总结ldo稳压芯片特殊处理_第1页
总结ldo稳压芯片特殊处理_第2页
总结ldo稳压芯片特殊处理_第3页
总结ldo稳压芯片特殊处理_第4页
总结ldo稳压芯片特殊处理_第5页
已阅读5页，还剩2页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、LDO模块的处理时贺原（8.26 ）LDO Regulator低压差线性稳压器Low Dropout：低压差三端稳压器：是传统的稳压产品，压差大，功耗大。如7805。LDO（Low Dropout/低压差）线性稳压器：由于其本身存在DC无开关电压转换，所以它只能把输入电压降为更低的电压。它最大的优点是使用方便而简单、低成本；它的缺点是在热量管理方面，因为其转换效率近似等于输出电压除以输入电压的值。超低压差(VLDO)稳压器：输入电压范围接近1V，其压差低于100mV，甚至30mV，内部基准接近0.5V。当采用1.5V主电源并需要降压至1.2V为DSP内核供电时，开关稳压器就没有明显的优势了。实

2、际上，开关稳压器不能用来将1.5V电压降至1.2V，因为无法完全提升MOSFET(无论是在片内还是在片外)。VLDO的输出纹波可低于1mVPP。将VLDO作为一个降压型开关稳压器的后稳压器就可容易地确保低纹波。LDO概述压差Dropout噪音Noise共模/纹波抑制比（PSRR）静态电流Iq-是LDO的四大关键参数，产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音（纹波）以及高的电子零件技术与应用PSRR，在没有RF的便携式产品需求静态电流小以及压差小的LDO。LDO的四大要素LDO的内部结构ESD: Electro-Static discharge静电释放 线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。LDO的内部拓朴结构：作为电流主通道的MOSFET（或晶体管）、作反向保护的肖特基二极管、作输出电流大小检测的敏感电阻，过温/过压保护电路，输出电压取样反馈电路、比较放大器、基准电源、使能电路等几部

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论