栅极正向漏电流，测试条件：VGS为规定值，VDS =0； IGSSR 漏-源短路时，栅极反向漏电流，测试条件：VGS为规定值，VDS=0； V(BR)DSS 栅-源短路时的漏源击穿电压，测试条件：ID为规定值，VGS =0； V(BR)GSS 漏-源短路时的栅源击穿电压，测试条件：IG为规定值，VDS =0； VGS(th) 栅-源阈值电压，测试条件：ID为规定值，VGS

45、 =0； RDS(on) 静态漏-源通态电阻；测试条件：VGS ,ID为规定值； VDS(on) 静态漏-源通态电压，测试条件：VGS ,ID为规定值； ID(on) 静态源极通态电流，测试条件：VGS , VDS为规定值；gfs 正向跨导，测试条件：VDS ,ID为规定值；5.5.4 MOS场效应管参数测试本测试仪只测试增强型MOS场效应管；在测试MOS管之前请选择MOS管的类型（默认是N沟道增强型），否则容易造成测试错误，甚至机器损坏；注意：MOS场效应无极性判别功能，安装时不要插反，其它与晶体管相同，不再陈述。5.6 可控硅（晶闸管）（SCR）5.6.1可控硅测试界面5.11 可控硅测试

46、界面5.6.2 可控硅测试参数及测试条件可控硅共有5个测试参数，如表5.6所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围IGTVD 0.10V-19.99V10uA-200mA2%Rdg2Dgt(Dgt 参考2.1.5)RL10-1000IL10uA-1AVGTVD 0.10V-19.99V0.10V-19.99V2Rdg2Dgt(Dgt 参考2.1.4)RL10-1000IL10uA-1AIHVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(Dgt 参考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAILVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(D

47、gt 参考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAVTMITM10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg2Dgt(Dgt 参考2.1.2)5.6 可控硅测试参数表5.6.3 可控硅测试参数定义及测试条件说明 IGT 门极触发电流，使可控硅由断态转入通态所必须的最小门极电流；测试条件：VD ,RL为规定值； 或：VD ,IL为规定值； VGT 门极触发电压，产生门极触发电流所必须的门极电压；测试条件：与IGT的测试条件相同； IH 维持电流，使可控硅维持通态所必须的最小电流测试条件：VD ,IT为规定值；必要时有RGK； 或：VD ,IGT为规定值；必要时有RGK；IL

48、擎住电流，可控硅刚从断态转入通态，并移除触发信号之后，能维持通态所必须的最小主电流；测试条件：与IH 的测试条件相同； VTM 通态电压，可控硅处于通态时的主电压；测试条件：ITM为规定值；5.6.4 可控硅参数测试1. IGT和VGT的测试条件有两种情况一种是Vd与Rl，另外一种是Vd和It，把这三个测试条件放在了这两个参数的左边，根据器件手册中参数的测试条件选择相应测试条件；2. IGT和VGT的测试不可以在控制极和阴极之间加电阻；3. 当有的可控硅器件要求测试时在控制极和阴极之间加1K电阻或者其它电阻时，请把IGT和VGT两个参数的测试与其它参数测试分别测试；4. IH和IL的测试条件有

49、两种测试条件，一种是VD 与IT，另外一种是VD 和IGT，把这三个测试条件放在了这两个参数的左边，根据实际器件参数的测试条件选择相应测试条件；测试这两个参数的时候，可以不用输入IGT条件，仪器有自动寻找功能，可以寻找到合适的IGT电流值，但是如果输入了这个测试条件，而测试不正确时，可以相应加大IGT值，使得管子处于导通状态；5.当测试IH、IL 和VTM 三个参数时，如果需要RGK ，请在测试盒插入相应的电阻，正常时为1K； 并且与上述两个测试参数分开测试；注意：可控硅应无极性判别功能，安装时不要插反，其它与晶体管相同，不再陈述。5.7 光电耦合器（OptoCoupler）5.7.1光电耦合器测试界面5.12 光电耦合器测试界面上5.13 光电耦合器测试界面下5.7.2 光电耦合器测试参数及测试条件光电耦合器共有11个测试参数，如表5.7所示：测试参数测试条件测试范围测试精度名称施加范围VFIF10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIRVR0.1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVCE(sat）IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1ACTRVCE0.10V-