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文档简介

1、场效应管及应用模拟电子技术基础1.1 vGS0, iD0，所以管子为N沟道结型场效应管。 （1） （2） 场效应管及应用1.2 场效应管及应用解：（1） vi3V时，vGS小于开启电压，故VT截止。 （2） vi9V时，假设VT工作在恒流区。 所以，vi9V时，VT工作在恒流区。 （3） vi12V时，VT工作在可变电阻区。 1.3 解：（a）不能。 对于N沟道结型场效应管，要求栅源电压VGS0，因此需要在源极加一电阻RS，通过自给偏压方式为栅源之间提供一个vGS0的电压。 场效应管及应用（b）不能。 画出交流通路可知，输出交流电压恒等于0，因此，需要在漏极加一电阻Rd。 场效应管及应用（c）

2、不能。 对于N沟道增强型MOS管，当栅源电压vGS大于开启电压VT（大于0）时，才能工作在恒流区。而图中，当vi=0时，vGS也等于0，所以需要在输入端加一隔直电容（耦合电容）。 场效应管及应用（d）不能。 对于P沟道场效应管，VDD应改为VDD；另外，在Rg支路加VGG，给场效应管提供合适的栅源电压。 场效应管及应用1.4 解：（1）求静态工作点。（1） （2） （3） 0 场效应管及应用1.4 （2）动态分析。 场效应管及应用1.5 （1） （2） （3） 场效应管及应用解：（1）求静态工作点。1.5 场效应管及应用（2）画交流等效电路。1.5 场效应管及应用（3）动态分析。1.6 （1） （2） （3） 场效应管及应用解：（1）求静态工作点。1.6 场效应管及应用（2

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