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项目计划】10-20um实验过程：TTV攻目实际内控要求硅片厚度150-164155+15TTV2-1525翘曲度9-43平19um40粗糙度翻WO.581.5Rz2.9Rz5金属离子含量数已基基本能够2sunpower求，但但每片olympUS下拍拍摄摄的崩度大父于20um50um20umI,线运行时发生横向摆动，损伤硅棒。钻石线切割时存在线弓哇片罰崩边龄，仁出刀圆出刀口损伤。二L1J-S切割至末尾时，单晶受线弓应力。钻石线切割能力强，应力瞬间释放造成硅片损伤。正當线薄工艺片切崩边，宾丈较为只奄少量线性崩迷但仍辕存注方案实施情况：效果分析：0.5mm15%20%第-刀第二刀第三刀第四刀第王刀线弓（mm）3.73.73.8331.8实验总结：

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