半导体存储器

1、半导体存储器数字电子技术及应用半导体存储器能存储大量二值信息的器件存储器的容量：存储器的容量=字数（m）位数（n）例： 2108性能指标存储容量存储时间分类只读存储器（Read-Only Memory，ROM） 随机存取存储器（Random Access Memory，RAM） 1.1 随机存取存储器（RAM）1RAM的基本结构 存储单元有静态存储单元和动态存储单元两种。 1）存储矩阵（1） 静态随机存储器(SRAM)的存储单元（2）动态随机存储器(DRAM)的存储单元RAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。 VT2）地址译码器 地址译码器就是用于实现对RAM芯片中

2、字单元的选择，即地址选择。 由于RAM芯片的存储容量一般都很大，所以地址译码器多采用双译码结构，即将输入地址分为两部分，分别由行译码器和列译码器进行译码。 2. 集成RAM芯片 RAM芯片举例MCM6264是CMOS静态RAM。 存储容量：2138=8K8（位）1.2 只读存储器1ROM的基本结构存储容量：2nm（位）实际上，ROM的地址译码器就是由大量“与”门组成的，称为“与”阵列；而存储矩阵则由大量“或”门组成，称为“或”阵列。 任何逻辑函数写成最小项表达式后都是若干个最小项之和，所以利用上述ROM结构，可以实现任意包含n变量的逻辑函数。由此可见，ROM不仅可作为只读存储器使用，也可用于实

3、现任意组合逻辑函数。图中，“与”阵列包含2n个n端输入“与门”，产生2n个输出，每个输出代表一个包含n变量A0An-1的最小项。“或”阵列包含的“或”门个数就是ROM的输出端数，即存储字的位数m，每个“或”门输出端得到的是若干个最小项之和。 44位MOS场效应管ROM ROM电路中每个位单元所存储的数据，是以该单元是否设置MOS场效应管（也可以是二极管或双极型三极管）来表示的，设置了管子表示存入“1”，未设置管子表示存入“0”（当然也可以相反）。 ROM的分类按或阵列所用器件类型不同，有二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS场效应管ROM之分。 根据存储内容写入方式的不同 ，可分为固定ROM

4、 ，也称掩膜ROM可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM：有光擦除（EPROM）和电擦除（E2PROM）两种。 特点：出厂时已固定，不能更改允许用户根据需要自己写入，但只能写入一次，一经写入便不能再改写 存储内容写入后，可用紫外线照射方法或电擦除方法擦除，然后允许再写入新的内容，不过这种改写操作较复杂且费时，所以正常工作时仍只进行读出操作。 2.集成ROM芯片举例：Intel2716EPROM （24脚双列直插式LSIC芯片 ）工作方式：1读出方式；2功率下降；3编程方式； 4编程禁止方式；5编程检验方式。1.3 半导体存储器的应用（1）字长（位数）扩展指存储器字数不变，只增加存储器的位数接法：将各片存储器的地址线、读/写信号线、片选信号线对应地并接在一起。例：用2561的RAM 2568位的存储系统1存储器容量的扩展（2）字扩展指扩展成的存储器字数增加而数据位数不变例：用16片1K4位RAM16K4位 存储器字扩展通常是利用外加译码器控制存储芯片的片选信号端来实现。 例1.1