4.5 各种磁介质磁介质的分类

1、各种磁介质 p286 4-28、37、38磁介质分类弱磁性：顺磁质、抗磁质强磁性：铁磁质一般有两类分子 无外场 分子磁矩 m分子= ml+ ms0 m分子=0 m分子0 分子磁矩 m分子= ml+ ms 0 m分子=0 m分子0顺磁质的磁化 分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列热运动与磁场作用相抵抗 抗磁质顺磁质抗磁质 抗磁质分子的固有磁矩m分子= ml+ ms0不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引起的顺磁效应。磁性来源？ 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场下的变化 电子轨道运动为什么会变化？原因：在外磁场下受洛伦兹力 分子磁矩的由来 在原子或分子内，一般不止有一个电子 分子磁矩：所有电子的轨

2、道磁矩和自旋磁矩的矢量和m分子= ml+ ms0 电子轨道磁矩与角动量方向相反电子自旋磁矩若所有电子的总角动量（含轨道和自旋）为零，抗磁所有电子的总角动量（含轨道和自旋）不为零 ，顺磁 外磁场对电子轨道运动的影响 p240外磁场作用在一个抗磁原子上，考虑电子的轨道运动(设电子角速度平行于外磁场)求无外磁场时的角速度 0(电子只受库仑力）加外磁场B0，电子受库仑力、洛伦兹力（指向中心），假设轨道的半径不变（相当于定态假设），设洛伦兹力远小于库仑力洛伦兹力远小于库仑力，高阶无穷小，略考虑电子角速度反平行于外磁场，有同样结论，的方向总是与外磁场B0相同 电子角速度改变将引起电子磁矩改变 总是与外磁场

3、方向相反当介质处于磁场中时，每个电子磁矩都受到磁力矩的作用 铁磁质 起始磁化曲线：Ms、Bs分别为饱和磁化强度和饱和磁感应强度 MH、BH之间的关系是非线性和非单值的 特点 其中M的值相当大； M与H不成正比关系，甚至也不是单值关系。实验表明，M和H间的函数关系比较复杂，且与磁化的历史有关。铁磁质的M与H、B的关系通常通过实验测定 磁滞回线 MR：剩余磁化强度BR: 剩余磁感应强度HC：矫顽力。在上述变化过程中，M和B的变化总是落后于H的变化，这一现象称为磁滞现象;上述曲线叫磁滞回线。P244磁滞损耗 当铁磁质在交变磁场作用下，反复磁化是由于磁滞效应，磁体要发热而散失热量，这种能量损失称为磁滞

4、损耗。 可以证明：BH图中磁滞回线所包围的“面积”代表在一个反复磁化的循环过程中单位体积的铁芯内损耗的能量 磁滞回线越胖，曲线下面积越大，损耗越大；磁滞回线越瘦，曲线下面积越小，损耗越小 证明 p245，算电源要抵抗感应电动势做功 证明以有闭合铁芯的螺绕环为例 设t时刻介质处于某一磁化状态P，此处H0，B0dt内， PP ，铁心中磁通改变量为d电源抵抗感应电动势做功周长铁磁质磁化机制 自发磁化区 近代科学实验证明，铁磁质的磁性主要来源于电子自旋磁矩。在没有外磁场的条件下铁磁质中电子自旋磁矩可以在小范围内“自发地”排列起来，形成一个个小的“自发磁化区”磁畴 自发磁化的原因是由于相邻原子中电子之间

5、存在着一种交换作用（一种量子效应），使电子的原子磁矩平行排列起来而达到自发磁化的饱和状态 单晶和多晶磁畴结构的示意 磁化过程示意 a：未磁化时状态b：畴壁的可逆位移阶段OA段c：不可逆的磁化AB段d：磁畴磁矩的转动BC段e：趋于饱和的阶段CS段等于每个磁畴中原有的磁化强度 在外磁场撤消后，铁磁质内掺杂和内应力或因为介质存在缺陷阻碍磁畴恢复到原来的状态 磁畴 影响铁磁质磁性的因素 温度对磁性有影响居里点高过居里点铁磁性就消失，变为顺磁质。如纯铁的居里点为1043K，镝的居里点为89K；强烈震动会瓦解磁畴 尺寸影响磁畴结构性介观尺度下有新现象介观尺度：即介于宏观尺度与微观尺度之间，一般为0.110

6、0nma 片形畴（L=8微米）； b 蜂窝畴（L=75微米）； c 楔形畴图 几种铁磁材料的磁畴结构，其中a、b为Ba铁氧体单晶基面上的磁畴结构，L为晶体厚度；c 为钴的两个晶粒上的磁畴结构宏观铁磁体的尺寸减小到介观尺度 此时磁性材料不再是具有畴壁的多磁畴结构，而是没有畴壁的单畴结构，单畴的临界尺度大约在纳米级范围，例如铁（Fe）的球形颗粒产生单畴的临界直径为28nm，钴(Co)为240nm。由于热扰动的影响，使这些磁有序物质系统表现出特别的磁性质，如类似顺磁性的超顺磁性 与同类常规块状磁体相比，纳米量级材料的居里温度低，矫顽力高。磁性液体：用表面活性剂处理过的超细磁性微粒高度分散在载液中形成

7、一种磁性胶体溶液，呈现出超顺磁性 磁性材料的分类及其应用 按矫顽力大小分类软磁材料 HC小，磁滞回线瘦，磁滞损耗小；有的BR小，通电后立即磁化获得强磁场，断电立即退磁，适合用于强电有的 起始磁导率大，适合用于弱电硬磁材料 BR大，HC大，HC：104106A/m；磁滞回线胖，磁滞损耗大；撤外场后，仍能保持强磁性。磁性材料在信息技术中的应用随着信息时代的到来，多种磁性材料在信息高新技术中获得广泛而重要的应用 磁记录：主要有存储装置和写入、读出设备。存储装置是用永磁材料制成的设备，包括磁头和磁记录介质 磁头：写入过程中：磁头将电信号磁场读出过程中：将磁记录介质的磁场转变为电信号磁记录介质：内存、外存、磁盘和磁带等磁性功能材料压磁材料也叫磁致伸缩材料 铁磁质磁畴中磁化方向改变会导致介质中晶格间距的改变 磁电阻材料磁场可以使许多金属的电阻发生改变，这种现象称为磁电阻效应，相应的材料为磁电阻材料(MR) 磁电阻材料(MR)： 巨磁电阻效应（简称GMR） 超巨磁电阻材料 在小型化的 微型化高密度磁记录读出磁头、随机存储器