半导体三极管(BJT)

1、3.1半导体三极管（BJT）BJT的结构简介：半导体三极管有两种类型：NPN型和PNP型。结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。BJT的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。载流子的传输过程内部载流子的传输过程发射区：发射载流子；集电区：收集载流子；基区：传送和控制载流子（以NPN为例）。以上看出，三极管内有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，故称为双极型三极管或BJT（BipolarJunctionTransistor）。电流

2、分配关系i=axiCEl=(1_a)xiBE3.三极管的三种组态卩1_a共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示。共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。IE.厶=3(1-巧BJT的三种组态4.放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：(1)内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。(2)外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。BJT的特性曲线i=f(V)11.输入特性曲线BBEVCEconst。=0V当CE时，相当于发射结的正向伏安特性

3、曲线。1VV二V-V0V当CE时，CBCEBE，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的V下，I减小，特性曲线右移。BEB输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区。2.输出特性曲线Zc/mA牛饱和区ZE2=80H-A放大区i=f(V)1CCEirconst放大区：平行于Vce轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区：vBE，一般v”0.7V(硅管)。此时,i接近零的区域，相当i=O的曲线的下方。此时，v小于死区电压，集电结反偏。饱和区:CBi明显受v控制的区域，该区域内CCE压很小。CE发射结正偏，集电结正偏或反偏电BJT的主要参数Zc/mA304

4、00A30300A20-rb200IA2010raZb-lOOptA1001A11亠JZ15201.电流放大系数共发射极直流电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数(3)共基极直流电流放大系数共基极交流电流放大系数当ICBO和ICEO很小时，直流和交流可以不加区分。2.极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流I：CBO发射极开路时，集电结的反向饱和电流。集电极发射极间的反向饱和电流I:CEO即输出特性曲线I=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。BI也称为集电极发射极间穿透电流。CEO极限参数(2)集电极最大允许功率损耗PCM=ICVCECMCCE反向击穿电压V、发射极开路时的集电结反向击穿电压。(BR)CBOV、集电极开路时发射结的反向击穿电压。(BR)EBOV基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。(BR)CEO几个击穿电压有如下关系：V、v,、v,、(BR)CBO(BR)CEO(BR)EBO由p、i和V,、在输出特性曲线上可以确定过损耗